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喷墨印刷/软光刻技术结合气相聚合法制备聚3,4-乙撑二氧噻吩图像 被引量:3
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作者 Jong Seob Choi Kuk Young Cho +1 位作者 Jin-Heong Yim 孟维华(编译) 《中国印刷与包装研究》 CAS 2010年第4期99-100,共2页
采用气相聚合,以咪唑衍生物为辅助料可以成功制备高导电透明的聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)薄膜。带有1~2个烷基官能团的咪唑衍生物的加入可以显著提高PEDOT的电导率。为了研制一种易于实现的PEDOT成像法,本文采用了喷墨印刷或软光刻技... 采用气相聚合,以咪唑衍生物为辅助料可以成功制备高导电透明的聚3,4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)薄膜。带有1~2个烷基官能团的咪唑衍生物的加入可以显著提高PEDOT的电导率。为了研制一种易于实现的PEDOT成像法,本文采用了喷墨印刷或软光刻技术结合气相聚合法,并以带取代基的对甲苯磺酸铁为氧化剂,3,4-乙撑二氧噻吩为聚合单体来制备PEDOT图像。这种新型方法的实现将为制得本征导电高分子材料图像提供一个高效便捷的方法。 展开更多
关键词 咪唑衍生物 喷墨印刷 聚3 4-乙撑二氧噻吩 软光刻技术 气相聚合
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一款基于软光刻技术的液态金属天线 被引量:2
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作者 李峰 李晓丹 《电子技术应用》 2019年第2期67-70,共4页
提出一种新型的频率可重构的微带贴片天线,以液态金属合金和高度可拉伸的弹性体分别作为辐射贴片和介质基板。液态金属使用的是由质量比为75%的镓和25%的铟组成的共晶镓铟合金(EGaIn),弹性体为聚二甲基硅氧烷(PDMS),通过实验测量了PDMS... 提出一种新型的频率可重构的微带贴片天线,以液态金属合金和高度可拉伸的弹性体分别作为辐射贴片和介质基板。液态金属使用的是由质量比为75%的镓和25%的铟组成的共晶镓铟合金(EGaIn),弹性体为聚二甲基硅氧烷(PDMS),通过实验测量了PDMS在3种配比下的拉伸量,当质量比为10:1时,PDMS的粘性较低,拉伸性较好。采用软光刻技术制备天线的PDMS模型,然后进行表面处理,使其能够更好地封装,最后将EGaIn包裹在PDMS中形成天线。在PDMS的拉伸极限内,通过对微带天线进行轴向拉伸,随着长度的增加,谐振频率逐渐降低,在4~6 GHz范围内实现了频率可重构。 展开更多
关键词 柔性微带天线 频率可重构 液态金属合金 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 软光刻技术
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软X射线投影光刻技术
3
作者 王占山 曹健林 《科技导报》 CAS CSCD 1997年第9期9-11,共3页
关键词 大规模集成电路芯片 X射线投影光刻技术 缩小倍率 分辨率
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角度定量化估算软光刻PDMS印章的平面变形扭曲
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作者 蒋欢妹 贺全国 《微纳电子技术》 CAS 2007年第4期200-205,216,共7页
引进与平面图案变形扭曲大小相称的角度参数θ,提出了一种对软光刻技术中PDMS印章的角度平面扭曲进行定量评价的方法。聚二甲基硅氧烷(PDMS)平面印章的单个图案的平均扭曲角(绝对扭曲角θ1)和相邻图案间的扭曲角(相对扭曲角θ2)由角度... 引进与平面图案变形扭曲大小相称的角度参数θ,提出了一种对软光刻技术中PDMS印章的角度平面扭曲进行定量评价的方法。聚二甲基硅氧烷(PDMS)平面印章的单个图案的平均扭曲角(绝对扭曲角θ1)和相邻图案间的扭曲角(相对扭曲角θ2)由角度参数θ的差值(θ)决定。经四种不同粘附固定处理的PDMS印章中进行角度定量估算比较,发现采用硅烷修饰的玻璃板基板制备的PDMS印章显示很强的粘附性和最小的平面变形扭曲,其绝对扭曲角度θ1为3.98×10-3,相对扭曲角θ2为1.22×10-3。研究结果表明,角度定量化估算可实现软光刻中图案平面变形扭曲的定量评价和比较,并通用于弹性印章基板筛分选择。 展开更多
关键词 扭曲 PDMS印章 角度量化 硅烷修饰玻璃 软光刻技术
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静电场诱导光刻技术实现曲面光栅结构的制备 被引量:1
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作者 李和福 赵楠 +3 位作者 田存伟 冯振豹 于会山 王文军 《聊城大学学报(自然科学版)》 2018年第4期52-57,共6页
利用软光刻技术在凸面基底上制备了光栅结构.以此凸面基底上制备的光栅结构作为模板,利用静电场诱导光刻技术实现了凹面基底上光栅结构的制备.光栅模板结构的高度为5.3μm,线宽是6.25μm,高宽比达到0.85∶1.诱导成形光栅结构的高度为42... 利用软光刻技术在凸面基底上制备了光栅结构.以此凸面基底上制备的光栅结构作为模板,利用静电场诱导光刻技术实现了凹面基底上光栅结构的制备.光栅模板结构的高度为5.3μm,线宽是6.25μm,高宽比达到0.85∶1.诱导成形光栅结构的高度为42μm,线宽是13.35μm,高宽比高于3∶1.结果表明借助静电场诱导光刻技术可以在曲面基底上利用小高宽比的微结构模板制备出大高宽比的微结构. 展开更多
关键词 软光刻技术 静电场诱导光刻技术 光栅结构 大高宽比 曲面基底
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μTM技术在MEMS工艺中的应用
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作者 陈默 郑小林 +1 位作者 樊华 李金 《微纳电子技术》 CAS 2003年第11期30-33,共4页
介绍了软光刻技术中的一项关键技术———微传递成模(μTM),阐述了其特点、不足及其基本的工艺流程。最后通过介绍其在加工Scottky二极管阵列和光波导耦合腔中的应用,说明μTM在微加工技术中具有广泛的应用前景。
关键词 μTM技术 MEMS 软光刻技术 微传递成模 微机电系统 Scottky二极管阵列
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微细加工技术与设备
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《中国光学》 EI CAS 2003年第5期97-98,共2页
TN305 2003053940亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作=Fabrication of submicronelements by ion beam etching[刊,中]/曹召良(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022)),陆广…//光子学报.—2003,32(6).—653-656采用... TN305 2003053940亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作=Fabrication of submicronelements by ion beam etching[刊,中]/曹召良(中科院长春光机所应用光学国家重点实验室.吉林,长春(130022)),陆广…//光子学报.—2003,32(6).—653-656采用软光刻技术中的微接触印刷(μCP)技术,表面诱导的水蒸气冷凝,表面诱导的去湿行为,在金基底上制作出了亚微米的环状周期结构聚合物掩膜。通过对离子束刻蚀过程中各个参量对刻蚀元件的表面光洁度。 展开更多
关键词 离子束刻蚀 刻蚀速率 光子学 微接触印刷 表面光洁度 软光刻技术 微米尺寸 应用光学 水蒸气冷凝 激光直写
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聚合物弹性印章的制作工艺 被引量:1
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作者 唐海林 丁元萍 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2008年第2期118-120,共3页
为了解决软光刻技术中核心元件弹性印章的制备技术,对SU-8胶印模和聚合物弹性印章进行了工艺研究.通过多次实验和测量,获得了制作SU-8胶印模和聚合物弹性印章的稳定工艺参数,得到了表面形貌好、线条控制精确的SU-8胶印模和聚合物弹性印... 为了解决软光刻技术中核心元件弹性印章的制备技术,对SU-8胶印模和聚合物弹性印章进行了工艺研究.通过多次实验和测量,获得了制作SU-8胶印模和聚合物弹性印章的稳定工艺参数,得到了表面形貌好、线条控制精确的SU-8胶印模和聚合物弹性印章样品.弹性印章特征线条尺寸在长宽高方向上为70 mm×50μm×42μm,完全可满足软光刻技术要求,这为软刻蚀技术的进一步开发打下了良好的基础. 展开更多
关键词 软光刻技术 弹性印章 聚二甲基硅氧烷 SU-8胶印模
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MEMS高温温度传感器的研制与测量精度研究 被引量:12
9
作者 邵靖 段力 +9 位作者 王强 郑芳芳 谢开成 王云生 陶闻钟 高均超 胡铭楷 张丛春 汪红 丁桂甫 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1352-1358,共7页
航空发动机智能化及其他机械系统的智能化需要原位集成制造的传感器,为此研制了发动机涡轮叶片原位集成高温传感器。该高温传感器采用MEMS微制造工艺将厚度在微米量级的微小传感器原位集成在航空发动机涡轮叶片表面,利用微技术制造的传... 航空发动机智能化及其他机械系统的智能化需要原位集成制造的传感器,为此研制了发动机涡轮叶片原位集成高温传感器。该高温传感器采用MEMS微制造工艺将厚度在微米量级的微小传感器原位集成在航空发动机涡轮叶片表面,利用微技术制造的传感器和标准的热电偶进行了一系列的高温测量试验和一系列细致的高温温度表征测量研究。该微制造工艺攻克了两项技术难关:曲表面的光刻技术和高温绝缘层的制作技术。涡轮叶片表面原位集成的微传感器不仅可以原位测量高达800℃的环境温度,并且具有很高的机械强度,可以承受高达40 g的振动和100 g的冲力。研究还表明,在高温测量环境下,高温测量精度和高温环境下的温度场(高温温度的空间分布与升温时间迟豫)密切相关。由于高温环境温度场的差异,可以产生高达10%的测量本征误差。 展开更多
关键词 传感器 高温测量 MEMS 微制造工艺 软光刻技术 铂金热电阻
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自溯源光栅标准物质及其应用 被引量:6
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作者 邓晓 李同保 程鑫彬 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第21期2608-2625,共18页
纳米计量技术是纳米尺度上的精密测量技术,是先进纳米制造技术的基础。其中,溯源性是纳米计量的基础问题,而研制纳米计量标准物质是实现纳米测量溯源性传递、保证纳米几何量值测试的统一性和准确性的关键环节。为适应纳米计量扁平化量... 纳米计量技术是纳米尺度上的精密测量技术,是先进纳米制造技术的基础。其中,溯源性是纳米计量的基础问题,而研制纳米计量标准物质是实现纳米测量溯源性传递、保证纳米几何量值测试的统一性和准确性的关键环节。为适应纳米计量扁平化量值传递溯源的要求,基于铬跃迁频率,采用原子光刻技术和软X射线干涉技术制备了1D 212.8 nm,2D 212.8 nm,1D 106.4 nm 3种自溯源光栅标准物质;在多层膜沉积技术研制硅纳米线宽结构的基础上,探索了基于硅晶格常数的硅纳米线宽自溯源型测量方法。在应用领域,开展了自溯源光栅对扫描探针显微镜、扫描电子显微镜等高精密测量仪器的校准研究。研究结果表明,自溯源型标准物质及其测量方法缩短了精密仪器和加工技术过程中的纳米长度计量溯源链,是先进纳米制造和新一代信息技术的有力支撑。 展开更多
关键词 纳米科技 纳米计量 自溯源标准物质 原子光刻技术 X射线干涉光刻技术 多层膜沉积技术
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