用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 被引量：3

1

作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期862-866,共5页

分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统... 分析了 Si1- x- y Gex Cy 三元系材料外延生长的特点 ,指出原子性质上的巨大差异使 Si1- x- yGex Cy 材料的制备比较困难 .固相外延生长是制备 Si1- x- y Gex Cy 的有效方法 ,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择 .通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系 .指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量 ,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应 ,影响以后的再结晶过程 .采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷 ,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区 .在此基础上优化得出了固相外延方法制备 Si1- x- y Gex Cy/Si材料的最佳条件 . 展开更多

关键词 si1-x-ygexcy材料 固相外延 三元系 半导体材料

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基于Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶/纳米晶粉的压磁复合材料研究 被引量：12

2

作者 黄渝鸿 吴菊英 +4 位作者 朱正吼 付强 梅军 郭静 马广斌 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期165-170,共6页

研究了基于Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶/纳米晶粉的柔性压磁复合材料制备技术及其性能,讨论了橡胶种类,磁粉粒径、含量及工艺因素等对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9/橡胶复合材料压磁性能的影响。结果表明:采用粒径为45μm,用量约15%的Fe73.5Cu1Nb... 研究了基于Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶/纳米晶粉的柔性压磁复合材料制备技术及其性能,讨论了橡胶种类,磁粉粒径、含量及工艺因素等对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9/橡胶复合材料压磁性能的影响。结果表明:采用粒径为45μm,用量约15%的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶/纳米晶粉与高温硫化有规共聚硅氧烷在171℃,15MPa条件下,硫化45min制备的、厚度约150μm的压磁复合材料薄膜具有较好的应力敏感特性和压磁稳定性能,有望作为新一代柔性、薄型接触应力传感器的敏感元件材料。 展开更多

关键词 FE73.5CU1NB3si13.5B9 橡胶 压磁复合材料 应力-阻抗性能

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纳米晶Fe_(85)Si_1Al_6Cr_8扁平状颗粒材料微波吸收特性 被引量：20

3

作者 邓联文 冯则坤 +3 位作者 江建军 何华辉 付祺伟 熊惟皓 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期321-324,共4页

采用雾化工艺和高能球磨处理技术制备纳米晶Fe85Si1Al6Cr8扁平状颗粒合金粉,研究了高能球磨处理工艺对材料微结构、形貌和微波电磁特性的影响．结果表明,高能球磨处理使球形雾化粉粒形状扁平化并细化其晶粒,从而使Fe85Si1Al6Cr8 微粉的... 采用雾化工艺和高能球磨处理技术制备纳米晶Fe85Si1Al6Cr8扁平状颗粒合金粉,研究了高能球磨处理工艺对材料微结构、形貌和微波电磁特性的影响．结果表明,高能球磨处理使球形雾化粉粒形状扁平化并细化其晶粒,从而使Fe85Si1Al6Cr8 微粉的微波磁导率显著提高,有效控制了介电常数．后续热处理可以进一步改善其微波电磁性能．对采用该材料制作的涂层吸波性能进行的测量结果表明,在频率为4 GHz附近微波段具有良好的吸波性能． 展开更多

关键词 纳米晶 Fe85si1Al6Cr8合金 复磁导率 吸波材料 高能球磨

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Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶粉/硅橡胶压磁复合材料的制备与性能研究 被引量：10

4

作者 黄渝鸿 郭静 +3 位作者 吴菊英 马广斌 付强 朱正吼 《橡胶工业》 CAS 北大核心 2008年第6期329-333,共5页

采用机械共混法制备Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉/硅橡胶压磁复合材料,并对其压磁性能进行研究。结果表明,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉/硅橡胶复合材料具有良好的压磁性能,且压磁性能稳定性和阻抗蠕变性能优异,可用于新型压力传感器用力... 采用机械共混法制备Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉/硅橡胶压磁复合材料,并对其压磁性能进行研究。结果表明,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉/硅橡胶复合材料具有良好的压磁性能,且压磁性能稳定性和阻抗蠕变性能优异,可用于新型压力传感器用力敏元件。 展开更多

关键词 Fe73.5Cu1Nb3si13.5B9非晶粉 硅橡胶 压磁复合材料

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Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金材料物理特性研究进展 被引量：2

5

作者 高勇 刘静 马丽 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期527-530,533,共5页

碳的加入为Si-Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。文章对Si1-x-yGexCy合金材料物理特性的研究现状进行了概述,重点分析了替位式碳原子在Si1-xGex合金应变补偿和能带工程中的作用,并对其行为机理进行了分析和总结。

关键词 si1-x-ygexcy合金 应变补偿 能带工程 替位式碳原子

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Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiC_P复合材料热加工工艺的研究 被引量：6

6

作者 徐政坤 贺毅强 +2 位作者 陈振华 尹显觉 郝亮 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2007年第10期17-20,24,共5页

研究了多层喷射沉积Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiCP复合材料的热加工工艺,以及不同工艺对其力学性能的影响。通过调整不同的工艺参数来获得最优化的工艺,并通过金相、X-射线、扫描电镜、透射电镜观察了在不同加工过程中复合材料的显微组织,... 研究了多层喷射沉积Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiCP复合材料的热加工工艺,以及不同工艺对其力学性能的影响。通过调整不同的工艺参数来获得最优化的工艺,并通过金相、X-射线、扫描电镜、透射电镜观察了在不同加工过程中复合材料的显微组织,分析了工艺参数对其加工性能以及最终力学性能的影响。结果表明,在490℃通过挤压后再轧制以及模压后再轧制的Al-8.5Fe-1.3V-1.7Si/SiCP复合材料具有突出的室温性能和高温性能,热压后轧制得到的板材室温抗拉强度达620 MPa,315℃下抗拉强度达300 MPa,400℃下抗拉强度为185 MPa。分析认为其突出的室温性能和高温性能主要是得益于复合材料中的颗粒状SiC与基体的结合状况良好以及材料中弥散析出的Al13(Fe,V)3Si相、喷射沉积工艺得到的细小晶粒(约800 nm),并且通过大量变形形成晶粒内和晶界附近的位错缠结以及喷射原始颗粒边界氧化皮的破碎而产生的强化。 展开更多

关键词 Al-8.5Fe-1-3V-1.7si/siC复合材料 多层喷射沉积 室温高温性能

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纳米晶软磁材料Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9中子衍射研究 被引量：1

7

作者 刘蕴韬 李际周 +3 位作者 卢志超 杨继廉 叶春堂 肖红文 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第z1期1-4,共4页

用中子衍射技术研究了 3种不同热处理温度下形成的纳米晶软磁材料Fe73 .5Cu1Nb3Si13 .5B9的内部微观结构及其随热处理温度的变化。实验结果表明 :Fe73 .5Cu1Nb3Si13 .5B9非晶经等温热处理 1h后 ,生成的是高度有序的DO3结构的固溶体Fe3Si... 用中子衍射技术研究了 3种不同热处理温度下形成的纳米晶软磁材料Fe73 .5Cu1Nb3Si13 .5B9的内部微观结构及其随热处理温度的变化。实验结果表明 :Fe73 .5Cu1Nb3Si13 .5B9非晶经等温热处理 1h后 ,生成的是高度有序的DO3结构的固溶体Fe3Si(Fe)。首次确定了Si主要占据 4a位 ,Fe除少量占据 4a位外 ,主要占 4b和 8c位 ,并定量地给出了上述 3种样品的Si的占位数和平均晶粒尺寸。另外 ,热处理温度为 853K时 ,样品晶胞变大 ,有部分B原子进入 4 8h位。热处理温度为82 3K时 ,样品具有最高的Si含量 (原子百分比 19 8% )和最小的晶粒尺寸 ( 8 9nm) ,这可能是样品有最佳软磁性能的原因。 展开更多

关键词 纳米晶软磁材料 FE73.5CU1NB3si13.5B9 中子衍射

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Si_(1-x-y)Ge_xC_y的淀积工艺和材料特性

8

作者 肖胜安 季伟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期517-521,571,共6页

研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不... 研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不同,在单晶硅上成长的是单晶态的Si1-x-yGexCy,在除单晶硅之外的材料上成长的都是多晶态的Si1-x-yGexCy,多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率。多晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率高于单晶态Si1-x-yGexCy的淀积速率,造成了淀积工艺完成后有源区CD的减少。利用低温淀积工艺和控制浅沟槽隔离(STI)凹陷的深度,可以有效减少由于淀积Si1-x-yGexCy薄膜造成的有源区CD减少量。同时,研究了碳组分对硼扩散的抑制作用,碳组分越高,对硼扩散的抑制作用越大。 展开更多

关键词 si1-x-ygexcy 异质结双极晶体管 有源区CD减少 STI凹陷 硼扩散

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钕对Mg-5Al-1Si高温蠕变及组织性能的影响 被引量：43

9

作者 黄晓锋 王渠东 +3 位作者 曾小勤 朱燕萍 卢晨 丁文江 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期361-364,共4页

研究了不同Nd含量对Mg 5Al 1Si镁合金的高温蠕变性能影响 ,对析出相进行了分析 ,研究了微观组织与力学性能的关系。研究结果表明 ,该合金中的主要强化相Mg2 Si呈粗大的汉字状 ,分布在晶界的周围 ,在受到应力时 ,这种汉字状相与基体的界... 研究了不同Nd含量对Mg 5Al 1Si镁合金的高温蠕变性能影响 ,对析出相进行了分析 ,研究了微观组织与力学性能的关系。研究结果表明 ,该合金中的主要强化相Mg2 Si呈粗大的汉字状 ,分布在晶界的周围 ,在受到应力时 ,这种汉字状相与基体的界面处易产生微裂纹 ,降低合金的抗拉强度、塑性等力学性能。在Mg 5Al 1Si合金中加入微量的Nd以后 ,合金的组织得到明显的细化 ,并使Mg2 Si强化相形貌由粗大的汉字状转变为细小、弥散分布的颗粒状。由于显微组织的改善 ,使得Mg 5Al 1Si镁合金的室温和高温力学性能均有一定的提高 ,并明显的改善了Mg 5Al 1Si的抗蠕变性能。 展开更多

关键词 金属材料 镁合金 Mg-5A1-si-xNd合金 MG2si 高温蠕变 稀土

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四探针法测量应变Si_(1-x)Ge_x掺杂浓度 被引量：2

10

作者 戴显英 王伟 +4 位作者 张鹤鸣 何林 张静 胡辉勇 吕懿 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期255-258,280,共5页

在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si... 在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性. 展开更多

关键词 测量 应变 si1-xGex材料 迁移率模型 电阻率 掺杂浓度 四探针 硅锗材料 半导体材料

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Ti-Si对SiC_p/Al基复合材料等离子弧原位焊接性能的影响 被引量：2

11

作者 陈希章 雷玉成 +1 位作者 李贤 张建会 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期13-16,共4页

以Ti-Si混合粉末作为填充材料,采用氮氩混合等离子气体对SiCp/Al基复合材料进行等离子弧原位焊接,分析SiCp/Al基复合材料的焊接性。结果表明,填充Ti-Si混合粉末进行等离子弧原位焊接时接头组织致密,结合较好,焊缝组织中生成了新的增强颗... 以Ti-Si混合粉末作为填充材料,采用氮氩混合等离子气体对SiCp/Al基复合材料进行等离子弧原位焊接,分析SiCp/Al基复合材料的焊接性。结果表明,填充Ti-Si混合粉末进行等离子弧原位焊接时接头组织致密,结合较好,焊缝组织中生成了新的增强颗粒,未发现明显的针状相生成,从而有效地提高了接头的力学性能。力学性能试验表明,采用Ti-Si混合粉末进行等离子弧原位焊接所获得的抗拉强度为232.3MPa。此外探讨了焊接接头中气孔形成的机制以及应采取的相应措施。 展开更多

关键词 siCp/A1基复合材料 等离子弧 原位焊接 Ti—si混合粉末

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微波场作用下非晶合金Fe_(73．5)Cu_1Nb_3Si_(13．5)B_9的纳米晶化 被引量：1

12

作者 易健宏 李丽娅 彭元东 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期632-636,共5页

研究了微波场对晶化的影响.结果表明,将非晶合金Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9在微波场作用下在480℃短时间(5 min)晶化处理,形成体积分数为80%、尺寸约15nm的α-Fe(Si)相;适当延长晶化时间(30 min)使非晶合金完全晶化,α-Fe(Si)相的... 研究了微波场对晶化的影响.结果表明,将非晶合金Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9在微波场作用下在480℃短时间(5 min)晶化处理,形成体积分数为80%、尺寸约15nm的α-Fe(Si)相;适当延长晶化时间(30 min)使非晶合金完全晶化,α-Fe(Si)相的晶粒不再长大,原子层之间的距离降低至0.2461 nm,磁体具有最大M_s为1.79 T.与激光、激波、脉冲电场和脉冲磁场晶化处理相比,微波场晶化处理可同时获得单一的、更小晶粒尺寸和更高体积分数的α-Fe(Si)晶化相,使合金具有高的饱和磁化强度和优良的软磁性能.微波场有利于非晶合金中的硼原子向空位跃迁,使基体金属相α-Fe(Si)相的形核率增大,促进非晶合金的纳米晶化. 展开更多

关键词 金属材料 非晶Fe73.5Cu1Nb3si13.5B9 微波场 晶化 α-Fe(si)

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热处理温度对C/C-SiC摩擦材料组织结构的影响 被引量：1

13

作者 李专 肖鹏 +1 位作者 熊翔 刘建军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期123-125,129,共4页

以短切炭纤维为增强相,采用温压-原位反应法制备C/C-SiC材料,研究了热处理温度对C/C-SiC材料组织结构的影响,以及Si(1)-C原位反应机理。结果表明:试样中硅粉均匀分布于素坯内部,Si-C原位反应只需Si近程扩散即可。Si粉熔化后迅速在就近... 以短切炭纤维为增强相,采用温压-原位反应法制备C/C-SiC材料,研究了热处理温度对C/C-SiC材料组织结构的影响,以及Si(1)-C原位反应机理。结果表明:试样中硅粉均匀分布于素坯内部,Si-C原位反应只需Si近程扩散即可。Si粉熔化后迅速在就近的炭源表面铺展,并与之反应生成SiC。Si(1)-C反应相对于Si(s)-C反应速度更快,反应更完全。温度越高,生成的SiC也就越多,残留Si相应减少。1500℃热处理后复合材料的SiC含量达到62.7%,残留Si仅为1.4%。 展开更多

关键词 C/C-siC复合材料 高温热处理 原位反应 si(1)-C反应机理

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Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究

14

作者 程雪梅 郑有炓 +4 位作者 韩平 刘夏冰 朱顺明 罗志云 江若琏 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第10期32-35,共4页

研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 ... 研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 0℃下进行N2氛围下热退火 2 0min。用拉曼谱 (Raman)、俄歇电子能谱 (AES)以及X射线光电子能谱(XPS)等方法对样品进行研究。研究结果表明 ,低温PECVD法生长的Si1 x yGexCy 薄膜是一种亚稳结构 ,Ge/Si1 x yGexCy/Si异质结构在 6 50℃下呈现不稳定性 ,薄膜中的Ge、C相对含量下降 ,且在界面处出现Ge、C原子的堆积。经过 80 0℃下退火 2 0min的样品中C含量基本为 0 ,Ge相对含量下降至约 2 0 %左右 ,且薄膜的组分比较均匀。 展开更多

关键词 热退火 GE/si1-x-ygexcy/si异质结构 PECVD 硅基 三元体系合金

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深过冷Fe_(82)B_(17)Si_1非规则共晶中Fe_2B相的形态演化 被引量：3

15

作者 张振忠 宋广生 杨根仓 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 2000年第6期560-566,共7页

在63～342K过冷度范围内,对Fe_(82)B_(17)Si_1合金非规则共晶中Fe_2B相的生长形态演化进行了研究。发现:(1)在具有一次再辉的63～164K及255～342K过冷度范围内,随过冷度增加Fe_2B相由变异的小平面结构逐渐转变为树枝状,进而向具有明显... 在63～342K过冷度范围内,对Fe_(82)B_(17)Si_1合金非规则共晶中Fe_2B相的生长形态演化进行了研究。发现:(1)在具有一次再辉的63～164K及255～342K过冷度范围内,随过冷度增加Fe_2B相由变异的小平面结构逐渐转变为树枝状,进而向具有明显定向特征的树枝状和超细的球状转变,该合金Fe_2B相由小平面转变为树枝状的过冷度过渡范围约为63～164K;(2)在具有两次再辉的174～247K过冷度范围内,随初生α相含量的增加枝晶间非规则共晶逐渐向离异共晶转变;(3)在63～154K和312～342K过冷度范围内,该合金非规则共晶中的Fe_2B相存在两次粒化现象,这两次粒化对应于不同的非规则共晶形成机制。 展开更多

关键词 深过冷 非规则共晶 Fe2B相 Fe82B17si1 软磁材料

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Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响

16

作者 刘夏冰 臧岚 +4 位作者 朱顺明 程雪梅 韩平 罗志云 郑有炓 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2001年第12期84-86,共3页

报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。

关键词 集成电路 生长速率 光电功能材料 si1-x-ygexcy 硅基 原子排列 抑制作用 硅锗碳三元化合物 分子束外延生长

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放电等离子烧结Gd/Gd_5Si_2Ge_2复合材料磁热效应研究

17

作者 曾宏 岳明 +1 位作者 陈海玲 张久兴 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期872-874,共3页

以高纯钆和Gd5Si2Ge2合金为原料,采用放电等离子烧结技术制备了两组元Gdx(Gd5Si2Ge2)1-x(x=0,0.33,0.5,0.7,1)层状复合磁制冷材料.通过自制的磁热效应测量仪器直接测量了复合材料在外加磁场1.5 T下的磁热效应(ΔTad).随着复合比例的变化... 以高纯钆和Gd5Si2Ge2合金为原料,采用放电等离子烧结技术制备了两组元Gdx(Gd5Si2Ge2)1-x(x=0,0.33,0.5,0.7,1)层状复合磁制冷材料.通过自制的磁热效应测量仪器直接测量了复合材料在外加磁场1.5 T下的磁热效应(ΔTad).随着复合比例的变化,材料的最大绝热温变(ΔTad)从x=0.3时的1.6 K增加到x=0.7时的2.0 K,而最大绝热温变峰的位置从286K变到了293 K.同时,与单组元的Gd5Si2Ge2合金相比,随着钆的含量增加时,复合材料的最大绝热温变峰变宽.当x=0.7时,层状复合磁制冷材料在外加磁场1.5 T下的最大绝热温变(ΔT)在260-310K范围里从1.1 K变到2.0 K,这种材料非常适合作为室温磁制冷材料. 展开更多

关键词 放电等离子烧结 Gdx(Gd5si2Ge2)1-x 复合材料 磁热效应 绝热温变(ΔTad)

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Y_4Si_2O_7N_(2-)BN复合材料抗热震性能研究

18

作者 陈琳 陈继新 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期70-72,共3页

系统地研究了Y4Si2O7N2-BN复合材料的抗热震性能.计算表明,Y4Si2O7N2-30vol.%BN复合材料具有较高的热应力断裂抵抗因子R1值.进一步的实验证明该复合材料的临界热震温差为850~900 K.第二相h-BN在热震条件下的层间劈裂愈合机制对复合材料... 系统地研究了Y4Si2O7N2-BN复合材料的抗热震性能.计算表明,Y4Si2O7N2-30vol.%BN复合材料具有较高的热应力断裂抵抗因子R1值.进一步的实验证明该复合材料的临界热震温差为850~900 K.第二相h-BN在热震条件下的层间劈裂愈合机制对复合材料保持较高的残余强度有利. 展开更多

关键词 Y4si2O7N2-BN复合材料 抗热震性 热应力断裂抵抗因子R1

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SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究 被引量：3

19

作者 潘章杰 冯玢 +1 位作者 王磊 郝建民 《电子工业专用设备》 2013年第4期19-23,共5页

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并... 研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。 展开更多

关键词 碳化硅 (0001)si面 (000 1)C面 化学机械抛光(CMP) 材料去除速率 粗糙度

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Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金半导体技术及其应用

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作者 祁慧 高勇 安涛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期127-131,共5页

　随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所... 　随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视。C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生长的外延层质量和厚度都得到相应提高,并且由于C组分所带来的能带补偿作用,使材料的光电特性也得到改进。文章综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展及其物理特性,并对其在FET、HBT、光电子器件等方面的应用进行了详细的阐述。 展开更多

关键词 si1-x-ygexcy合金半导体技术 硅锗碳三元化合物 半导体材料 应变补偿 场效应晶体管 异质结晶体管 光电子器件

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