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具有蝶型单元的FFT在FPGA上的实现 被引量:9
1
作者 淮永进 屈晓声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期342-344,348,共4页
描述了一种使用FPGA实现FFT处理器的方法,基于按时间抽取(DIT)基-4算法,采用4组RAM并行为蝶型单元提供数据,使用交换器对数据进行重行排序。实验结果表明,该方案保证了运算正确性、运算精度和实现复杂度。提出了两种改进的设计思路及方... 描述了一种使用FPGA实现FFT处理器的方法,基于按时间抽取(DIT)基-4算法,采用4组RAM并行为蝶型单元提供数据,使用交换器对数据进行重行排序。实验结果表明,该方案保证了运算正确性、运算精度和实现复杂度。提出了两种改进的设计思路及方法,使处理器可以获得更高的处理速度。 展开更多
关键词 快速傅里叶变换 蝶型单元 基-4算法 FPGA
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用于OFDM调制解调模块的设计与实现 被引量:2
2
作者 淮永进 屈晓声 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期440-442,共3页
比较了正交频分复用(OFDM)中常用的四种调制解调工作模式,并对BPSK、QPSK、16QAM和64QAM四种调制方式的通用调制解调模块进行了优化设计,使之能根据接收端的误码率状况进行自动调整调制,采用共享64QAM映射表整合16QAM映射表ROM,通过对B... 比较了正交频分复用(OFDM)中常用的四种调制解调工作模式,并对BPSK、QPSK、16QAM和64QAM四种调制方式的通用调制解调模块进行了优化设计,使之能根据接收端的误码率状况进行自动调整调制,采用共享64QAM映射表整合16QAM映射表ROM,通过对BPSK和QPSK的解调分析,由于星座点比较少,判决最后可以转换成映射关系,并将实部和虚部分别进行。利用共享寄存器、数据选择器、减法器等器件进行数据优化整合运算。通过FPGA的仿真,对几种调制模式的资源消耗进行比较,在不影响性能的基础上优化后的资源占用得到极大降低。 展开更多
关键词 共用ROM 共用寄存器 减法器和选择器 自动调整
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超低压ESD保护器件设计与工艺研究 被引量:3
3
作者 淮永进 韩郑生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期445-448,共4页
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低... 介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。 展开更多
关键词 超低压保护器件 静电放电 模拟 复合型穿通结构 瞬态电压抑制器
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金属涂敷硅锥阴极的工艺研究 被引量:1
4
作者 淮永进 朱长纯 +1 位作者 吴春瑜 李毓民 《电子器件》 CAS 1994年第3期51-54,共4页
本文比较了金属和硅两种场发射阴极的优缺点,研究了将两者优点结合在一起的金属涂敷硅阴极的制造工艺,比较了电镀法和溅射法制备的金属涂层对硅的附着力;采用先溅射后电镀的两步工艺制作出了较为理想的包全硅尖阵列。
关键词 场致发射 阴极 溅射 工艺
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Design of a High Precision Array Pulse Sensor in TCM 被引量:1
5
作者 淮永进 韩郑生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期701-705,共5页
We designed a high-precision array pulse sensor for TCM (traditional Chinese medicine) that can directly transform pulse-pressure signal into electric current signal and is compatible with CMOS technology. We adopte... We designed a high-precision array pulse sensor for TCM (traditional Chinese medicine) that can directly transform pulse-pressure signal into electric current signal and is compatible with CMOS technology. We adopted a sacrificelayer craft for the transistor gate. During testing, we found that the precision of the capacitor for the array sensor is 0. 5fF/hPa when the pressure was changing within the range of 1.5kPa to 9.5kPa. More importantly, the output-current and the pressure of the sensor have a good linearity and exponential characteristics. According to the data from the experiment,we conclude that the characteristic of the response-current is related to the area of the MOS gate. 展开更多
关键词 array senor pulse senor MOSFET gate LINEARITY
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碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装 被引量:15
6
作者 朱长纯 皇甫鲁江 +1 位作者 淮永进 康海波 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期102-104,共3页
通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹... 通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹性装配技术还具有通过拼接得到大面积阴极的潜力 .采用这套技术 ,已经研制出碳纳米管阴极场发射显示器样品 . 展开更多
关键词 碳纳米管 场发射平板显示器 真空封装 阴极
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真空微电子平板显示器工艺研究 被引量:3
7
作者 皇甫鲁江 朱长纯 +3 位作者 淮永进 铁执玲 单建安 郭彩林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期119-121,共3页
本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺,主要包括阳极支柱(阵列)的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营,其栅阴特性理想,阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前,数码管玻壳... 本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺,主要包括阳极支柱(阵列)的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营,其栅阴特性理想,阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前,数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题,文章最后分析了其原因。 展开更多
关键词 场致发射 平板显示器 真空微电子器件
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两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究 被引量:1
8
作者 朱长纯 淮永进 李毓民 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 1994年第6期426-430,共5页
详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺,制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106/cm2,硅锥曲率半径可做到20nm。
关键词 各向异性 腐蚀 各向同性 两步法 硅锥 集成电路
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FED制作工艺研究 被引量:1
9
作者 皇甫鲁江 朱长纯 +1 位作者 淮永进 宋利建 《光电子技术》 CAS 1996年第2期104-112,共9页
本文介绍我们开发的FED工艺,包括:硅锥场致发射阵列的制作,栅极制作,阳极支柱(阵列)的制作和平板透明真空封装,对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺,已经制成了平板数码管,其栅阴特性理想,阳阴之间也能测得明显... 本文介绍我们开发的FED工艺,包括:硅锥场致发射阵列的制作,栅极制作,阳极支柱(阵列)的制作和平板透明真空封装,对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺,已经制成了平板数码管,其栅阴特性理想,阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前,数码管玻壳内真空度的维持、栅控特性及荧光的均匀性还存在问题,文章最后分析了其原因。 展开更多
关键词 场致发射 平板显示器 FED 制作工艺
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低压VDMOSFET元胞尺寸设计 被引量:4
10
作者 屈坤 淮永进 刘建朝 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第12期77-79,84,共4页
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
关键词 VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP
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高压VDMOSFET击穿电压优化设计 被引量:3
11
作者 严向阳 唐晓琦 淮永进 《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期577-579,585,共4页
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSF... 通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值。 展开更多
关键词 纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 结终端扩展 终端结构 外延层厚度和掺杂浓度
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InGaP异质结双极晶体管ESD特性研究
12
作者 严向阳 淮永进 孙茂友 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期137-140,共4页
研究了高速射频集成电路(RFIC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性。测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DCI-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力。结果表明,双指发射极器件比单指器件能传导更高密度的电流,... 研究了高速射频集成电路(RFIC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性。测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DCI-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力。结果表明,双指发射极器件比单指器件能传导更高密度的电流,并能抵抗高能量的ESD;两种器件的击穿特性相似。这些结果可以用来指导RFIC ESD保护电路的设计。 展开更多
关键词 INGAP 异质结双极晶体管 人体模型 静电放电
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硅双极型微波功率晶体管
13
作者 Allis.,R 淮永进 《电子》 1991年第2期12-19,共8页
关键词 功率晶体管 双极型 微波频率
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碳化硅功率器件的应用与发展趋势
14
作者 韦仕贡 淮永进 《微纳电子与智能制造》 2023年第1期44-48,共5页
功率器件作为能源转换系统的核心部件被广泛应用于各类电子设备中,碳化硅功率器件凭借其更低的导通电阻、更高的工作温度和工作电压等优异特性,在高压大功率领域得到越来越多的应用。本文简述了碳化硅材料的特性优势,碳化硅功率器件的... 功率器件作为能源转换系统的核心部件被广泛应用于各类电子设备中,碳化硅功率器件凭借其更低的导通电阻、更高的工作温度和工作电压等优异特性,在高压大功率领域得到越来越多的应用。本文简述了碳化硅材料的特性优势,碳化硅功率器件的主要类型和结构,以及碳化硅器件的主要应用领域,最后总结了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等功率器件的主要发展趋势。 展开更多
关键词 碳化硅 功率器件 金属氧化物半导体场效应晶体管
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掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响
15
作者 皇甫鲁江 朱长纯 淮永进 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期382-388,共7页
基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射... 基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升 .锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用 ,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用 .另外 ,在常规的工作状态下 ,硅锥阴级的温升并不严重 .这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考 . 展开更多
关键词 场致发射 掺杂浓度 硅锥阴极 硅材料 电子发射 电位分布
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