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纳米WO_3材料NO_2气敏特性的研究 被引量:19
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作者 黄世震 林伟 +1 位作者 赖云峰 陈知前 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2001年第1期25-27,共3页
通过热分解法 ,制备获得纳米WO3 材料 ,以此WO3 为气敏材料 ,应用溶胶凝胶法 ,制备纳米SiO2 掺杂材料 ,研制NO2 气敏元件 .该元件对NO2 气体有较高的灵敏度和较好的选择性 .利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪 ,分析材料的微观结构 ,进行... 通过热分解法 ,制备获得纳米WO3 材料 ,以此WO3 为气敏材料 ,应用溶胶凝胶法 ,制备纳米SiO2 掺杂材料 ,研制NO2 气敏元件 .该元件对NO2 气体有较高的灵敏度和较好的选择性 .利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪 ,分析材料的微观结构 ,进行气敏特性机理探讨 . 展开更多
关键词 纳米材料 氧化钨 氧化氮 气敏特性 热分解法 灵敏度 选择性 烧结温度 溶胶凝胶法
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纳米WO_3-ZnS系H_2S气敏元件的研究 被引量:19
2
作者 黄世震 林伟 +1 位作者 陈伟 陈知前 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期21-22,共2页
以纳米WO3 材料 ,分别掺入SnO2 、ZnS ,制备成H2 S气敏元件。实验表明 ,当WO3 掺入适量ZnS ,元件对H2
关键词 纳米 气敏元件 氧化钨 硫化锌 硫化氢
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纳米三氧化钨材料的制备及其结构分析 被引量:5
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作者 黄世震 林伟 +2 位作者 黄清明 潘钟毅 陈文哲 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期201-204,共4页
通过不同方法制备纳米WO3材料,利用透穿电子显微镜和XRD,观察材料晶粒大小,形状,研究材料的结构特性。分别通过热分解法,溶胶-凝胶法,电弧气相法制备纳米WO3材料,研究上述制备方法对材料的影响。实验发现,通过热分解法,适量加入SiO2材料... 通过不同方法制备纳米WO3材料,利用透穿电子显微镜和XRD,观察材料晶粒大小,形状,研究材料的结构特性。分别通过热分解法,溶胶-凝胶法,电弧气相法制备纳米WO3材料,研究上述制备方法对材料的影响。实验发现,通过热分解法,适量加入SiO2材料,可以大幅度减小WO3材料尺寸,改善分散特性。溶胶-凝胶法制备的WO3材料,在某一晶面方向生长明显,呈现片状结构;采用气相热分解法制备WO3材料,出现较为规则的几何形状。因此,通过选择制备方法,控制纳米WO3材料形状及大小,改变其性能。 展开更多
关键词 纳米 三氧化钨 制备
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一种新颖的E类功放功率控制电路 被引量:5
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作者 黄世震 罗志聪 +1 位作者 孙奇燕 陈勖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期233-236,共4页
基于0.18μm CMOS工艺,采用间接闭环控制方式,设计出一个适用于Class 1蓝牙E类功率放大器的低成本、高集成度输出功率控制电路。输出级电源电压采用类似LDO的结构控制。提出了一种新颖的一阶线性偏置电压结构,实现对输出级偏置电压的控... 基于0.18μm CMOS工艺,采用间接闭环控制方式,设计出一个适用于Class 1蓝牙E类功率放大器的低成本、高集成度输出功率控制电路。输出级电源电压采用类似LDO的结构控制。提出了一种新颖的一阶线性偏置电压结构,实现对输出级偏置电压的控制,极大地改善了功放的功率增益相对于控制电压的线性度,提高了PAE,最终实现了对输出功率2 dBm的步进控制。后仿真结果表明,输出功率控制精度较高,并具有较好的温度特性。 展开更多
关键词 间接闭环 E类功率放大器 功率步进控制
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基于GSA-BP神经网络的压力传感器温度补偿 被引量:10
5
作者 黄世震 林淑玲 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第5期680-684,共5页
针对压力传感器输出的温度非线性特性,采用遗传模拟退火算法优化的BP神经网络(GSA-BPNN)进行误差补偿,并与标准BP神经网络补偿误差进行了比较。通过MATLAB仿真验证,实验结果表明:采用GSA-BP神经网络不易陷入局部极小值,大大减小传感器... 针对压力传感器输出的温度非线性特性,采用遗传模拟退火算法优化的BP神经网络(GSA-BPNN)进行误差补偿,并与标准BP神经网络补偿误差进行了比较。通过MATLAB仿真验证,实验结果表明:采用GSA-BP神经网络不易陷入局部极小值,大大减小传感器非线性误差,误差精度小于0.1%,补偿结果优于标准BP神经网络。 展开更多
关键词 压力传感器 温度补偿 神经网络 遗传模拟退火算法 MATLAB
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纳米WO_(3)材料的氨敏特性研究 被引量:5
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作者 黄世震 林伟 +1 位作者 龚炎芳 陈知前 《郑州轻工业学院学报》 CAS 2000年第4期46-48,共3页
通过热分解法,可制备出平均晶粒尺寸<100 nm的WO3材料,在此材料中掺入适 量的用溶胶-凝胶法制备的SiO2可制得对NH3有较好灵敏度的气敏元件.该元件选择性 好,响应时间短,可作为理想的氨敏元件.
关键词 气敏器件 氧化钨 氧化硅 纳米材料
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纳米WO_3氯化氢气体传感器 被引量:2
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作者 黄世震 林伟 王大伟 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期167-170,共4页
以三氧化钨为基材,通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器,研究元件的气敏特性。以钨酸钠和浓盐酸为反应物,采用溶胶-凝胶法,制备出具有特殊结构的三氧化钨。通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段,发现该材料具有层片状结构,结构松散,平... 以三氧化钨为基材,通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器,研究元件的气敏特性。以钨酸钠和浓盐酸为反应物,采用溶胶-凝胶法,制备出具有特殊结构的三氧化钨。通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段,发现该材料具有层片状结构,结构松散,平均粒径约17纳米。研究发现,掺杂适量的氧化铝可以大大提高三氧化钨对氯化氢气体的灵敏度,但元件稳定性以及选择性比较差,通过掺杂少量的氧化锌,虽然降低了元件的灵敏度,却可以大大提高元件的稳定性,适当提高加热电压,可抑制元件对NO2等气体的灵敏度,提高选择性。本文对三氧化钨的气敏机理及特性进行分析。 展开更多
关键词 氯化氢 气敏 气体传感器
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一种基于RS485的SoC产品测试平台的设计 被引量:4
8
作者 黄世震 陈丽红 《电子器件》 CAS 北大核心 2012年第3期309-312,共4页
介绍了一种以ARM高性能微处理器为核心,基于RS485总线的SoC产品自动化批量测试平台的设计方案。在对测试平台整体设计思路进行概述之后,介绍了其硬件组成及软件设计方法。经测试和实际运行表明,该测试平台能满足多种SoC产品的测试要求,... 介绍了一种以ARM高性能微处理器为核心,基于RS485总线的SoC产品自动化批量测试平台的设计方案。在对测试平台整体设计思路进行概述之后,介绍了其硬件组成及软件设计方法。经测试和实际运行表明,该测试平台能满足多种SoC产品的测试要求,能广泛应用于多种SoC产品的自动化批量测试中,提高生产效率,降低生产成本。 展开更多
关键词 RS485总线 ARM微处理器 测试平台
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科氏质量流量计驱动系统模糊PI控制方法 被引量:3
9
作者 黄世震 欧阳峰 《太赫兹科学与电子信息学报》 2014年第1期127-131,共5页
科氏质量流量计的工作原理建立在振动的基础上,良好的流量管振动控制是产生精确测量数据的前提。传统的模拟控制方法增益有限,动态响应慢,导致流量管振动不稳定甚至停振。为改善对测量管振幅的控制,本文采用模糊比例积分(PI)控制方法,... 科氏质量流量计的工作原理建立在振动的基础上,良好的流量管振动控制是产生精确测量数据的前提。传统的模拟控制方法增益有限,动态响应慢,导致流量管振动不稳定甚至停振。为改善对测量管振幅的控制,本文采用模糊比例积分(PI)控制方法,并根据牛津大学对两相流进行试验得到的数据,模拟在两相流发生过程中阻尼比的变化规律,在Simulink中建立驱动系统仿真模型,并与传统的PI控制方法进行比较。结果显示,采用模糊PI控制方法能使流量管响应速度更快,且振动幅值更稳定。 展开更多
关键词 科氏质量流量计 模糊比例积分控制 幅值控制 批料流 两相流
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N∶ZnO薄膜的受主性质研究 被引量:2
10
作者 黄世震 翁坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期175-179,共5页
使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8~200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光... 使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8~200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255~0.31eV范围内。研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据。 展开更多
关键词 N∶ZnO薄膜 掺杂 溶胶-凝胶法 受主 电离能
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溶胶-凝胶法制备纳米SnO_2微晶生长的电镜表征 被引量:1
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作者 黄世震 丁晓坤 陈文哲 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期193-196,共4页
利用溶胶-凝胶法制备纳米SnO2粉体中发生的团聚和微晶生长现象与加热时间和加热温度有直接的关系。利用透射电子显微镜对四种不同制备条件下生成的纳米SnO2粉体观察可以发现凝胶前驱物水解后形成的SnO2微晶尺度在5纳米以下。这些微晶随... 利用溶胶-凝胶法制备纳米SnO2粉体中发生的团聚和微晶生长现象与加热时间和加热温度有直接的关系。利用透射电子显微镜对四种不同制备条件下生成的纳米SnO2粉体观察可以发现凝胶前驱物水解后形成的SnO2微晶尺度在5纳米以下。这些微晶随加热时间长短发生不同程度的团聚,当加热温度高于400℃时团聚的微晶开始重新结晶生长,在600℃全部生长为块状单晶,并可以观察到生长形成的枝晶。本工作结对为溶胶-凝胶法制备纳米SnO2的工艺改进提供了理论依据。 展开更多
关键词 SNO2 溶胶-凝胶 团聚 重结晶
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纳米SnO_2材料的电子显微镜表征 被引量:1
12
作者 黄世震 陈文哲 林伟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期2369-2370,共2页
纳米二氧化锡为一种常用气敏材料,可通过不同方法制备二氧化锡纳米材料,利用电子显微镜,观察纳米材料的形貌、大小、结晶、生长、缺陷以及团聚现象,分析、总结制备工艺及方法对材料结构影响.
关键词 纳米 二氧化锡 电子显微镜
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基于PIC单片机的气体泄漏报警器设计 被引量:1
13
作者 黄世震 林伟 陈伟 《漳州师范学院学报(自然科学版)》 2004年第3期40-43,共4页
以MQK气体传感器和PIC16F73单片机为核心,设计气体泄漏报警器.该报警器设计方法简单易行,使用效果良好,本文给出了气体泄漏报警器的总体设计原理,关键的硬件电路和软件程序设计.
关键词 PIC单片机 报警器 气体传感器 软件程序 硬件电路 气体泄漏 设计 漏报 使用效果 核心
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基于Sobel边缘检测和双线性算法的图像缩放实现 被引量:2
14
作者 黄世震 郭光宝 《中国集成电路》 2013年第9期45-49,共5页
针对传统图像缩放算法的不足,本文提出一种边缘检测和双线性插值结合的方案,用以实现图像缩放的功能。借助FPGA并行高速处理的优势,搭建各功能模块,最后通过仿真工具和板级验证,结果表明该设计能够有较理想的图像放大效果。
关键词 SCALER FPGA 双线性插值算法 边缘检测 图像处理
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基于SOI工艺下600V LDNMOS的设计与分析
15
作者 黄世震 翁坤 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期34-37,共4页
基于SOI工艺,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和器件仿真(Atlas)模拟软件,结合实际流片测试结果完成对600 V LDNMOS的设计和器件性能分析.整个器件采用环形版图结构,以优化器件的横向尺寸,漏端漂移区通过渐变掺杂技术(VLD)调节器件... 基于SOI工艺,运用SILVACO公司的工艺仿真(Athena)和器件仿真(Atlas)模拟软件,结合实际流片测试结果完成对600 V LDNMOS的设计和器件性能分析.整个器件采用环形版图结构,以优化器件的横向尺寸,漏端漂移区通过渐变掺杂技术(VLD)调节器件表面横向电场分布,并在漂移区上方加入一定厚度的槽氧层,从而增大器件的源漏击穿电压.流片测试结果(Vth=1.7 V,Idsat=48 mA,BV=550 V)表明,器件的各项指标基本达到预期目标,实现了设计和分析的目的. 展开更多
关键词 SOI LDNMOS 流片 击穿电压
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基于嵌入式Linux的复杂光照人脸实时检测研究
16
作者 黄世震 黄志勇 《微型机与应用》 2016年第12期46-48,51,共4页
为了满足嵌入式设备在复杂光照条件下的人脸检测需求,提出了一种基于光照不变特征的人脸检测方法。该方法先基于Retinex理论提取光照不变分量,再以MB-LBP特征进行Ada Boost人脸检测。结合该方法,实现了一种基于嵌入式Linux的人脸实时检... 为了满足嵌入式设备在复杂光照条件下的人脸检测需求,提出了一种基于光照不变特征的人脸检测方法。该方法先基于Retinex理论提取光照不变分量,再以MB-LBP特征进行Ada Boost人脸检测。结合该方法,实现了一种基于嵌入式Linux的人脸实时检测系统。实验与实际使用结果表明,该人脸检测系统具有较高的人脸检出率,且满足实时性要求。 展开更多
关键词 人脸检测 嵌入式 ARM RETINEX MB-LBP ADA BOOST
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一种亚阈型自举带隙基准电压源的设计
17
作者 黄世震 刘春炜 林伟 《中国集成电路》 2008年第6期51-54,66,共5页
采用TSMC0.35μm CMOS工艺,基于对传统带隙基准电路的分析,利用MOS管的亚阈特性,设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源。最后的HSPICE仿真结果表明了该电路具有较低的工作电压,较低的功耗和较低的温度系数。
关键词 带隙 基准电压 亚阈区 自举
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气相法WO_3纳米粉体的H_2S气敏性能研究 被引量:15
18
作者 林金阳 黄世震 +2 位作者 林伟 陈伟 黄建敏 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期611-613,共3页
采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶--凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性。文中从材料的微... 采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶--凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性。文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析。 展开更多
关键词 WO3 气相反应法 气敏材料 H2S
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用气相反应法制备纳米WO_3气敏材料 被引量:10
19
作者 余华梁 黄世震 +1 位作者 林伟 陈伟 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期325-328,共4页
材料的制备是研制半导体气敏传感器的关键环节。用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,制作了NO2气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对低浓度(10-10)NO2灵敏,灵敏度可达10倍左右,而且响应迅速,响应时间为... 材料的制备是研制半导体气敏传感器的关键环节。用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,制作了NO2气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对低浓度(10-10)NO2灵敏,灵敏度可达10倍左右,而且响应迅速,响应时间为1.5s。文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析。 展开更多
关键词 气相反应法 纳米WO3 气敏性质 NO2
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磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性 被引量:11
20
作者 林伟 黄世震 +1 位作者 黄兆新 陈伟 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第1期61-64,共4页
采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。
关键词 磁控溅射 气敏特性 二氧化锡薄膜 气敏元件 SNO2 敏感机理
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