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Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触 被引量：2
1
作者 冯玉春 张建宝 +3 位作者 朱军山 杨建文 胡加辉 王文欣 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期757-760,共4页
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触... 通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。 展开更多
关键词 p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触
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过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响
2
作者 冯玉春 胡加辉 +4 位作者 张建宝 王文欣 朱军山 杨建文 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期907-910,897,共5页
为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入... 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。 展开更多
关键词 SI(111) CAN ALN ALGAN
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低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂
3
作者 冯玉春 刘晓峰 +2 位作者 王文欣 彭冬生 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期772-776,共5页
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低... 为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。 展开更多
关键词 SI(111) GAN AIN
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功率半导体器件的发展和市场
4
作者 冯玉春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期12-15,共4页
功率半导体器件的全球销售额每年以约１５％的速率增长，而传统器件如ＳＣＲ和ＧＴＲ等的年增长率远小于新型器件。以 Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体，是今后发展的重点。
关键词 功率器件 功率半导体器件 半导体产业 市场
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LED产业技术发展方向无铅焊接工艺
5
作者 冯玉春 《中国照明》 2005年第1期78-79,共2页
以GaN基LED为基础的半导体照明由于其节能、环保、长寿命等独特的优势引爆了研究和产业投资的热潮。2004年是GaN基LED取得长足发展的一年，CREE公司白光LED样品的发光效率在色温6000K时已达到821m／W。色温4600K时为921m／W，与目前日... 以GaN基LED为基础的半导体照明由于其节能、环保、长寿命等独特的优势引爆了研究和产业投资的热潮。2004年是GaN基LED取得长足发展的一年，CREE公司白光LED样品的发光效率在色温6000K时已达到821m／W。色温4600K时为921m／W，与目前日光灯发光效率一样；其量子效率达50％，接近红光LED的最高水平。 随着科学技术及生产工艺的发展，不但提高了白光、蓝光、绿光和紫光LED亮度和使用寿命， 展开更多
关键词 半导体照明 LED产业 无铅焊接工艺 电气照明 发光效率
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一种发光二极管模型中无序光子晶体对光输出影响的研究(英文) 被引量：17
6
作者 李岩 郑瑞生 +2 位作者 冯玉春 刘颂豪 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期902-905,共4页
利用Order-N算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石... 利用Order-N算法及超晶格技术讨论了位置无序及尺寸无序对石墨点阵柱状光子晶体光子带隙的影响·计算结果表明,对于电场偏振模,光子带隙对尺寸无序更加敏感·在此基础上,利用三维时域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体GaN发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小。 展开更多
关键词 无序光子晶体 光子带隙 发光二极管 氮化镓
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一种类分形结构光子晶体的能带 被引量：9
7
作者 李岩 郑瑞生 +2 位作者 田进寿 冯玉春 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期1218-1221,共4页
用时域有限差分方法计算了一种类分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明 ,这种结构的光子晶体在介质柱、空气背景的情况下具有不完全带隙 而且 ,其能带结构随着级数的增大在整体地趋向于低频的同时 。
关键词 光子晶体 带隙 分形
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准分形光子晶体多频带隙的特性及其应用 被引量：8
8
作者 李岩 郑瑞生 +1 位作者 冯玉春 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期310-314,共5页
用时域有限差分方法计算了多种准分形结构光子晶体的能带 数值计算结果表明,这些结构的光子晶体存在多频带隙的特点,且带隙的宽度及中心频率以及带隙中导带的中心频率均随准分形光子晶体单胞内结构单元几何形状的改变而改变.
关键词 光子晶体 带隙 分形 滤波器
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基于Optiwave的脊形SiGe-OI光波导结构设计 被引量：8
9
作者 高勇 冯松 +1 位作者 杨媛 冯玉春 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1692-1696,共5页
利用有效折射率的数值解法,计算出了SiGe-OI脊形光波导的有效折射率.通过对SiGe-OI光波导结构参量的理论分析和计算,得到了SiGe-OI脊形光波导传输单模光波时内外脊高H,h及脊宽W的尺寸.通过Optiwave软件对SiGe-OI脊形光波导进行建模仿真... 利用有效折射率的数值解法,计算出了SiGe-OI脊形光波导的有效折射率.通过对SiGe-OI光波导结构参量的理论分析和计算,得到了SiGe-OI脊形光波导传输单模光波时内外脊高H,h及脊宽W的尺寸.通过Optiwave软件对SiGe-OI脊形光波导进行建模仿真,验证了理论分析和计算的正确性. 展开更多
关键词 SiGe—OI脊形光波导 有效折射率 结构参量
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蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响 被引量：5
10
作者 彭冬生 冯玉春 +2 位作者 刘文 刘毅 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1161-1164,共4页
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率色散公式,计算得到GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果几乎一致;在... 采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率色散公式,计算得到GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果几乎一致;在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜表现出更优异的光学质量和结晶质量,其透射谱具有更高的透射率和更大的调制深度,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略. 展开更多
关键词 GAN薄膜 光学性质 表面处理 MOCVD
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硅微通道板电子倍增器的研制 被引量：6
11
作者 牛丽红 冯玉春 +1 位作者 阔晓梅 王云程 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期354-356,共3页
阐述了新一代硅微通道板的主要性能。采用定向离子深度刻蚀技术在2和4硅片上刻蚀了四组不同直径的硅微通道板微孔阵列,分别采用PECVD技术和液体化学沉积两种方法制作了硅微通道板的连续打拿极,从而探索了研制新一代硅微通道板的途径。... 阐述了新一代硅微通道板的主要性能。采用定向离子深度刻蚀技术在2和4硅片上刻蚀了四组不同直径的硅微通道板微孔阵列,分别采用PECVD技术和液体化学沉积两种方法制作了硅微通道板的连续打拿极,从而探索了研制新一代硅微通道板的途径。利用紫外光电法测试了硅微通道板的增益和增益均匀性。实验结果表明,如果进一步改进制备工艺,硅微通道板可以实现较传统微通道板更高的增益和更好的增益均匀性。 展开更多
关键词 硅 微通道板 定向离子刻蚀 电子倍增
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Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 被引量：3
12
作者 胡加辉 朱军山 +4 位作者 冯玉春 张建宝 李忠辉 郭宝平 徐岳生 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期517-520,i0002,共5页
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致... 利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。 展开更多
关键词 氮化镓 SI(111) 金属有机化学气相沉积 双晶X射线衍射
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Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量 被引量：3
13
作者 卫静婷 冯玉春 +5 位作者 李炳乾 杨建文 刘文 王质武 施炜 杨清斗 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期655-659,共5页
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,... 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。 展开更多
关键词 p型氮化镓 镍/金 比接触电阻率
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Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系 被引量：3
14
作者 朱军山 徐岳生 +3 位作者 郭宝平 刘彩池 冯玉春 胡加辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1577-1581,共5页
利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释... 利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释这种温度的影响.进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系.结果表明,温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌. 展开更多
关键词 MOCVD GAN 缓冲层
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蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响 被引量：2
15
作者 彭冬生 冯玉春 +3 位作者 王文欣 刘晓峰 施炜 牛憨笨 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1443-1447,共5页
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐... 采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐蚀50 min情况下,外延生长的GaN薄膜晶体质量最优,其(0002)面上的XRD半峰全宽为202 .68arcsec ,(10-12)面上的XRD半峰全宽为300 .24arcsec ;其均方根粗糙度(RMS)为0 .184 nm. 展开更多
关键词 表面处理 MOCVD 横向外延生长 GAN薄膜
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控股股东行为与公司治理研究综述 被引量：1
16
作者 冯玉春 潘林 盛强 《统计与决策》 CSSCI 北大核心 2009年第17期136-138,共3页
集中股权结构观点已被学术界广泛认同,在集中股权结构下控股股东的行为及其引发的公司治理问题正得到重视,文章对相关研究进行了综述。控股股东主要通过金字塔结构实现控制权与现金流权的分离,对企业产生了负面和正面两种效应,即掏空与... 集中股权结构观点已被学术界广泛认同,在集中股权结构下控股股东的行为及其引发的公司治理问题正得到重视,文章对相关研究进行了综述。控股股东主要通过金字塔结构实现控制权与现金流权的分离,对企业产生了负面和正面两种效应,即掏空与支持。 展开更多
关键词 控股股东 公司治理 掏空 支持
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MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜 被引量：3
17
作者 彭冬生 冯玉春 牛憨笨 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期66-69,共4页
介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。综述了该技术的发展历程以及最新进展。新型的横向外延过生长技术... 介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。综述了该技术的发展历程以及最新进展。新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜。 展开更多
关键词 无机非金属材料 MOCVD 综述 横向外延过生长 GAN 薄膜
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S i基外延G aN中缺陷的腐蚀研究 被引量：2
18
作者 赵丽伟 刘彩池 +8 位作者 滕晓云 朱军山 郝秋艳 孙世龙 王海云 徐岳生 胡家辉 冯玉春 郭宝平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1079-1082,共4页
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中... 本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高. 展开更多
关键词 GAN 湿法腐蚀 六角腐蚀坑 SEM
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多量子阱中注入载流子的非均匀分布 被引量：2
19
作者 施炜 黄黎蓉 +1 位作者 段子刚 冯玉春 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1313-1316,共4页
根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度,分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性,随量子阱数、注入电流、... 根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度,分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性,随量子阱数、注入电流、量子垒高度的增加而显著增加,随工作温度的升高而减小. 展开更多
关键词 半导体器件与技术 多量子阱 注入载流子 非均匀分布
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硅衬底GaN基LED外延生长的研究 被引量：2
20
作者 彭冬生 王质武 +1 位作者 冯玉春 牛憨笨 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期544-546,共3页
采用在AlN缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外延片,其外延片的总厚度约为1.9μm。采用高分辨率双晶X-射线衍射(DCXRD... 采用在AlN缓冲层后原位沉积SiN掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此基础上外延生长出了GaN基发光二极管(LED)外延片,其外延片的总厚度约为1.9μm。采用高分辨率双晶X-射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)测试分析。结果表明,GaN薄膜(0002)面的半峰全宽(FWHM)降低到403 arcsec,其表面平整度得到了很大的改善;InGaN/GaN多量子阱的界面较平整,结晶质量良好。光致发光谱表明,GaN基LED峰值波长为469.2 nm。 展开更多
关键词 硅衬底 GAN薄膜 发光二极管(LED)
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