0.13μm时代的铜布线工艺与课题
Copper wiring process and its tasks in the 0.13um era
出处
《电子产品世界》
2001年第8期56-56,共1页
Electronic Engineering & Product World
-
1施劲松,胡越明.微处理器芯片技术的发展及展望[J].微型电脑应用,2002,18(12):5-6.
-
2庞恩文,林晶,汪荣昌,戎瑞芬,宗祥福.铜布线工艺中阻挡层钽膜的研究[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):78-81. 被引量:7
-
3Johnson.铜布线面临生产实际挑战[J].世界电子元器件,2002(2):62-63.
-
4名词术语释义——大马士革镶嵌工艺[J].微纳电子技术,2006,43(9):446-446.
-
5王弘英,刘玉岭,郝景晨,魏碧华.ULSI制备中铜布线的两步抛光技术[J].Journal of Semiconductors,2003,24(4):433-437. 被引量:5
-
6庞恩文,林晶,吉小松,汪荣昌,戎瑞芬,宗祥福.钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):185-188. 被引量:3
-
7唐建新,王晓艳,程秀兰.45nm双大马士革Cu互连逆流电迁移双峰现象及改善[J].半导体技术,2013,38(2):153-158.
-
8林晓玲,肖庆中,恩云飞,姚若河.倒装芯片塑料球栅阵列封装器件在外应力下的失效机理[J].物理学报,2012,61(12):578-584. 被引量:4