n型层对柔性衬底微晶硅太阳电池特性的影响 被引量：2

1

作者 刘成 周丽华 +2 位作者 叶晓军 钱子勍 陈鸣波 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期151-155,共5页

在不锈钢柔性衬底上采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同结构的n型硅薄膜,测试了在其上生长的微晶硅太阳电池的电学输出特性。发现太阳电池的开路电压随n型层的硅烷浓度线形变化,短路电流密度则存在一个最优值,这与n型层引... 在不锈钢柔性衬底上采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同结构的n型硅薄膜,测试了在其上生长的微晶硅太阳电池的电学输出特性。发现太阳电池的开路电压随n型层的硅烷浓度线形变化,短路电流密度则存在一个最优值,这与n型层引起的本征层中的孵化层和结构演变有关。将优化后的n型层应用于不锈钢柔性衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,获得了9.28%(AM0,1353W/m2)和11.26%(AM1.5,1000W/m2)的光电转换效率。 展开更多

关键词 柔性衬底 硅薄膜 微晶硅太阳电池 非晶硅/微晶硅叠层太阳电池

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硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响 被引量：1

2

作者 高艳涛 张晓丹 +3 位作者 朱锋 魏长春 孙建 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期514-517,共4页

采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开... 采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响。结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变。电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大。不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同。另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移。 展开更多

关键词 甚高频等离子化学气相沉积 微晶硅太阳电池 硅烷浓度

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微晶硅太阳电池

3

作者 张晓丹 高艳涛 +5 位作者 赵颖 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1582-1585,共4页

采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,... 采用VHF-PECVD技术制备了系列微晶硅太阳电池.综合测试结果表明:硅烷浓度、热阱温度和前电极都对微晶硅太阳电池的性能有影响.在湿法腐蚀的ZnO衬底上制备的电池的效率比在ZnO/SnO2复合膜上制备的电池的效率高1.5%.在优化了沉积条件后,制备出效率达6.7%的微晶硅太阳电池(Jsc=18.8mA/cm2,Voc=0.526V,FF=0.68),电池的结构是glass/ZnO/p(μc-Si∶H)/i(μc-Si∶H)/(a-Si∶H)/Al,没有ZnO背反射电极. 展开更多

关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅太阳电池 X射线衍射

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基于溅射后腐蚀ZnO的单结微晶硅太阳电池中的陷光研究 被引量：1

4

作者 白立沙 刘伯飞 +2 位作者 赵慧旭 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期801-807,共7页

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时间进行有效调控,光电性能的权衡使其存在最优化衬底腐蚀时间,从而使微晶硅单结电池达到最大光吸收和高电学性能。对衬底陷光结构和电池工艺进一步调整,获得初始效率达10.01%的单结微晶硅薄膜太阳电池,将其应用到非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池中,电池效率可达14.51%。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底 陷光

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基于AMPS软件的微晶硅太阳电池最佳性能预测

5

作者 于丽娜 黎明 安艳辉 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期893-895,共3页

以太阳电池模拟软件AMPS-1D为基础研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅薄膜太阳电池的p层势垒和内建电势的影响,同时预测该因素对太阳电池性能的影响。研究结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅太阳电池的性能越好,当前端接触势垒... 以太阳电池模拟软件AMPS-1D为基础研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅薄膜太阳电池的p层势垒和内建电势的影响,同时预测该因素对太阳电池性能的影响。研究结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅太阳电池的性能越好,当前端接触势垒小于1.32 eV时,p层厚度对电池性能的影响显著,当p层厚度为14 nm时,所得微晶硅太阳电池的性能最佳。 展开更多

关键词 微晶硅太阳电池 窗口层厚度 性能预测

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微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究 被引量：3

6

作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1030-1033,共4页

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适... 对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度. 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 孵化层 喇曼光谱

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n型窗口层材料及其在高速沉积微晶硅太阳电池中的应用研究 被引量：2

7

作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 孙福和 王世锋 韩晓艳 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期5041-5045,共5页

采用常规的射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了可以用于微晶硅薄膜太阳电池的n型的掺杂窗口层材料.通过掺杂窗口层材料在电池中的应用发现:微晶硅薄膜太阳电池由于其电子和空穴的迁移率相差比较小而显示出磷掺杂的n型的微晶硅材料... 采用常规的射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了可以用于微晶硅薄膜太阳电池的n型的掺杂窗口层材料.通过掺杂窗口层材料在电池中的应用发现:微晶硅薄膜太阳电池由于其电子和空穴的迁移率相差比较小而显示出磷掺杂的n型的微晶硅材料也可以像硼掺杂的p型的微晶硅材料一样,可作为微晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料;两种窗口层制备电池的效率差别不大,而且量子效率(QE)测试结果显示两种电池的n/i和p/i界面没有明显的区别;电池的双面不同波长拉曼光谱的测试结果给出:不论是n/i/p还是p/i/n型的电池,在起始生长本征层阶段均存在一定的非晶孵化层.最后,通过优化界面孵化层,单结n方向太阳光入射的n/i/p型的微晶硅太阳电池的效率达到了7.7%. 展开更多

关键词 n型的掺杂窗口层 p型的掺杂窗口层 微晶硅薄膜太阳电池

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优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响 被引量：1

8

作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期170-172,169,共4页

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度... 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 硅烷浓度

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微晶硅同质结薄膜太阳电池的数值模拟分析 被引量：2

9

作者 赵明利 杨仕娥 +1 位作者 陈永生 卢景霄 《真空》 CAS 北大核心 2010年第1期46-50,共5页

采用太阳电池电容模拟软件(简称SCAPS)对p-i-n结构的微晶硅同质结薄膜太阳电池进行了数值模拟。研究了本征层的厚度和缺陷态浓度及窗口层的厚度等参数对电池性能的影响。得到的主要结论如下:(1)随着本征层缺陷态浓度Nt的增加,电池的各... 采用太阳电池电容模拟软件(简称SCAPS)对p-i-n结构的微晶硅同质结薄膜太阳电池进行了数值模拟。研究了本征层的厚度和缺陷态浓度及窗口层的厚度等参数对电池性能的影响。得到的主要结论如下:(1)随着本征层缺陷态浓度Nt的增加,电池的各性能参数均单调下降。(2)随着本征层厚度的增加,长波段的光谱响应逐渐改善,但该层过厚则导致中波段的光谱响应急剧下降,在Nt=1.0×1016/cm3的条件下,本征层厚度在1.5～2.0μm范围内电池效率均可达到7.0%以上。(3)p型窗口层的厚度对短波段的光谱响应及短路电流密度JSC有较大影响。 展开更多

关键词 微晶硅同质结薄膜太阳电池 数值模拟 SCAPS 电池性能 光谱响应

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衬底材料表面形貌和特性对太阳电池性能影响

10

作者 方晓敏 廖东进 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第12期1727-1728,1794,共3页

研究不同腐蚀时间下光伏微晶硅太阳电池衬底形貌及特性及其对电池性能的影响。利用多功能辐射型薄膜沉积系统生产电池膜层,对衬底进行0~50 s的腐蚀,分析相关长度、表面粗糙度与腐蚀时间的关系,得出衬底散射率与腐蚀时间的关联。结合散... 研究不同腐蚀时间下光伏微晶硅太阳电池衬底形貌及特性及其对电池性能的影响。利用多功能辐射型薄膜沉积系统生产电池膜层,对衬底进行0~50 s的腐蚀,分析相关长度、表面粗糙度与腐蚀时间的关系,得出衬底散射率与腐蚀时间的关联。结合散射率与电池电学性能的变化,最终得出40 s腐蚀后电池具有最佳的转换效率。该研究为微晶硅太阳电池的进一步优化提供了参考。 展开更多

关键词 衬底 微晶硅太阳电池 腐蚀形貌 散射率

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1nm/s高速率微晶硅薄膜的制备及其在太阳能电池中的应用 被引量：14

11

作者 张晓丹 张发荣 +5 位作者 赵颖 陈飞 孙建 魏长春 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期209-212,共4页

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,在相对较高气压和较高功率条件下,制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料.材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大,通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知:获得了沉积速率超过1nm/s高速率器件质量级微晶硅薄膜,并且也初步获得了效率达6.3%的高沉积速率微晶硅太阳电池. 展开更多

关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜太阳电池 高沉积速率 化学气相沉积技术

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非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 被引量：1

12

作者 韩晓艳 张晓丹 +8 位作者 侯国付 郭群超 袁育杰 董培 魏长春 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。 展开更多

关键词 高速沉积 非晶孵化层 微晶硅太阳电池

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微晶硅材料和电池特性的相关研究 被引量：6

13

作者 张晓丹 赵颖 +4 位作者 魏长春 孙建 赵静 耿新华 熊绍珍 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1304-1307,共4页

主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶... 主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅材料和电池。通过对材料电学特性、结构特性和电池间性能关系的研究,获得了高效率微晶硅薄膜太阳电池所对应材料的基本特性:暗电导在10^(-8)s/cm量级上,光敏性大于1000,晶化率约50%。进行了制备电池的开路电压和表观带隙之间关系的研究。 展开更多

关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 高效率微晶硅薄膜太阳电池 表观带隙

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超薄高速率单结微晶硅薄膜电池及其叠层电池 被引量：3

14

作者 白立沙 李天天 +7 位作者 刘伯飞 黄茜 李宝璋 张德坤 孙建 魏长春 赵颖 张晓丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期433-441,共9页

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,基于优化表面形貌及光电特性的溅射后腐蚀ZnO:Al衬底,将通过调控工艺参数获得的器件质量级高速微晶硅(μc-Si:H)材料(沉积速率达10.57?/s)应用到微晶硅单结电池中,获得了初始效率达7.49%的高速... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,基于优化表面形貌及光电特性的溅射后腐蚀ZnO:Al衬底,将通过调控工艺参数获得的器件质量级高速微晶硅(μc-Si:H)材料(沉积速率达10.57?/s)应用到微晶硅单结电池中,获得了初始效率达7.49%的高速率超薄微晶硅单结太阳电池(本征层厚度为1.1μm).并提出插入n型微晶硅和p型微晶硅的隧穿复合结,实现了非晶硅顶电池和微晶硅底电池之间的低损电连接,由此获得了初始效率高达12.03%(Voc=1.48 eV,Jsc=11.67 m A/cm2,FF=69.59%)的非晶硅/微晶硅超薄双结叠层电池(总厚度为1.48μm),为实现低成本生产太阳电池奠定了基础. 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 超薄 高速率 隧穿复合结

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单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池性能优化的研究

15

作者 张晓丹 孙福和 +7 位作者 许盛之 王光红 魏长春 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期1344-1348,共5页

采用原位的氢等离子体处理技术和微晶覆盖技术来降低单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池中的硼污染问题.通过对不同处理技术所制备电池的电流密度-电压和量子效率测试结果的比较发现,一定的氢处理时间和合适的覆盖层技术都可以在一定程... 采用原位的氢等离子体处理技术和微晶覆盖技术来降低单室沉积p-i-n型微晶硅薄膜太阳电池中的硼污染问题.通过对不同处理技术所制备电池的电流密度-电压和量子效率测试结果的比较发现,一定的氢处理时间和合适的覆盖层技术都可以在一定程度上提高电池的性能,但每种方法的影响程度各异、文中对此异同进行了分析.通过对电池陷光结构和氢等离子体处理时间的优化,在单室中获得了效率为6.39%的单结微晶硅太阳电池. 展开更多

关键词 单室 微晶硅太阳电池 等离子体增强化学气相沉积

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提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究 被引量：12

16

作者 张晓丹 赵颖 +6 位作者 高艳涛 陈飞 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期6697-6700,共4页

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析. 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 ZnO/Ag/Al背反射电极

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提高非晶硅/微晶硅叠层太阳电池光稳定性的研究 被引量：6

17

作者 侯国付 卢鹏 +4 位作者 韩晓艳 李贵君 魏长春 耿新华 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期500-504,共5页

如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅... 如何提高硅基薄膜太阳电池的光稳定性是硅基薄膜太阳电池研究和产业化过程中非常重要的问题.为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的光稳定性,本文首先给出了良好光稳定性非晶硅项电池的结果,然后重点研究了N/P隧穿结和微晶硅底电池本征层硅烷浓度梯度对叠层电池光稳定性的影响.经过初步优化,连续光照1000 h后非晶硅/微晶硅叠层电池的最小光致衰退率只有7%. 展开更多

关键词 光致稳定性 非晶硅/微晶硅叠层太阳电池 硅烷浓度梯度 隧穿结

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Si基薄膜叠层太阳电池中顶底电池电流匹配的实现 被引量：7

18

作者 陈培专 陈新亮 +8 位作者 蔡宁 韩晓艳 李娟 任慧志 李阳 张晓丹 熊绍珍 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期868-871,共4页

以中间层对非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池电学特性的影响为研究对象,运用太阳能电池模拟软件,计算了中间层折射率和厚度的变化对顶/底电池电流的影响。针对当前Si基薄膜叠层太阳电池中存在的顶、底电池电流不匹配的问题,提供... 以中间层对非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池电学特性的影响为研究对象,运用太阳能电池模拟软件,计算了中间层折射率和厚度的变化对顶/底电池电流的影响。针对当前Si基薄膜叠层太阳电池中存在的顶、底电池电流不匹配的问题,提供了解决方案。结果表明,应选用折射率小于3.1的材料作中间层;顶、底电池电流完全匹配的中间层折射率增大所需厚度随之增厚,折射率由1.4增大到2.0,最佳中间层厚则由34 nm增加到63 nm。 展开更多

关键词 非晶硅/微晶硅叠层太阳电池 中间层 电学模拟 顶底电池电流匹配

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Si基薄膜叠层太阳电池中光的优化分配 被引量：4

19

作者 陈培专 蔡宁 +7 位作者 陈新亮 韩晓艳 张德坤 袁育杰 王烁 熊绍珍 赵颖 耿新华 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期595-600,共6页

以带有中间层的Si基薄膜叠层电池为研究对象,模拟了中间层对入射光在叠层电池中传播和分配的影响,对中间层的材料选择提出了优化方案,并以ZnO作中间层,实验验证了其对入射光的管理作用。模拟结果表明,引入适当的中间层,既能提高短波段... 以带有中间层的Si基薄膜叠层电池为研究对象,模拟了中间层对入射光在叠层电池中传播和分配的影响,对中间层的材料选择提出了优化方案,并以ZnO作中间层,实验验证了其对入射光的管理作用。模拟结果表明,引入适当的中间层,既能提高短波段的反射率,又能明显增加长波段光的透过率。加入ZnO中间层,可使厚为200nm的顶部非晶硅(a-Si)电池的短路电流提高14.1%。 展开更多

关键词 非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)叠层太阳电池 中间层 光学模拟 吸收率

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p种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响

20

作者 王光红 张晓丹 +7 位作者 许盛之 孙福河 岳强 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7294-7299,共6页

采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅... 采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/i界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅i层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/i界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1cm2)的非晶/微晶硅叠层电池. 展开更多

关键词 单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅太阳电池 p种子层

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