氟化钡晶体真空紫外透过率温度特性研究 被引量：5

1

作者 彭如意 付利平 陶冶 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期713-716,共4页

真空紫外波段存在几个可用于研究电离层物理现象的重要光谱,其中135.6nm的夜气辉是重要的探测谱段,通过对该波段辐射强度的探测可反演出电离层电子密度(TEC)及F2层峰值电子密度。夜气辉发射线中,130.4nm的发射线与135.6nm光谱间隔很近,... 真空紫外波段存在几个可用于研究电离层物理现象的重要光谱,其中135.6nm的夜气辉是重要的探测谱段,通过对该波段辐射强度的探测可反演出电离层电子密度(TEC)及F2层峰值电子密度。夜气辉发射线中,130.4nm的发射线与135.6nm光谱间隔很近,发射强度与135.6nm强度相当,因此,要实现对135.6nm夜气辉探测需要抑制130.4nm气辉辐射。分别对0.5和1mm厚的真空紫外级别的氟化钡晶体窗口透过率随温度变化特性进行研究,结果表明,氟化钡晶体的短波截止波长随温度的升高向长波方向偏移,在一定温度范围内,氟化钡晶体可以很好地抑制130.4nm辐射,并在135.6nm波段有较高的透过率。与国外相关文献所报道的通过加热SrF2晶体来抑制130.4nm辐射的方式相比,利用氟化钡晶体作为短波截止滤光片,可以将130.4nm的杂散光完全抑制,同时可以降低仪器功耗,对于电离层光学遥感探测有着重要的意义。 展开更多

关键词 真空紫外 氟化钡晶体 温度 透过率

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大尺寸氟化钡晶体的生长 被引量：4

2

作者 甄西合 任绍霞 +3 位作者 刘建强 史达威 张钦辉 葛云程 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期262-263,共2页

通过软件模拟设计合理的炉体温场结构,并对晶体原料的提纯及生长工艺条件进行优化,采用改进的坩埚下降法成功地制备出了大尺寸、高质量的氟化钡晶体。晶体的透过率在0.2～10μm波长范围内高于85%,最高透过率约为94%。

关键词 氟化钡晶体 坩埚下降法 透过率

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氟化钡晶体电注入着色(英文) 被引量：1

3

作者 王娜 顾洪恩 郭美丽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期793-796,共4页

在不同的温度,电压和时间条件下,经点阴极电注入,有效地使氟化钡晶体着色。在室温下,分别对着色前后的晶体进行系统光谱测量。在着色前的氟化钡晶体中未观测到明显的吸收峰。在着色后的氟化钡晶体中,观测到大量的F和FA色心以及一些未知... 在不同的温度,电压和时间条件下,经点阴极电注入,有效地使氟化钡晶体着色。在室温下,分别对着色前后的晶体进行系统光谱测量。在着色前的氟化钡晶体中未观测到明显的吸收峰。在着色后的氟化钡晶体中,观测到大量的F和FA色心以及一些未知色心。对不同电注入温度、电压和时间条件下的着色氟化钡晶体光谱进行比较分析,得到了经点阴极电注入着色氟化钡晶体色心强度随着色温度,电压和时间的变化规律并给出了色心形成机理以及色心强度随温度、电压和时间变化机理。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 电注入 色心

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氟化钡晶体电注入着色临界温度及光谱特性 被引量：1

4

作者 王娜 顾洪恩 +1 位作者 郭美丽 刘颖娇 《物理实验》 北大核心 2009年第8期10-12,共3页

利用用自行研制的电注入实验装置,对氟化钡晶体进行电注入并使之有效着色.由基本理论得到氟化钡晶体电注入临界温度,着色氟化钡晶体产生大量F和FA色心.研究结果表明,经电注入氟化钡晶体,F色心首先在阴极附近产生,而且室温下F色心很不稳定.

关键词 氟化钡晶体 电注入 色心

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氟化钡晶体的辐照损伤与恢复

5

作者 赵元龙 谢幼玉 李培俊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期371-371,共1页

氟化钡（ＢａＦ２）晶体是碱土氟化物晶体，无色透明，属立方晶系结构，具有从真空紫外到红外波长范围的透光特性。７０年代初发现其闪烁特性并对它进行研究后发现：在ＢａＦ２晶体的发射光谱中其峰值波长为２２０ｎｍ处有一荧光衰减时... 氟化钡（ＢａＦ２）晶体是碱土氟化物晶体，无色透明，属立方晶系结构，具有从真空紫外到红外波长范围的透光特性。７０年代初发现其闪烁特性并对它进行研究后发现：在ＢａＦ２晶体的发射光谱中其峰值波长为２２０ｎｍ处有一荧光衰减时间常数为０．６ｎｓ的快成分，同时ＢａＦ２晶体又被认为是最抗辐照的无机闪烁体，使它在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用前景，从而引起了人们的兴趣。无色透明的ＢａＦ２晶体受到高能粒子或射线照射后往往会着色，使透过率降低，荧光输出减少，造成所谓的辐照损伤。我们对下述三类晶体进行了辐照损伤的试验：（１）不同条件下生产的晶体；（２）同一晶体的不同生长部位；（３）进行水解处理的晶体试验。方法是测试上述三类晶体辐照前后的吸收光谱和透射光谱，对它们进行比较。以此对辐照损伤的机理进行了讨论；对恢复ＢａＦ２晶体辐照损伤的方法也进行了试验。认为在生长工艺稳定，晶体结晶基本完整的前提下，ＢａＦ２晶体的抗辐照性能与晶体中杂质含量的多少有关；当阳离子杂质下降到一定的数量级后，晶体中氧和氢氧离子成为最有害的杂质。本文实验所用的ＢａＦ２晶体皆用真空下降法生长；用ＡｃｔｏｎＶＭ５０５，ＧｒａｐｈｉｃｏｒｄＵＶ２０４和Ｎｉｃｏｌ? 展开更多

关键词 氟化钡晶体 辐照损伤 晶体缺陷

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氟化钡晶体质子辐照损伤分布的计算 被引量：1

6

作者 杨菁菁 张晋 《杭州电子工业学院学报》 2004年第4期19-22,共4页

根据经典辐射理论,描述质子辐照BaF2晶体的能量损失,讨论受照晶体的辐照损伤分布,用MonteCarlo方法模拟碰撞过程,具体用TRIM程序分别计算出能量为1.5Mev和2.0Mev质子辐照BaF2晶体所产生的辐照损伤,对计算结果进行讨论,将这两种能量情况... 根据经典辐射理论,描述质子辐照BaF2晶体的能量损失,讨论受照晶体的辐照损伤分布,用MonteCarlo方法模拟碰撞过程,具体用TRIM程序分别计算出能量为1.5Mev和2.0Mev质子辐照BaF2晶体所产生的辐照损伤,对计算结果进行讨论,将这两种能量情况下的BaF2晶体辐照损伤分布进行比较。得到的结论与实验结果基本相符。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 质子 辐照损伤

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氟化钡晶体质子辐照的荧光谱研究

7

作者 杨菁菁 张晋 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2006年第1期71-73,共3页

通过对掺Sr杂质的BaF2晶体进行辐照实验,研究BaF2晶体质子辐照的荧光谱特性,发现BaF2晶体质子辐照存在荧光增强效应,出现峰值为346nm锐峰。分析认为这与质子辐照引起的离子价态变化相关联,346nm荧光峰发射出自Sr2+离子。

关键词 氟化钡晶体 质子辐照 荧光谱

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氟化钡晶体质子辐照的正电子湮没寿命谱研究

8

作者 杨菁菁 张晋 《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》 2006年第2期71-73,共3页

采用正电子湮没寿命谱方法研究BaF2晶体质子辐照效应。研究能量为1.5MeV和2.0MeV质子辐照BaF2晶体的正电子湮没寿命谱,比较两种情况下受照晶体的辐照损伤。正电子湮没寿命谱说明BaF2晶体质子辐照的电离效应显著,由于电离会使晶体中少量... 采用正电子湮没寿命谱方法研究BaF2晶体质子辐照效应。研究能量为1.5MeV和2.0MeV质子辐照BaF2晶体的正电子湮没寿命谱,比较两种情况下受照晶体的辐照损伤。正电子湮没寿命谱说明BaF2晶体质子辐照的电离效应显著,由于电离会使晶体中少量金属离子产生变价效应,引起位移损伤。1.5MeV能量的质子辐照比2.0MeV能量的质子辐照产生的位移损伤大。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 质子 正电子湮没寿命谱

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氟化钡晶体生长及性能研究

9

作者 刘松海 胡定 +2 位作者 李长林 金永焕 张岩 《红外与激光技术》 CSCD 1993年第1期17-22,共6页

本文简述了Φ80mm和Φ33mm的BaF_2晶体的生长工艺及退火实验,对其光学性能和闪烁性能进行了测试和研究,并介绍了应用情况。

关键词 氟化钡晶体 工艺 光学 晶体生长

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氟化钡晶体超精密切削材料去除机理研究

10

作者 康杰 王元康 +4 位作者 张万清 杨伟声 魏齐 邹俊东 刘亚飞 《工具技术》 北大核心 2022年第1期73-77,共5页

氟化钡晶体在红外成像与激光系统有着广泛而重要的应用,作为典型的萤石型离子晶体,其材料去除机理目前尚不清晰,获得超光滑表面仍极具挑战。本研究采用槽切法研究氟化钡晶体脆塑转变临界深度、脆塑转变机制及表面缺陷形成机理。通过分... 氟化钡晶体在红外成像与激光系统有着广泛而重要的应用,作为典型的萤石型离子晶体,其材料去除机理目前尚不清晰,获得超光滑表面仍极具挑战。本研究采用槽切法研究氟化钡晶体脆塑转变临界深度、脆塑转变机制及表面缺陷形成机理。通过分析最大未变形切屑厚度随切削参数的变化规律,提出实现氟化钡晶体塑性域切削的理论模型。对氟化钡晶体进行了端面车削,并借助场发射扫描电子显微镜和轮廓仪对表面微观形貌和表面粗糙度进行了检测。研究表明,在进给率为0.5μm/r,切削深度为5μm的条件下,氟化钡晶体能够在塑性切削模式下实现材料去除,并成功加工出粗糙度Ra值为2.76nm的光滑表面。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 脆塑转变 最大未变形切屑厚度 切削参数 塑性域切削

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氟化钡晶体开裂现象分析及解决办法研究

11

作者 李红 《商情》 2011年第13期109-109,共1页

研究氟化钡晶体炸裂现象的机理和相应的防止炸裂方法是非常有必要的课题，也是亟待解决的问题。

关键词 氟化钡晶体 开裂现象

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氟化钡晶体点阳极电注入着色光谱特性 被引量：1

12

作者 王娜 顾洪恩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1792-1795,共4页

利用自行研制的电注入实验装置,在不同温度和电压条件下,对氟化钡(BaF2)晶体进行点阳极电注入着色。测定了点阳极电注入着色时的电流随时间的变化关系;测量和分析了着色BaF2晶体室温下的吸收光谱。结果表明:着色BaF2晶体中产生大量F色... 利用自行研制的电注入实验装置,在不同温度和电压条件下,对氟化钡(BaF2)晶体进行点阳极电注入着色。测定了点阳极电注入着色时的电流随时间的变化关系;测量和分析了着色BaF2晶体室温下的吸收光谱。结果表明:着色BaF2晶体中产生大量F色心。按照传统电注入机理,晶体经点阳极电注入不可能产生F色心。借助电流–时间曲线对经点阳极电注入BaF2晶体中F色心的形成机理进行了分析,即V色心首先在阳极附近被产生,F色心是由V色心吸收光子转化而来。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 电注入 色心

原文传递

电子辐照氟化钡晶体位移损伤的计算

13

作者 杨菁菁 张晋 《广西物理》 2009年第3期35-37,共3页

概述电子辐照对氟化钡晶体位移损伤的机理,讨论电子对氟化钡晶体位移损伤的理论计算方法。具体计算出能量为1.5MeV和1.8MeV电子辐照氟化钡晶体的位移损伤,对计算结果进行讨论,并与实验得到的吸收谱进行比较,理论计算结果与实验结果符合... 概述电子辐照对氟化钡晶体位移损伤的机理,讨论电子对氟化钡晶体位移损伤的理论计算方法。具体计算出能量为1.5MeV和1.8MeV电子辐照氟化钡晶体的位移损伤,对计算结果进行讨论,并与实验得到的吸收谱进行比较,理论计算结果与实验结果符合得很好。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 电子辐照 位移损伤

原文传递

大尺寸高质量掺钇氟化钡闪烁晶体的透光特性 被引量：2

14

作者 陈俊锋 李翔 +4 位作者 杜勇 孙世允 陈雷 陆裕贵 齐雪君 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第8期1403-1404,共2页

氟化钡(BaF2)晶体是一种具有亚纳秒快闪烁成分的独特无机闪烁体,但其~600 ns的慢闪烁成分会在高计数率应用时引起严重的信号堆积问题,我们近期研究结果表明,1at%的Y掺杂即可有效抑制该慢闪烁成分。本研究采用真空坩埚下降法成功生长出... 氟化钡(BaF2)晶体是一种具有亚纳秒快闪烁成分的独特无机闪烁体,但其~600 ns的慢闪烁成分会在高计数率应用时引起严重的信号堆积问题,我们近期研究结果表明,1at%的Y掺杂即可有效抑制该慢闪烁成分。本研究采用真空坩埚下降法成功生长出大尺寸、高钇掺杂(3at%)的BaF2晶体,加工出的200 mm长BaF2:3at%晶体无肉眼可见包裹体和开裂等宏观缺陷,在200~800 nm范围内的光学透过率接近理论计算值,表明大尺寸BaF2:Y晶体的光学透过率和均匀性得到了显著地改善,有望应用于高能物理强度前沿实验等重要领域。 展开更多

关键词 氟化钡闪烁晶体 钇掺杂 慢闪烁成分抑制 光学透过率

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基于反射滤光方法的氟化钡快响应γ射线探测技术 被引量：4

15

作者 张子川 韩和同 +4 位作者 管兴胤 刘君红 张侃 赵晓川 翁秀峰 《现代应用物理》 2013年第3期225-231,共7页

测量和分析了氟化钡(BaF2)晶体的基本光谱特性;设计并研制了一种反射式紫外带通滤光器,用于抑制BaF2晶体630ns慢响应荧光成分并获取0.6ns快响应荧光成分,快慢成分之比提高了102以上。基于该滤光器和BaF2晶体,研制了ns级时间响应γ射线... 测量和分析了氟化钡(BaF2)晶体的基本光谱特性;设计并研制了一种反射式紫外带通滤光器,用于抑制BaF2晶体630ns慢响应荧光成分并获取0.6ns快响应荧光成分,快慢成分之比提高了102以上。基于该滤光器和BaF2晶体,研制了ns级时间响应γ射线探测器,可用于强流快脉冲γ射线测量。 展开更多

关键词 氟化钡晶体(BaF2) 反射滤光 脉冲辐射测量 时间响应

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BaF_2晶体γ能谱的温度特性研究 被引量：2

16

作者 朱维彬 徐四大 +1 位作者 朱胜江 陈振鹏 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期348-350,共3页

测量了从室温到 80℃ Ba F2 晶体 γ能谱对 13 7Cs0 .662 Me Vγ射线的能量分辨率和全能峰峰位随温度变化的情况。这种变化是由 Ba F2

关键词 Γ能谱 能量分辨率 温度特性 氟化钡晶体

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γ辐射后部分掺稀土离子BaF_2晶体的电子结构及对相应透射光谱的影响

17

作者 顾牡 陈玲燕 +4 位作者 杜杰 项开华 陈刚 任绍霞 张风宁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期7-10,共4页

本文运用离散变分Ｘα（ＤＶ－Ｘα）方法计算了部分掺稀土离子ＢａＦ２的能级结构，提出经γ辐射后晶体中的Ｅｕ、Ｄｙ和Ｙｂ元素可由原来的＋３价变为＋２价，从而改变晶体的光学性能，这一模型可以很好地阐述对应的实验结果．

关键词 氟化钡晶体 电子结构 辐射损伤

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BaF_2晶体性能测试及其应用前景 被引量：4

18

作者 潘仲韬 刘卫宏 唐金丽 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期144-149,共6页

本文介绍了ＢａＦ_２晶体的性能及其在核辐射方面的应用前景。

关键词 分辨率 辐射 测试 二氟化钡晶体 闪烁机

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BaF_2晶体的辐照损伤研究

19

作者 龚晓辉 于长江 《长春光学精密机械学院学报》 1993年第3期46-48,共3页

本文给出了BaF_2晶体被辐照前后的透射光谱、光激发光谱及热释光谱的变化。结果表明,经^(60)C_(oγ)射线辐照后(总剂量7.8×10~6rad),BaF_2晶体变色、透射率有所下降,恢复较迅速。热释光谱发生了较大变化,辐照对晶体结构有影响。光... 本文给出了BaF_2晶体被辐照前后的透射光谱、光激发光谱及热释光谱的变化。结果表明,经^(60)C_(oγ)射线辐照后(总剂量7.8×10~6rad),BaF_2晶体变色、透射率有所下降,恢复较迅速。热释光谱发生了较大变化,辐照对晶体结构有影响。光激发光谱辐照前后无明显变化,290nm的光能激发出BaF_2的慢成分光。根据实验对氟化钡晶体的抗辐照损伤机理作了初步探讨,研究表明:BaF_2晶体的抗辐照损伤性能及恢复能力还与辐照剂量的大小、辐照时间的长短、生长过程中应用的去氧剂种类、晶体生长的完整性有密切的关系。 展开更多

关键词 氟化钡晶体 辐照损伤 晶体

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新型超快探测器性能研究 被引量：5

20

作者 陈玲燕 顾牡 +7 位作者 黎青 项开华 王利明 胡朝存 温树槐 刘开武 杨洪琼 王惠芳 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 1996年第3期362-366,共5页

为提高强γ场超快辐射探测器抗信号堆积的性能，可采用ＢａＦ２（Ｌａ）与快的光电器件组合的技术途径。用同步辐射闪烁荧光衰减谱仪和Ｘ光激发发射谱仪测量了国产不同掺Ｌａ浓度的ＢａＦ２晶体抑制快慢成分之比，探讨掺Ｌａ对抑制但成... 为提高强γ场超快辐射探测器抗信号堆积的性能，可采用ＢａＦ２（Ｌａ）与快的光电器件组合的技术途径。用同步辐射闪烁荧光衰减谱仪和Ｘ光激发发射谱仪测量了国产不同掺Ｌａ浓度的ＢａＦ２晶体抑制快慢成分之比，探讨掺Ｌａ对抑制但成分的机理，研究了ＢａＦ２（Ｌａ）抗辐照性能。并用同步辐射测量ＢａＦ２（Ｌａ）与ＧＤ４０Ｚ光电管组成超快辐射探测器的快慢成分抑制比． 展开更多

关键词 氟化钡晶体 超快 辐射探测器 快慢成分抑制比

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