摘要
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室与复旦大学、北京高压科学研究中心、南京航空航天大学等合作,在超导拓扑绝缘体CuxBi2Se3的超导机理研究方面取得进展,成功生长出目前该体系最高超导转变温度的单晶样品(Tc=4.18K),进一步系统的电、磁输运性质研究表明该体系属于掺杂半导体家族中的非常规超导体,为铋硒基拓扑材料的超导机理研究作了重要补充。
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2020年第6期28-28,共1页
New Chemical Materials
