用于特殊环境的薄膜应变计的制备与表征

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作者 张丛春 康志鹏 +1 位作者 雷鹏 闫博 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期589-596,共8页

使用磁控溅射制备了卡玛合金薄膜应变计,研究了退火温度对薄膜微观结构的影响,测试了薄膜的电学性能以及压阻响应特性,并进行了环境实验。结果表明,随着退火温度升高,薄膜的电阻率逐渐下降,电阻温度系数则逐渐升高,在室温下有最小的电... 使用磁控溅射制备了卡玛合金薄膜应变计,研究了退火温度对薄膜微观结构的影响,测试了薄膜的电学性能以及压阻响应特性,并进行了环境实验。结果表明,随着退火温度升高,薄膜的电阻率逐渐下降,电阻温度系数则逐渐升高,在室温下有最小的电阻温度系数(TCR),约为59.9×10^(-6)/℃,经过200℃退火处理的薄膜应变计的应变灵敏度系数(GF)为2.2,TCR为64.4×10^(-6)/℃。经历温湿循环、盐雾、霉菌试验后,薄膜的压阻特性变化不大,能耐受海洋特殊环境。 展开更多

关键词 磁控溅射 薄膜应变计 电阻温度系数 应变因子 环境实验

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Sb_2O_3掺杂对ZnO压敏陶瓷晶界特性和电性能的影响 被引量：19

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作者 张丛春 周东祥 龚树萍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期602-605,共4页

制备了掺有Sb2 O3 不同掺杂量的ZnO压敏陶瓷样品 .采用扫描电镜对样品进行显微结构分析 ,研究了Sb2 O3 掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构和性能的影响 .测量了样品的电性能 ,由样品C -V特性的测量计算出晶界参数 ,并由此讨论了陶瓷电性能... 制备了掺有Sb2 O3 不同掺杂量的ZnO压敏陶瓷样品 .采用扫描电镜对样品进行显微结构分析 ,研究了Sb2 O3 掺杂浓度对ZnO压敏电阻显微结构和性能的影响 .测量了样品的电性能 ,由样品C -V特性的测量计算出晶界参数 ,并由此讨论了陶瓷电性能与晶界特性的相关性 .研究发现 ,在ZnO压敏陶瓷样品中掺杂适量的Sb2 O3 可以提高ZnO压敏陶瓷样品的非线性性能 ,但当Sb2 O3 的摩尔分数超过 0 .0 88%时 ,电性能反而劣化 ,这是因为Sb2 O3 掺杂浓度不同会引起晶界势垒高度、施主浓度及陷阱态密度的变化 ,因此Sb2 O3 掺杂量要控制在适当的范围内 . 展开更多

关键词 氧化锌压敏陶瓷 氧化锑 电性能 晶界 掺杂 压敏电阻

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低压ZnO压敏电阻材料研究及发展概况 被引量：19

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作者 张丛春 周东祥 龚树萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期343-347,共5页

概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备 ,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题 ,并对以后的发展方向进行了展望。着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构 (... 概述了低压ZnO压敏电阻材料的制备工艺、应用技术、粉料制备 ,以及晶界特性、导电模型、老化机理的研究进展和研究中存在的问题 ,并对以后的发展方向进行了展望。着重讲述了掺杂物对烧结过程、晶粒生长和晶界结构的作用以及显微结构 (晶粒大小及晶界状态 )均匀性对电性能和老化特性的影响 ,并提出了改善老化性能的关键措施。 展开更多

关键词 低压压敏电阻 显微结构 晶界 老化 氧化锌陶瓷

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TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响 被引量：8

4

作者 张丛春 周东祥 龚树萍 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期195-197,共3页

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高... 研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。 展开更多

关键词 低压氧化锌压敏电阻 性能 掺杂 氧化钛 半导体器件

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Co、Mn的掺杂形式对低压氧化锌压敏陶瓷电性能的影响 被引量：7

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作者 张丛春 周东祥 +1 位作者 龚树萍 王礼琼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第6期7-7,9,共2页

研究了Co、Mn的不同掺杂形式对低压ZnO压敏电阻显微结构和电性能的影响。发现以Co(NO3 ) 2 、Mn (NO3 ) 2 溶液代替CoO、MnO2 掺杂 ,可以降低压敏电压 ,增大非线性系数。这主要与钴的高价态有关 ,利于压敏电阻的低压化。

关键词 压敏陶瓷 电性能 微观结构 掺杂形式 氧化锌

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PMMA的反应离子深刻蚀 被引量：2

6

作者 张丛春 杨春生 +1 位作者 丁桂甫 黄龙旺 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期157-160,共4页

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保... 对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。 展开更多

关键词 PMMA 反应离子刻蚀 比微结构 刻蚀气体 钻蚀 HGA技术

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基于SU-8胶的新型被动式微型阀 被引量：3

7

作者 张丛春 郭泰 丁桂甫 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期1011-1016,共6页

为了在微流体控制系统中实现对流体流速的控制和流体的单向流动,借鉴人体心脏瓣膜的结构,设计了新型被动式微阀。选用SU-8作为被动式微型阀的结构材料,用ANSYS仿真了不同厚度(10,15,20μm)的阀门膜片在不同压力作用下的挠度与应力,进而... 为了在微流体控制系统中实现对流体流速的控制和流体的单向流动,借鉴人体心脏瓣膜的结构,设计了新型被动式微阀。选用SU-8作为被动式微型阀的结构材料,用ANSYS仿真了不同厚度(10,15,20μm)的阀门膜片在不同压力作用下的挠度与应力,进而确定了合适的阀门膜片厚度。利用微细加工技术,集成加工了微型阀,并由此确定和优化了微型阀的加工工艺。用去离子水作为介质测试了微型阀的过流特性,在正向压力为11.7kPa的压力作用下,测得A、B型被动式微阀的正向流速分别为1.66ml/min和1.35ml/min。对测试数据的分析表明,设计的微型阀有线性控制的潜能。以SU-8胶作为结构材料的微型阀不仅性能较好,同时具有生物兼容性,可扩展微型阀的应用范围。 展开更多

关键词 微电机系统 微流控 被动式微阀 SU-8

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有机玻璃的反应离子深刻蚀 被引量：1

8

作者 张丛春 杨春生 +2 位作者 丁桂甫 毛海平 倪智萍 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期118-121,共4页

以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压... 以有机玻璃薄片为原料,进行反应离子深刻蚀,探讨了有机玻璃的刻蚀反应机理,着重研究了工作气压和功率密度对刻蚀速率、图形形貌的影响.结果表明,O2反应离子刻蚀有机玻璃是以化学刻蚀为主,同时离子碰撞作用也很重要.刻蚀速率开始随气压增大而加快,刻蚀速率主要受氧活性粒子浓度控制;气压超过一定值时,刻蚀速率反而减小,气压太高不利于各向异性刻蚀.刻蚀速率随功率增加而增大,适当增大功率有利于各向异性刻蚀.通过优化刻蚀工艺,可以获得侧壁较陡直光滑的有机玻璃微结构,扩展了加工微结构的方法. 展开更多

关键词 反应离子刻蚀 有机玻璃 微结构 微机电系统

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溅射工艺对LaNiO3薄膜结构和电性能的影响 被引量：1

9

作者 张丛春 杨春生 +1 位作者 石金川 丁桂甫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期48-50,共3页

采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率。借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结... 采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率。借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化。溅射氧分压在10%-25%之间,700℃热处理时可以得到表面光滑致密且电性能较好的薄膜。 展开更多

关键词 磁控溅射 LANIO3 薄膜 显微结构 电阻率

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磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能 被引量：1

10

作者 张丛春 刘兴刚 +1 位作者 石金川 杨春生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期73-76,共4页

用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构... 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。 展开更多

关键词 铜互连 TaN阻挡层 磁控溅射 热稳定性

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溅射工艺对LaNiO_3薄膜结构的影响 被引量：1

11

作者 张丛春 石金川 +1 位作者 刘兴刚 杨春生 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期215-217,共3页

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对... 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显(100)择优取向的薄膜。 展开更多

关键词 溅磁控溅射 镍酸镧薄膜 择优取向 沉积温度

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双离子束溅射Al_(2)O_(3)薄膜高温绝缘特性的研究 被引量：1

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作者 张丛春 黄漫国 +1 位作者 梁晓波 闫博 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期311-315,共5页

随着薄膜传感器在航空工业中的应用,高温绝缘层的研究发展愈加重要。在此研究背景下,采用双离子束溅射的方法制备了Al2 O3薄膜高温绝缘层,探讨了溅射时的衬底温度对Al2 O3薄膜物相结构的影响,并研究了所制备的Al2 O3薄膜从室温至1000℃... 随着薄膜传感器在航空工业中的应用,高温绝缘层的研究发展愈加重要。在此研究背景下,采用双离子束溅射的方法制备了Al2 O3薄膜高温绝缘层,探讨了溅射时的衬底温度对Al2 O3薄膜物相结构的影响,并研究了所制备的Al2 O3薄膜从室温至1000℃范围内的绝缘特性。另外,本文还将所制备的Al2 O3薄膜高温绝缘层应用在热阻型温度传感器中,测试了其在高温环境中的表现。结果表明:双离子束溅射沉积的Al2 O3薄膜主要以非晶形式存在,薄膜断面的微观形貌致密;2μm厚度的Al2 O3薄膜的室温电阻可达2 GΩ,800℃下电阻可达到5 kΩ,表明双离子束溅射方法制备的Al2 O3薄膜绝缘层具有良好的高温绝缘性能。 展开更多

关键词 双离子束溅射沉积 Al_(2)O_(3)薄膜 衬底温度 高温绝缘 温度传感器

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NiTiPd形状记忆合金薄膜的相变和力学特性

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作者 张丛春 杨春生 +2 位作者 丁桂甫 吴键生 钱士强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第3期319-320,324,共3页

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As... 利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As高于100℃。在室温到150℃范围,随着温度升高,薄膜的断裂强度提高,但是残余应变变小。 展开更多

关键词 磁控溅射法 NiTiPd薄膜 相变 力学性能

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一种新型的全局互连结构及其加工方法

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作者 张丛春 刘兴刚 +1 位作者 杨春生 石金川 《微细加工技术》 2007年第6期45-47,共3页

随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该... 随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响。 展开更多

关键词 全局互连 牺牲层 镂空结构 CMP

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MEMS薄膜热流传感器研制 被引量：11

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作者 李娟 张丛春 +3 位作者 杨申勇 丁桂甫 董威 段力 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第5期71-73,共3页

基于微加工技术设计制备了一种微机电系统(MEMS)薄膜热流传感器。采用COMSOL软件,对不同结构参数MEMS薄膜热流计进行仿真模拟,通过对仿真结果对比和分析,优化热流传感器的设计参数。根据优化的设计参数利用MEMS工艺制备薄膜热流计。搭... 基于微加工技术设计制备了一种微机电系统(MEMS)薄膜热流传感器。采用COMSOL软件,对不同结构参数MEMS薄膜热流计进行仿真模拟,通过对仿真结果对比和分析,优化热流传感器的设计参数。根据优化的设计参数利用MEMS工艺制备薄膜热流计。搭建了标定系统,对所制备的MEMS薄膜热流计进行性能测试和标定。实验结果表明:薄膜热流计的电压输出响应曲线的变化趋势和仿真结果一致,此外,薄膜热流计的输出电压和热流密度呈良好的线性关系。 展开更多

关键词 微机电系统技术 热流传感器 聚酰亚胺 COMSOL仿真

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一种金属基聚合物电热微驱动器的设计与仿真 被引量：3

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作者 吴义伯 丁桂甫 +2 位作者 张小波 王亚攀 张丛春 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1752-1756,共5页

提出了一种用于双稳态MEMS继电器的面外运动金属基聚合物电热微驱动器,下层结构使用了环氧树脂型SU-8胶作为驱动层,中间层为蛇形镍电阻丝发热层,上层结构为金属偏置层,构成的多层膜结构在常温下保持悬空部分平直,通电时产生的焦耳热使... 提出了一种用于双稳态MEMS继电器的面外运动金属基聚合物电热微驱动器,下层结构使用了环氧树脂型SU-8胶作为驱动层,中间层为蛇形镍电阻丝发热层,上层结构为金属偏置层,构成的多层膜结构在常温下保持悬空部分平直,通电时产生的焦耳热使微驱动器件发生面外运动。先对设计的微驱动器进行了概念分析,再利用ANSYSTM有限元分析软件的多物理场(电-热-机械耦合)对热驱动器的性能进行了仿真与优化。当SU-8驱动层厚度、热电阻丝厚度、偏置层厚度比分别为12:4:4μm时,所设计器件的驱动性能最佳,即在0.4V驱动电压下,响应时间10ms时微驱动器产生驱动位移28μm,输出力为1mN,功耗为10mW。 展开更多

关键词 面外运动 电热驱动 双层膜效应 SU-8 优化仿真

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PSN,PSLN压电陶瓷结构与介电性能研究 被引量：1

17

作者 崔万秋 张丛春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期372-374,共3页

通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况，发现介电常数表现出明显的频率色散性，相变为弥散相变，但Ｔｍ... 通过固相反应烧结法制备了ＰＳＮ、ＰＳＬＮ陶瓷，对样品进行ＸＲＤ分析，发现有超晶格衍射峰，说明Ｂ位离子部分有序。研究了不同频率下样品的介电常数随温度的变化情况，发现介电常数表现出明显的频率色散性，相变为弥散相变，但Ｔｍ随频率变化不大。ＰＳＬＮ四元系的Ｔｍ较三元系ＰＳＮ低。 展开更多

关键词 PSN PSLN 介电性能 DPT相变 压电陶瓷

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LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响

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作者 石金川 张丛春 +2 位作者 侯捷 杨春生 饶瑞 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期393-396,共4页

利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生... 利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为（100）择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率. 展开更多

关键词 钛酸锶钡薄膜 镍酸镧缓冲层 射频磁控溅射 介电性能

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MEMS高温温度传感器的研制与测量精度研究 被引量：12

19

作者 邵靖 段力 +9 位作者 王强 郑芳芳 谢开成 王云生 陶闻钟 高均超 胡铭楷 张丛春 汪红 丁桂甫 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第9期1352-1358,共7页

航空发动机智能化及其他机械系统的智能化需要原位集成制造的传感器,为此研制了发动机涡轮叶片原位集成高温传感器。该高温传感器采用MEMS微制造工艺将厚度在微米量级的微小传感器原位集成在航空发动机涡轮叶片表面,利用微技术制造的传... 航空发动机智能化及其他机械系统的智能化需要原位集成制造的传感器,为此研制了发动机涡轮叶片原位集成高温传感器。该高温传感器采用MEMS微制造工艺将厚度在微米量级的微小传感器原位集成在航空发动机涡轮叶片表面,利用微技术制造的传感器和标准的热电偶进行了一系列的高温测量试验和一系列细致的高温温度表征测量研究。该微制造工艺攻克了两项技术难关:曲表面的光刻技术和高温绝缘层的制作技术。涡轮叶片表面原位集成的微传感器不仅可以原位测量高达800℃的环境温度,并且具有很高的机械强度,可以承受高达40 g的振动和100 g的冲力。研究还表明,在高温测量环境下,高温测量精度和高温环境下的温度场(高温温度的空间分布与升温时间迟豫)密切相关。由于高温环境温度场的差异,可以产生高达10%的测量本征误差。 展开更多

关键词 传感器 高温测量 MEMS 微制造工艺 软光刻技术 铂金热电阻

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高温ITO薄膜应变计制备及压阻性能 被引量：5

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作者 杨伸勇 张丛春 +5 位作者 杨卓青 李红芳 姚锦元 黄漫国 汪红 丁桂甫 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期145-150,共6页

高温薄膜应变计被广泛应用于极端条件热端构件的应变测量。ITO薄膜应变计通常能够应用于1000℃以上的应变测量,为了研究ITO薄膜的显微结构、XPS光谱、阻温特性及压阻响应,采用磁控溅射在陶瓷基底上制备了ITO薄膜应变计,并在高温纯N2中... 高温薄膜应变计被广泛应用于极端条件热端构件的应变测量。ITO薄膜应变计通常能够应用于1000℃以上的应变测量,为了研究ITO薄膜的显微结构、XPS光谱、阻温特性及压阻响应,采用磁控溅射在陶瓷基底上制备了ITO薄膜应变计,并在高温纯N2中热处理ITO薄膜。结果表明,其电阻温度系数稳定在-750×10-6℃-1,在1200℃下测试其应变特性,测得电阻漂移率为0.0018 h-1,应变因子为16。ITO薄膜在高温下具有稳定的电阻温度系数和低漂移率,为高温端部件应变的测量提供了可能。 展开更多

关键词 ITO薄膜应变计 热处理 高温应变测量 电阻温度系数

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