摘要
高纯Ta溅射靶材广泛应用于电子信息产品制造业中,其微观组织均匀性、晶粒尺寸大小及晶粒取向分布对溅射性能有着直接的影响。本文采用EBSD技术对高纯Ta溅射靶材不同区域的组织和织构进行了分析,并对高纯Ta溅射靶材的微观组织、织构组分和晶界取向差进行了研究。
The function of high pure tantalum sputtering targets is directly affected by the homogeneity of microstructure,grain size and orientation distribution.The microstructure and texture in the different regions of high pure tantalum sputtering targets is analyzed by EBSD.
出处
《电子显微学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期85-88,共4页
Journal of Chinese Electron Microscopy Society
基金
02科技重大专项(2009ZX02031)
关键词
高纯Ta
溅射靶材
织构
取向差
EBSD
high purity tantalum sputtering target texture misorientation EBSD
