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Ce^3+/Yb^3+共掺LiLuF4单晶的紫外和近红外发光研究 被引量:1
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作者 周雄 方立志 +4 位作者 黄双武 夏海平 胡建旭 章践立 陈宝玖 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期556-560,共5页
采用改进的坩埚下降法成功生长了Ce^3+/Yb^3+离子双掺杂LiLuF4单晶, Ce^3+的初始离子掺杂浓度为0.1mol%,Yb^3+离子浓度从0变化到2.0mol%。在波长291 nm激发时观察到Yb^3+在1020 nm(2F5/2→2F7/2)附近的强近红外发射以及Ce^3+在300~350 n... 采用改进的坩埚下降法成功生长了Ce^3+/Yb^3+离子双掺杂LiLuF4单晶, Ce^3+的初始离子掺杂浓度为0.1mol%,Yb^3+离子浓度从0变化到2.0mol%。在波长291 nm激发时观察到Yb^3+在1020 nm(2F5/2→2F7/2)附近的强近红外发射以及Ce^3+在300~350 nm(5d→4f)的紫外发射。通过吸收光谱、荧光光谱研究了Yb^3+离子掺杂浓度对Ce^3+/Yb^3+共掺杂LiLuF4单晶光谱性质的影响及Ce^3+到Yb^3+离子的能量转移机理。通过变温光谱的研究发现,当环境温度从298 K增加到443K时,其荧光发射强度不断降低。Ce^3+/Yb^3+共掺杂LiLuF4单晶发光波长主要位于紫外和近红外,这种独特的发光属性可望用于防伪技术和公共安全事务中。 展开更多
关键词 Ce^3+/Yb^3+ 紫外和近红外发射 liluf4单晶 能量转移
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Optical Spectroscopy of Pr3+ Ion Singly Doped LiLuF4 Single Crystal by Bridgman Method 被引量:1
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作者 Li-zhi Fang Xiong Zhou +3 位作者 Hai-ping Xia Jian-xu Hu Jian-li Zhang Bao-jiu Chen 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2019年第6期661-666,I0002,共7页
High quality LiLuF4 single crystals doped with various Pr3+ ions were synthesized by a vertical Bridgman method in completely sealed platinum crucibles. The excitation spectra spans from 420 nm to 500 nm. The prepared... High quality LiLuF4 single crystals doped with various Pr3+ ions were synthesized by a vertical Bridgman method in completely sealed platinum crucibles. The excitation spectra spans from 420 nm to 500 nm. The prepared single crystals exhibit a blue band at 480 nm(3P0→3H4), a green band at 522 nm (3P1→3H5), and a red band at 605 nm (1D2→3H4)when excited at 446 nm;their corresponding average lifetimes are 38.5μs, 37.3μs, and 36.8μs, respectively, which are much longer than those in oxide single crystals. The effects of excitation wavelength and doping concentration on emission intensities and chromaticity coordinates are investigated. The optimal Pr3+ concentration is confirmed to be 0.5%.The temperature dependent emission shows that the emission intensity constantly decreases with the increase of temperature from 298 K to 443 K due to the enhancement of nonradiative quenching at high temperature. The 3P0→3H4 transition is the most vulnerable to temperature, followed by the 3P1→3H5 transition and 1D2→3H4 transition. 展开更多
关键词 Pr3+ ion liluf4 single crystal Optical spectroscopy
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强上转换发光的LiLu_(1-x)Yb_xF_4∶Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的制备 被引量:4
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作者 翟雪松 刘世虎 +3 位作者 范柳燕 刘杰 焦宝祥 王丽丽 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1149-1154,共6页
利用高温热分解法制备了LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶。在980nm激光激发下,与未包覆的样品相比,LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的发光增强了15倍左右,这主要是因为通过惰性壳层的包覆可以有效抑制表面猝灭效应。另外,随着核中Yb... 利用高温热分解法制备了LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶。在980nm激光激发下,与未包覆的样品相比,LiLuF_4∶Yb,Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的发光增强了15倍左右,这主要是因为通过惰性壳层的包覆可以有效抑制表面猝灭效应。另外,随着核中Yb^(3+)离子的摩尔分数从20%增加到100%,上转换发光强度逐渐增大,最大增加了12.4倍左右。这主要是由于增加Yb^(3+)离子的浓度可以增加纳米粒子对激发光的吸收和提高Yb^(3+)到Tm^(3+)的能量传递速率。所制备的LiYbF_4∶2%Tm@LiGdF_4核壳纳米晶的发光效率高达4%。 展开更多
关键词 上转换发光 核壳纳米晶 liluf4 掺杂浓度
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CF4气氛中生长Re:LiM(Re=Tm,Ce;M=Lu,Y)F4晶体
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作者 那木吉拉图 阮永丰 +3 位作者 苏小平 杨海 杨鹏 李楠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期700-704,共5页
本文在CF4气氛中以提拉法成功地生长出高质量的掺入Tm3+、Ce3+的LiLuF4和LiYF4晶体,对比了Ar和CF4气氛中生长的LiYF4晶体的红外光谱特性,讨论了CF4气氛对LiM(M=Y,Lu)F4晶体生长的影响。同时测试了Tm3+、Ce3+在LiLuF4和LiYF4晶体中的有... 本文在CF4气氛中以提拉法成功地生长出高质量的掺入Tm3+、Ce3+的LiLuF4和LiYF4晶体,对比了Ar和CF4气氛中生长的LiYF4晶体的红外光谱特性,讨论了CF4气氛对LiM(M=Y,Lu)F4晶体生长的影响。同时测试了Tm3+、Ce3+在LiLuF4和LiYF4晶体中的有效分凝系数,从离子半径和晶胞畸变的角度,讨论了Tm3+、Ce3+在LiLuF4和LiYF4晶体中有效分凝系数差别的产生原因。 展开更多
关键词 LiYF4 liluf4 晶体生长 有效分凝系数
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不同掺杂浓度Tm^(3+):LiLuF_4单晶的1800nm荧光发射(英文) 被引量:2
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作者 李珊珊 夏海平 +7 位作者 符立 董艳明 张加忠 谷雪梅 章践立 王冬杰 江浩川 陈宝玖 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1752-1757,共6页
采用坩埚下降法生长了Tm3+掺杂浓度为0.45%,0.90%,1.63%与3.25%(摩尔分数,x)的LiLuF4单晶.测试了样品的电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、X射线衍射(XRD)谱、吸收光谱(1400-2000 nm),并且分析比较了808 nm半导体激光器(LD)激发... 采用坩埚下降法生长了Tm3+掺杂浓度为0.45%,0.90%,1.63%与3.25%(摩尔分数,x)的LiLuF4单晶.测试了样品的电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)、X射线衍射(XRD)谱、吸收光谱(1400-2000 nm),并且分析比较了808 nm半导体激光器(LD)激发下荧光光谱.结果表明:当Tm3+的浓度从0.45%变化到3.25%时,1800 nm处的荧光强度呈现了先增后减的趋势,当掺杂浓度约为0.90%时达到最大值,而位于1470 nm处的荧光强度则呈现了相反的趋势.Tm3+:3F4能级的荧光衰减寿命随着掺杂浓度的增加不断减小.1800 nm处的这种荧光强度变化归结于Tm3+离子间的交叉驰豫效应(3H6,3H4→3F4,3F4)和自身的浓度猝灭效应.同时计算得到了浓度为0.90%的样品在1890 nm处的最大发射截面为0.392×10-20cm2.并且根据Judd-Ofelt理论所得寿命和测定的荧光寿命计算得到了3F4→3H6的最大量子效率约为120%. 展开更多
关键词 TM^3+ liluf4单晶 交叉驰豫 荧光强度 浓度猝灭
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二极管泵浦的Ho^(3+),Pr^(3+):LiLuF_4 3μm激光 被引量:1
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作者 王胜利 滕琴 +1 位作者 桂林 唐玉龙 《上海第二工业大学学报》 2016年第4期326-329,共4页
根据3μm连续激光产生机理和对基质材料要求,结合1.9μm和1.1μm激光二极管泵浦掺Ho^(3+)材料结果,采用1.1μm激光二极管泵浦Ho^(3+),Pr^(3+):Li Lu F4晶体,产生3μm激光。实验用泵源波长为1.140~1.150μm,带宽为5 nm,功率为0~10 W,... 根据3μm连续激光产生机理和对基质材料要求,结合1.9μm和1.1μm激光二极管泵浦掺Ho^(3+)材料结果,采用1.1μm激光二极管泵浦Ho^(3+),Pr^(3+):Li Lu F4晶体,产生3μm激光。实验用泵源波长为1.140~1.150μm,带宽为5 nm,功率为0~10 W,光纤耦合输出;Ho^(3+),Pr^(3+):Li Lu F4晶体体积为3 mm×3 mm×30 mm,Ho^(3+)离子掺杂原子百分含量为2%,Pr^(3+)离子掺杂原子百分含量为0.6%;实验获得波长为2 934 nm连续激光输出,最大功率达到50 m W,斜率效率为22.6%,最大功率时,光束的质量M2因子约为4。 展开更多
关键词 二极管泵浦 Ho3+ Pr3+:liluf4晶体 固体激光
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Optical high-resolution spectroscopic study of Tm^(3+) crystal-field levels in LiLuF_4 被引量:2
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作者 D.S.Pytalev S.A.Klimin M.N.Popova 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第4期624-626,共3页
We report on the fast high-resohition study of LiLuF4:Tm3+. The accurate energy level scheme of Tm3+ in the LiLuF4 matrix was obtained for the 3H6.5.4, 3F4.3.2, and ^1G4 multiplets. It was shown that electric-dipol... We report on the fast high-resohition study of LiLuF4:Tm3+. The accurate energy level scheme of Tm3+ in the LiLuF4 matrix was obtained for the 3H6.5.4, 3F4.3.2, and ^1G4 multiplets. It was shown that electric-dipole transitions dominate for all the studied multiplets except the 3H5 one. 展开更多
关键词 Fourier-transform spectroscopy Tm^3+ crystal-field levels liluf4 rare earths
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Ce^(3+)掺杂LiLuF_4氟氧微晶玻璃的发光性质
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作者 李杨 黄立辉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期387-391,共5页
通过熔融法以及热处理,制备了Ce^(3+)掺杂含Li Lu F_4纳米晶的透明氟氧微晶玻璃。XRD结果表明,玻璃中析出的晶相为Li Lu F_4,其晶粒大小随热处理温度的升高和时间的延长而变大。在330 nm紫外光激发下,Ce^(3+)掺杂的氟氧玻璃和Li Lu F4... 通过熔融法以及热处理,制备了Ce^(3+)掺杂含Li Lu F_4纳米晶的透明氟氧微晶玻璃。XRD结果表明,玻璃中析出的晶相为Li Lu F_4,其晶粒大小随热处理温度的升高和时间的延长而变大。在330 nm紫外光激发下,Ce^(3+)掺杂的氟氧玻璃和Li Lu F4微晶玻璃的发射为一峰值波长为370 nm的宽带光谱。微晶玻璃的发光强度显著高于未经过热处理的基础玻璃,并且随着热处理温度的升高及时间的延长,微晶玻璃的发光逐渐增强。微晶玻璃的370 nm发射的荧光寿命均长于基础玻璃的。 展开更多
关键词 CE^3+ 微晶玻璃 liluf4纳米晶 发光性质
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基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho…LiLuF_4激光器 被引量:4
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作者 令维军 夏涛 +5 位作者 董忠 左银艳 李可 刘勍 路飞平 王勇刚 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期174-179,共6页
利用垂直生长法制备的氧化石墨烯(GO)作为可饱和吸收体,结合特殊设计的低阈值谐振腔,在Tm,Ho…LiLuF_4全固态激光器中实现了低阈值被动调Q锁模运转。出光阈值功率低至73mW,稳定锁模阈值功率为663mW,对应GO可饱和吸收体上功率密度为76.4... 利用垂直生长法制备的氧化石墨烯(GO)作为可饱和吸收体,结合特殊设计的低阈值谐振腔,在Tm,Ho…LiLuF_4全固态激光器中实现了低阈值被动调Q锁模运转。出光阈值功率低至73mW,稳定锁模阈值功率为663mW,对应GO可饱和吸收体上功率密度为76.4μJ·cm^(-2)。典型的调Q脉冲包络重复频率为104.2kHz,脉宽约为30μs,包络下锁模脉冲序列的重复频率为178.6 MHz,调制深度接近100%。 展开更多
关键词 激光器 低阚值 Tm Ho:liluf4激光器 氧化石墨烯 调Q锁模 可饱和吸收体
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