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低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究 被引量：7
1
作者 郑伟艳 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 串利伟 魏文浩 岳红维 曹冠龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第24期3472-3474,共3页
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.3... 随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。 展开更多
关键词 低压 碱性 铜布线化学机械平坦化 高低差 速率
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ULSI多层铜布线CMP影响因素分析研究 被引量：8
2
作者 刘博 刘玉岭 +2 位作者 孙鸣 贾英茜 刘长宇 《微纳电子技术》 CAS 2006年第9期442-446,共5页
研究了ULSI多层互连工艺中铜布线的CMP的机理;对影响抛光速率和抛光后表面状态的诸因素,如抛光条件、抛光方式和抛光耗材进行了分析;特别针对抛光液对铜布线CMP的影响,提出了目前存在的主要问题,并对未来的研究方向和研究内容进行了展望。
关键词 甚大规模集成 化学机械抛光 铜布线 抛光液
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铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究 被引量：7
3
作者 庞恩文 林晶 +2 位作者 汪荣昌 戎瑞芬 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期78-81,共4页
从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的 60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果 ,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制。研究发现 ,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着关键的作用... 从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的 60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果 ,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制。研究发现 ,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着关键的作用。本研究还得到了能有效阻挡铜硅接触的钽膜的淀积速率。 展开更多
关键词 铜布线 扩散阻挡层 钽 薄膜
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铜布线化学机械抛光技术分析 被引量：5
4
作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期896-901,共6页
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组... 对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。 展开更多
关键词 技术分析 化学机械抛光(CMP) 铜布线 甚大规模集成电路 材料去除机理 腐蚀抑制剂 碱性抛光液 研究成果 组成成分 H2O2 研究情况 研究重点 平坦化 重分析 氧化剂
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ULSI碱性抛光液对铜布线平坦化的影响研究 被引量：3
5
作者 唐心亮 智兆华 +3 位作者 刘玉岭 胡轶 刘效岩 王立冉 《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第4期380-383,共4页
研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的... 研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析,采用40 nm粒径的硅溶胶作为磨料,H2O2作为氧化剂,还包含螯合剂和FA/O表面活性剂作为抛光液。分析了工艺条件(包括压力、流量、转速、温度等)和抛光液(H2O2、有机碱、磨料粒径)对抛光过程的影响。通过实验结果,确定了相应的实验条件和抛光液来解决铜化学机械抛光过程中出现的碟形坑等问题,分析了表面活性剂对表面粗糙度的影响。 展开更多
关键词 碱性抛光液 工艺参数 铜布线平坦化 化学机械抛光
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碱性抛光液中H_2O_2对铜布线CMP的影响 被引量：3
6
作者 岳红维 王胜利 +4 位作者 刘玉岭 王辰伟 尹康达 郑伟艳 串利伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第8期553-556,共4页
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作... 化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差。此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响。研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定。 展开更多
关键词 铜布线 化学机械平坦化(CMP) 碱性抛光液 H2O2 高低差
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集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料 被引量：1
7
作者 刘玉岭 牛新环 +3 位作者 檀柏梅 周建伟 王胜利 王娟 《天津科技》 2011年第2期37-38,共2页
探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处。该项目成果已在中科院微电子所、台湾科技大学及平坦化协会和美国硅谷研发中心(SVTC)与目前国际上以Ca... 探讨了集成电路铜布线与衬底碱性化学机械平坦化关键技术与材料项目的研发背景,针对理论研究的进展进行综述,指出了项目的创新之处。该项目成果已在中科院微电子所、台湾科技大学及平坦化协会和美国硅谷研发中心(SVTC)与目前国际上以Cabot公司为代表的酸性浆料进行了评估验证,获中国及美国发明专利和近10年的应用基础。 展开更多
关键词 集成电路铜布线 衬底碱性 化学机械平坦化 微电子技术
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LTCC铜布线N2烧结研究 被引量：1
8
作者 徐忠华 马莒生 +1 位作者 韩振宇 唐祥云 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期496-498,共3页
研究了LTCC(低温共烧玻璃 -陶瓷 )N2 气氛下基片排胶效果与铜布线质量。用综合热分析仪分析了LTCC基片N2 烧结 ,发现有机物的排放集中在 1 5 0～ 5 0 0℃区段 ;烧结试样微观断面形貌及能谱分析表明 ,干N2 烧结后 ,基片中残留许多游离C ... 研究了LTCC(低温共烧玻璃 -陶瓷 )N2 气氛下基片排胶效果与铜布线质量。用综合热分析仪分析了LTCC基片N2 烧结 ,发现有机物的排放集中在 1 5 0～ 5 0 0℃区段 ;烧结试样微观断面形貌及能谱分析表明 ,干N2 烧结后 ,基片中残留许多游离C ,严重影响了基片强度及基片与Cu布线的界面结合 ;湿N2 烧结后 ,基片排胶完全 ,但Cu布线发生了较为严重的氧化。 展开更多
关键词 玻璃-陶瓷 基片 铜布线 氧化
全文增补中
铜布线及其设备 被引量：8
9
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 1999年第3期13-15,18,共4页
介绍 Ｉ Ｃ 铝布线所存在的问题，采用铜布线替代铝布线是发展趋势，并就世界主要半导体公司已经和正在推出的多种铜布线 Ｉ Ｃ，以及相关设备作一简介。
关键词 铜布线 IC 设备 制造工艺
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纳米工艺提高了LSI铜布线的可靠性 被引量：1
10
作者 Ralph Raiola 《今日电子》 2003年第5期3-3,共1页
关键词 LSI 铜布线 可靠性 纳米工艺 钛薄膜
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超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
11
《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2005年第1期85-85,共1页
一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：（质量分数）磨料18%-50%，螯合剂0．1％～10％，络合剂0．005％～25％，活性剂0．1％～10％，氧化剂l％～20％，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高... 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：（质量分数）磨料18%-50%，螯合剂0．1％～10％，络合剂0．005％～25％，活性剂0．1％～10％，氧化剂l％～20％，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低，用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。 展开更多
关键词 全局平面化 铜布线 超大规模集成电路 抛光液 多层 速率 络合剂 易清洗 去离子水 质量分数
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抛光时间对多层铜布线阻挡层CMP效果的影响
12
作者 刘光耀 王辰伟 +4 位作者 周建伟 魏艺璇 张新颖 刘志 刘玉岭 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第2期298-304,共7页
为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s... 为了提升多层铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)的平坦化效果,以获得平坦度高和质量好的表面,研究了不同抛光时间对阻挡层抛光后平坦化效果和表面质量的影响。CMP实验使用自主研发的碱性抛光液,固定抛光液组分不变,在60 s、40 s+20 s与30 s+30 s三种不同抛光时间下对阻挡层材料和图形片进行了CMP实验。实验结果表明,改变抛光时间可以提高Cu去除速率和降低正硅酸乙酯(TEOS)去除速率;其中40 s+20 s抛光后碟形坑和蚀坑深度修正分别约为40 nm和20 nm;铜沟槽内铜线条剩余厚度为225.7 nm,基本与工业生产目标值225 nm相匹配;图形片CMP后表面缺陷数量降低至189颗;铜镀膜片抛光后表面粗糙度降低至0.351 nm。 展开更多
关键词 化学机械抛光(CMP) 铜布线 阻挡层 抛光工艺 碱性抛光液 表面质量
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传输损耗约降8dB／m面向高速线路板的铜布线展示
13
《印制电路资讯》 2005年第4期43-43,共1页
日本日立化成工业展出了面向传输高速信号的印刷电路板，采用LOW Profile设计的铜(Cu)布线。其特点是，在传输5GHz高速信号时，传输损耗可比普通铜布线减少8dB／m。所谓Profile就是指铜布线表面的凹凸，该展品的凹凸仅为11μm～1．5μm... 日本日立化成工业展出了面向传输高速信号的印刷电路板，采用LOW Profile设计的铜(Cu)布线。其特点是，在传输5GHz高速信号时，传输损耗可比普通铜布线减少8dB／m。所谓Profile就是指铜布线表面的凹凸，该展品的凹凸仅为11μm～1．5μm。普通铜布线的凹凸为7μm～8μm，就算是凹凸较小的也在2．7μm～3．3μm的程度。 展开更多
关键词 传输损耗 铜布线 高速线路板 面向 PROFILE 展示 印刷电路板 信号 日立
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0.13μm时代的铜布线工艺与课题
14
作者 绍 《电子产品世界》 2001年第8期56-56,共1页
关键词 0.13μm 工艺 铜布线
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东芝公开了利用自组织隔离膜的铜布线技术面向32nm工艺的应用
15
《电子工业专用设备》 2007年第10期28-29,共2页
据日经BP社报道，东芝在CEATEC JAPAN2007上展示了使用自组织隔离膜的铜布线技术。计划应用于2009至2010年投入量产的32nm工艺。此次展示了通过45nm工艺形成双层铜布线的300mm晶圆。
关键词 铜布线技术 隔离膜 自组织 工艺 应用 东芝 300MM晶圆 投入量
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铜布线面临生产实际挑战
16
作者 Johnson 《世界电子元器件》 2002年第2期62-63,共2页
铜布线工艺 在集成电路布线中,铝被广泛使用,其布线工艺较为简单.1997年9月,IBM公司率先推出一种称为CMOS7S的新技术,该技术在集成电路设计中采用铜代替铝作为外部导电材料,使电路布线的尺寸更加微小,芯片处理逻辑运算的能力更强.
关键词 铜布线 集成电路 布线 防护 氧化物 电介质
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莫托洛拉采用铜布线技术制作高速SRAM
17
《微电子技术》 1998年第6期20-20,共1页
关键词 铜布线 高速SRAM 技术制作 电流密度 微细化 下一代服务 可靠性 CMOSSRAM SRAM单元 加工速度
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铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用 被引量：6
18
作者 张兆强 郑国祥 +3 位作者 黄榕旭 杨兴 邵丙铣 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期407-414,共8页
近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 。
关键词 镶嵌技术 铜互连布线 深亚微米 集成电路工艺
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大尺寸触控面板用铜布线薄膜的制备
19
作者 曾海军 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期296-298,共3页
介绍了一种高透光、电阻小,可用于触摸面板大型化的透明导电性薄膜的制造工艺,即在PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜上形成肉眼不可见的铜网。其工艺流程主要包括低温等离子体表面清洗,磁控溅射Ni–Cr过渡层及Cu植晶层,硫酸盐镀铜层,光刻。... 介绍了一种高透光、电阻小,可用于触摸面板大型化的透明导电性薄膜的制造工艺,即在PET(聚对苯二甲酸乙二酯)薄膜上形成肉眼不可见的铜网。其工艺流程主要包括低温等离子体表面清洗,磁控溅射Ni–Cr过渡层及Cu植晶层,硫酸盐镀铜层,光刻。所得铜布线薄膜的性能超过了一般ITO(氧化铟锡)膜的性能。 展开更多
关键词 触控面板 铜布线薄膜 聚对苯二甲酸乙二酯 磁控 溅射 电镀铜 光刻 表面电阻
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铜布线芯片制造技术——未来电子工业的变革力量
20
作者 李建中 《微电脑世界》 1999年第4期57-57,共1页
在1997年IBM声明它将芯片内部的铝布线用铜线代替来改进它的芯片之后,新的芯片制造技术可能真正使电子工业产生突破性变革。铜布线的思想对于电气专家来说似乎是显然的,因为铜是比铝更优良的导体。
关键词 芯片制造技术 铜布线 电子工业 变革力量 铜线 导体 电气 绝缘体 仪表 思想
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