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衬底温度对沉积的NiTi薄膜晶化行为的影响 被引量:4

Effect of substrate temperature on crystallization behavior of NiTi thin films
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摘要 将采用直流磁控溅射方法制备的NiTi薄膜沉积在热的衬底上,应用X射线散射和小角X射线散射技术研究了NiTi合金薄膜中生成的晶化粒子的界面特征和晶粒大小.结果表明:衬底加热可降低薄膜的晶化温度,衬底温度在350℃以上,溅射的NiTi薄膜已部分晶化;衬底温度在350、370℃和420℃溅射的NiTi薄膜,对应的晶化粒子的半径分别是2 40、2 59、2 81nm;薄膜中的晶化粒子以形核长大的方式进行,结晶粒子与基底之间有清晰的界面. NiTi thin films were deposited on hot substrate by D.C. magnetron sputtering at substrate temperatures of 350?370 ℃ and 420 ℃, respectively, the interfacial characteristics and the size of the crystalline particles in NiTi thin films were studied using Xray diffraction (XRD) and Smallangle Xray Scattering (SAXS), and the results show that the crystallization temperature is reduced, the films deposited on substrates above 350 ℃ are partly crystallized; the sizes of crystalline particles obtained are 240 nm?259 nm and 281 nm, for substrate temperatures of 350 ℃?370 ℃ and 420 ℃ respectively;and the crystalline particles of NiTi film deposited on heated substrate have a sharp interface between crystallized and amorphous phases.
出处 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第3期251-253,共3页 Materials Science and Technology
基金 吉林省科技厅基金资助项目(20020611) 教育部高等学校博士点基金资助项目.
关键词 衬底 温度 沉积 NiTi合金薄膜 晶化粒子 小角X射线散射 NiTi thin films crystalline particles small angle X-ray scattering
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