实时研究Fe^(3+)对Z切向ADP晶体成锥动力学过程的影响 被引量：5

1

作者 钟德高 滕冰 +5 位作者 董胜明 于正河 赵严帅 许辉 由飞 张世明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期59-63,共5页

设计了一套显微实时观测系统,分析了Z切向ADP晶体成锥过程中形成的薄表面层的生长动力学。通过实时记录成锥薄表面层的切向速度,得到了成锥薄层生长速度随过饱和度的变化曲线。计算出了成锥薄层生长相关动力学系数,发现Fe3+掺杂可以提... 设计了一套显微实时观测系统,分析了Z切向ADP晶体成锥过程中形成的薄表面层的生长动力学。通过实时记录成锥薄表面层的切向速度,得到了成锥薄层生长速度随过饱和度的变化曲线。计算出了成锥薄层生长相关动力学系数,发现Fe3+掺杂可以提高薄表面层的切向生长速度,从而加速Z切向ADP晶体的成锥过程。扫描电镜断口形貌显示薄表面层内部存在很多大尺寸缺陷。利用高分辨X射线衍射,测量了掺杂和未掺杂Fe3+成锥薄层样品的单晶摇摆曲线,发现Fe3+掺杂没有降低薄层的结晶质量。 展开更多

关键词 ADP晶体 薄表面层 动力学系数

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汞灯辅助MOCVD SnO_2薄层晶体的结构与透明导电性研究 被引量：9

2

作者 罗文秀 任鹏程 谭忠恪 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第2期129-133,共5页

采用x—射线衍射(XRD)、高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)等技术研究了在汞灯(ML)辅助下进行有机金属化学气相沉积(MOCVD)所得本征及掺杂SnO_2薄层晶体的结构和透明导电性。实验指出,采用汞灯辅助有机金... 采用x—射线衍射(XRD)、高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)等技术研究了在汞灯(ML)辅助下进行有机金属化学气相沉积(MOCVD)所得本征及掺杂SnO_2薄层晶体的结构和透明导电性。实验指出,采用汞灯辅助有机金属化学气相沉积(ML-MOCVD)SnO_2薄层晶体比无汞灯辅助的有机金属化学气相沉积(MOCVD)膜层生长速度快,结晶粒度大且其透明导电性能更好。本文对ML-MOCVD SnO_2薄层晶体的结晶粒度与生长温度的关系、掺杂对结晶取向的影响以及可见光透过率、导电性能等进行了较详细的研究。结果指出,ML-MOCVD是获得透明导电优质薄层SnO_2晶体材料的最佳途径。 展开更多

关键词 汞灯 薄层晶体 二氧化锡 气相沉积

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不同缓冲层对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响 被引量：4

3

作者 肖立娟 李长山 +1 位作者 郝嘉伟 赵鹤平 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期138-141,共4页

本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征。XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲... 本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征。XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80%;薄膜的导电性能得到提高。 展开更多

关键词 AZO薄膜 缓冲层 晶体结构 光电性能

原文传递

PLD法在c面蓝宝石衬底上制备纤锌矿ZnS外延薄膜 被引量：5

4

作者 张蕾 方龙 +3 位作者 刘攀克 刘越彦 黎明锴 何云斌 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期224-226,共3页

采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在... 采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质量的影响,结果表明,所有制备的ZnS薄膜均为六方纤锌矿结构;在衬底温度为750℃时所制备的薄膜具有较好的晶体质量,并表现出与蓝宝石衬底明确的外延关系[ZnS(001)∥Al_2O_3(001)且ZnS(110)∥Al_2O_3(110)]。进一步研究了在750℃下加入不同厚度的ZnO缓冲层对于ZnS薄膜晶体质量的影响,结果表明在沉积ZnS薄膜前先沉积一层ZnO薄膜缓冲层可以进一步有效提高ZnS薄膜的晶体质量和面外取向性,其中在沉积时间为2min的ZnO缓冲层上制备的ZnS外延薄膜晶体质量最好,其(002)面摇摆曲线半高宽为1.35°。本文结论对于研究ZnS薄膜制备光电器件具有重要的意义。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 ZNS薄膜 缓冲层 外延生长 晶体结构

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以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜 被引量：3

5

作者 何建廷 宿元斌 +1 位作者 杨淑连 卢恒炜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第A01期162-164,共3页

用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收... 用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛围中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响。 展开更多

关键词 ZnO缓冲层 GAN薄膜 退火 结晶

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原子层沉积技术及其在光学薄膜中的应用 被引量：11

6

作者 何俊鹏 章岳光 +2 位作者 沈伟东 刘旭 顾培夫 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期173-179,共7页

回顾了原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的基本工艺,并与传统薄膜制备工艺进行了对比研究,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势。着重列举ALD在减反膜、紫外截止膜、折射率可调的薄膜、抗激光损伤薄... 回顾了原子层沉积(ALD)技术的发展背景,通过分析ALD的基本工艺,并与传统薄膜制备工艺进行了对比研究,介绍了它在膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面的优势。着重列举ALD在减反膜、紫外截止膜、折射率可调的薄膜、抗激光损伤薄膜及复杂结构光子晶体等方面的应用。同时指出了目前ALD工艺在光学薄膜应用中存在的主要问题,并对ALD未来的发展进行了展望。 展开更多

关键词 原子层沉积 光学薄膜 前驱体 光子晶体

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(SrZrO_3)_(10)(SrTiO_3)_(90)缓冲层对PZT结晶及性能的影响 被引量：1

7

作者 辛红 苏未安 王艳阳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1060-1063,1075,共5页

采用Sol-gel法制备了PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜,并研究了(SrZrO3)10(SrTiO3)90((SZO)10(STO)90)缓冲层对PZT薄膜结晶和性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明:(SZO)10(STO)90缓冲层对PZT薄膜结晶有取向诱导作用,由(SZO)10(STO)90诱导的PZ... 采用Sol-gel法制备了PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)薄膜,并研究了(SrZrO3)10(SrTiO3)90((SZO)10(STO)90)缓冲层对PZT薄膜结晶和性能的影响。X射线衍射(XRD)结果表明:(SZO)10(STO)90缓冲层对PZT薄膜结晶有取向诱导作用,由(SZO)10(STO)90诱导的PZT薄膜有很强的(111)择优取向,缓冲层将PZT薄膜的取向度α由45.0%提高到了90.1%以上;PZT的(111)择优取向提高了薄膜的电性能,使剩余极化强度Pr从26.8μC/cm2增大到38.8μC/cm2。 展开更多

关键词 缓冲层 薄膜 结晶 (SZO)10(STO)90

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从鱼油中分离高纯度的EPA和DHA 被引量：8

8

作者 陶海荣 李和 《中国海洋药物》 CAS CSCD 2000年第5期24-26,共3页

以鱼油为原料 ,经低温结晶、减压蒸馏及薄层色谱法逐步提纯 ,分别获得了含量高于 99的 EPA (甲酯 )和 DH A (甲酯 )。

关键词 鱼油 DHA 低温结晶 减压蒸馏 薄层色谱

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基于Ge插入层优化Al诱导结晶生长多晶Ge薄膜的研究 被引量：2

9

作者 董少光 庄君活 +1 位作者 陈晓涛 曾亚光 《嘉应学院学报》 2017年第8期31-36,共6页

在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件,Ge插入层放置在Al层的下方.使用Ge插入层的目的是提高Ge原子在Al层中的超饱和浓度.Ge插入层可以在275
... 在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件,Ge插入层放置在Al层的下方.使用Ge插入层的目的是提高Ge原子在Al层中的超饱和浓度.Ge插入层可以在275°C的低温下产生Al诱导结晶.Ge插入层可以导致较高的成核率,厚度大于3 nm的Ge插入层可以产生大量的Ge晶体小颗粒,厚度为1 nm的Ge插入层可以促使多晶Ge薄膜快速生长,并产生直径为100μm的Ge晶体大颗粒.从电子背散射衍射(EBSD)测量中可知,Al诱导结晶生长的多晶Ge薄膜具有良好的(111)晶向. 展开更多

关键词 Al诱导结晶 插入层 多晶Ge薄膜 晶向

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多层金属/介质膜系中Al层的作用分析 被引量：3

10

作者 魏军明 吴永刚 +5 位作者 顾牡 顾春时 马晓辉 王利 林小燕 陈玲燕 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 2004年第1期122-125,共4页

设计了一维金属/介质多层膜系,膜系由几个周期的高折射率(Al2O3)/低折射率(MgF2)材料所组成。在低折射率材料中插入金属层(Al),对膜系进行了优化,利用电子束蒸发方法制备了该膜系。实验表明,不仅Al层的总厚度直接影响透射谱的形状,在同... 设计了一维金属/介质多层膜系,膜系由几个周期的高折射率(Al2O3)/低折射率(MgF2)材料所组成。在低折射率材料中插入金属层(Al),对膜系进行了优化,利用电子束蒸发方法制备了该膜系。实验表明,不仅Al层的总厚度直接影响透射谱的形状,在同样Al层总厚度情况下,Al层厚度分布对膜系也有影响。寻找到了最佳Al层分布结果,并通过了实验验证,制备出了能很好抑止BaF2晶体发射光谱的长波成分的膜系。 展开更多

关键词 多层膜 金属薄膜 介质薄膜 BaF2闪烁晶体 铝层

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多层对称薄膜的光子晶体光波导设计 被引量：2

11

作者 刘道军 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期225-228,共4页

基于多层对称薄膜的反射镜作用，设计了一种工作波长位于1550nm附近的基于周期性多层膜的光子晶体光波导。由平板波导的相关理论分析了波长在1515-587nm范围内电磁波在波导中的传输性质。研究表明TE模和TM模在波导都是基模传输，其功率... 基于多层对称薄膜的反射镜作用，设计了一种工作波长位于1550nm附近的基于周期性多层膜的光子晶体光波导。由平板波导的相关理论分析了波长在1515-587nm范围内电磁波在波导中的传输性质。研究表明TE模和TM模在波导都是基模传输，其功率约束因子（11）限制在0．99～1之间，说明波导近乎完全将光波限制在其中传输。在控光能力上这种结构要比普通的三层薄膜波导更具优势。利用周期性多层膜的光子带隙结构，可以构造具有超低损耗的全向带隙介质光波导。 展开更多

关键词 光通信 一维光子晶体 多层对称薄膜 传输模式 功率约束因子

原文传递

基于ZnO活性层薄膜晶体管的研究进展 被引量：1

12

作者 许洪华 陈跃宁 袁广才 《沈阳师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第1期34-36,共3页

ZnO作为活性层制作薄膜晶体管(thin film transistor,简称TFT),因性能改进显著而成为新兴的研究热点.就TFT发展历史、器件典型结构以及在AMLCD中的应用、国外ZnO TFT器件的进展状况进行综述,并展望了器件的前景.

关键词 薄膜晶体管 有源矩阵液晶显示(AMLCD) ZNO 活性层

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非完整形态KH2PO4晶体薄表面层生长特性

13

作者 胡志涛 李明伟 +1 位作者 尹华伟 肖林海 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期272-277,共6页

实时观察了非完整形态的KH_2PO_4(KDP)晶体在过饱和溶液中以薄表面层生长形式恢复其结晶学形态的过程。提出了晶体形态恢复的"最小多面体原理",即:在自由生长系统中,对于非完整形态的KDP晶体,当其以薄表面层形式恢复其结晶学... 实时观察了非完整形态的KH_2PO_4(KDP)晶体在过饱和溶液中以薄表面层生长形式恢复其结晶学形态的过程。提出了晶体形态恢复的"最小多面体原理",即:在自由生长系统中,对于非完整形态的KDP晶体,当其以薄表面层形式恢复其结晶学完整形态时,薄表面层将选择相应的奇异面方向生长,使晶体形态最终恢复为一个由各结晶学显露面所围成的体积最小的凸多面体。利用PBC理论分析了生长基元在非结晶学显露面上的附着情况并阐述了锥顶处薄表面层倒垂生长的原因。结果表明,薄表面层形成与晶体非完整结晶学形态及不均匀水动力学条件相关联。柱面凹角与非正常棱边及Z切片正常棱角均可诱发产生薄表面层,且薄表面层生长终止于其所在奇异面的正常结晶学晶棱。 展开更多

关键词 薄表面层 晶体形态 KH2PO4晶体 生长习性

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棱角对NH4H2PO4晶体Z切片薄表面层生长影响的研究 被引量：3

14

作者 程高 李明伟 尹华伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1177-1183,共7页

本研究制备了具有不同形式棱角的NH_4H_2PO_4(ADP)晶体Z切片样品。通过实验,观察不同Z切片薄表面层形成及生长特性,并计算了不同棱角情况下薄表面层的切向生长速度V及其动力学系数β。结果表明,正常棱角的缺失,影响Z切片对其原有形态的&... 本研究制备了具有不同形式棱角的NH_4H_2PO_4(ADP)晶体Z切片样品。通过实验,观察不同Z切片薄表面层形成及生长特性,并计算了不同棱角情况下薄表面层的切向生长速度V及其动力学系数β。结果表明,正常棱角的缺失,影响Z切片对其原有形态的"判断",进而影响薄表面层的形成及生长;薄表面层在正常棱角处相遇形成相交角后,将主要在相交角处形成并向棱边扩展生长,表明棱角可能为薄表面层的主要生长源。此外,计算结果显示,正常棱角处薄表面层切向生长的平均生长动力学系数β_n为131.8μm/s,远大于棱角缺失后薄表面层切向生长的平均生长动力学系数β_a=11.6μm/s,即正常棱角缺失后,薄表面层的切向生长速度将大大降低。 展开更多

关键词 ADP晶体 薄表面层 棱角 生长动力学

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采用全对称测试结构的超薄单晶硅薄膜热导率测量 被引量：1

15

作者 张皓 吕志超 +3 位作者 田立林 谭志敏 刘理天 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1961-1965,共5页

改进了传统稳态加热法的测试结构,设计了带隔离槽的全对称悬空薄膜测试结构,并使用有限元工具对测试结构进行了优化.测量了室温下50和80nm厚度的单晶硅薄膜的横向热导率,分别为32和38W/(m.K),其相对体硅热导率(148W/(m.K))有明显下降,... 改进了传统稳态加热法的测试结构,设计了带隔离槽的全对称悬空薄膜测试结构,并使用有限元工具对测试结构进行了优化.测量了室温下50和80nm厚度的单晶硅薄膜的横向热导率,分别为32和38W/(m.K),其相对体硅热导率(148W/(m.K))有明显下降,实验结果与BTE(Boltzmann transport equation)的理论预测曲线吻合得很好. 展开更多

关键词 超薄单晶硅薄膜 热导率 稳态加热法

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Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制

16

作者 张玉 荆海 +4 位作者 付国柱 高博 廖燕平 李世伟 黄金英 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期37-41,共5页

采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的... 采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。 展开更多

关键词 催化化学气相沉积法 多晶硅薄膜 非晶硅孕育层 氢原子刻蚀 晶核 晶化速率

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低温铝诱导非晶硅晶化的热力学机理研究

17

作者 张力元 杨雯 +2 位作者 段良飞 杨培志 杜凯翔 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2019年第5期15-20,共6页

采用磁控溅射方法沉积了Al/Si薄膜,通过自然氧化形成中间层,再结合快速光热退火制备出微晶硅.研究了铝诱导非晶硅晶化的两个热力学过程:Si的扩散和Si的形核长大.利用拉曼散射光谱仪和X射线衍射仪对薄膜进行了结构表征.结果表明:在铝诱... 采用磁控溅射方法沉积了Al/Si薄膜,通过自然氧化形成中间层,再结合快速光热退火制备出微晶硅.研究了铝诱导非晶硅晶化的两个热力学过程:Si的扩散和Si的形核长大.利用拉曼散射光谱仪和X射线衍射仪对薄膜进行了结构表征.结果表明:在铝诱导非晶硅的晶化过程中引入中间氧化层,有利于改善晶化效果,获得晶粒较大且结构均匀的薄膜;低温下,温度对Si的扩散起决定作用,过厚的氧化层会阻碍Si的扩散,使其浓度不能达到临界形核浓度,无法使非晶硅晶化;较大的Al晶粒及Al对Si晶粒的“润湿”能在低温下诱导非晶硅晶化. 展开更多

关键词 非晶硅薄膜 磁控溅射 铝诱导晶化 热力学机理 中间氧化层

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磷酸二氢钾晶体薄表面层生长动力学实时显微研究

18

作者 胡志涛 李明伟 +1 位作者 尹华伟 刘杭 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第18期3116-3122,共7页

利用光学显微镜实时观测磷酸二氢钾(KDP)晶体柱面及锥面薄表面层的生长过程,测得不同过饱和度下薄表面层前端不同倾角的非正常棱边推移速度。结果表明:倾角越小,非正常棱边推移速度越慢,薄表面生长终止于其前端的正常棱边处;随着过饱和... 利用光学显微镜实时观测磷酸二氢钾(KDP)晶体柱面及锥面薄表面层的生长过程,测得不同过饱和度下薄表面层前端不同倾角的非正常棱边推移速度。结果表明:倾角越小,非正常棱边推移速度越慢,薄表面生长终止于其前端的正常棱边处;随着过饱和度的增大,非正常棱边推移速度线性增加。计算得到柱面及锥面薄表面层前端非正常棱边推移动力学系数,由于Eslice(010)> Eslice(101),因而柱面薄表面层的生长动力学系数大于锥面。建立了基于非奇异面上台阶生长机制下的薄表面层生长体扩散模型。应用该模型解释了薄表面层生长速度随其厚度及前端非正常棱边倾角的变化关系,并讨论了溶液流动对薄表面层生长的影响。结果发现薄表面层生长存在一个使其以恒定厚度向前推移的临界厚度。 展开更多

关键词 薄表面层 生长动力学 光学显微镜 磷酸二氢钾晶体 体扩散

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甲基紫的薄层色谱分离

19

作者 李怀娜 纪秀华 《曲阜师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1990年第3期70-74,共5页

本工作利用以硅胶G为固定相的薄层色谱技术分离试剂甲基紫,以氯仿、醋酸和0.1N盐酸的混合溶液为流动相,当三者体积比为2:2:1时,分离得到六个斑点,并用紅外光谱分析证明其结构的不同。此方法可用于甲基紫混合物的分离和提纯。

关键词 甲基紫 薄层色谱 结晶紫 流动相

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薄层晶体硅双面陷光结构的制备及其性能研究 被引量：1

20

作者 戴恩琦 张帅 吕文辉 《湖州师范学院学报》 2019年第2期40-43,共4页

采用金属辅助硅化学刻蚀法,在薄层晶体硅片前后表面分别制备硅纳米陷光结构,并表征其增强薄层晶体硅对太阳光子吸收的性能.对比研究无表面织构、双面金字塔织构、双面硅纳米织构的薄层晶体硅的漫反射光谱与透射光谱,结果表明,双面硅纳... 采用金属辅助硅化学刻蚀法,在薄层晶体硅片前后表面分别制备硅纳米陷光结构,并表征其增强薄层晶体硅对太阳光子吸收的性能.对比研究无表面织构、双面金字塔织构、双面硅纳米织构的薄层晶体硅的漫反射光谱与透射光谱,结果表明,双面硅纳米织构的薄层晶体硅具有卓越的光吸收性能,～70μm厚度的薄层晶体硅片能够吸收93.4%的AM1.5G太阳光子.该研究结果为解决晶硅太阳电池中的光学损失问题提供了一种可供选择的陷光结构. 展开更多

关键词 薄层晶体硅 表面织构 光诱捕性能

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