有埋层图形外延片表面HCI腐蚀量的控制被引量：1

下载PDF

导出

摘要本文经大量实验和多年工作实践，得到了做有理层图形外延片HCl腐蚀的浓度，HCl腐蚀量的数据。对不同理层图形外延片HCl腐蚀的一些规律现象进行理论分析。最后文章也阐述了有理层图形外延片表面HCl腐蚀不利一面。

作者张国仁孙伯祥陈郁文肖建农

机构地区中国华晶电子集团公司材料工厂

出处《微电子技术》 1995年第4期27-33,共7页 Microelectronic Technology

关键词 HCI腐蚀埋层图形外延片方块电阻腐蚀速率腐蚀量双极集成电路双极电路外延层集电极串联电阻

参考文献1

1曹宏斌.埋层图形横向位移对器件参数影响的研究[J].半导体技术,1994,10(5):37-41. 被引量：1
2衣贵诚.硅外延淀积过程中埋层图形漂移的测量[J].微电子学与计算机,1989,6(6):35-36. 被引量：3
3KATSUHIKO M. Pattern shift measuring method: United States, 5241361[P]. 1993-08-31.
4WEEKS S P. Pattern shift and pattern distortion during CVD epitaxy on (111) and (100) [J]. Solid State Technology, 1981, 24 (11): 111-177.
5KIMURA M, SHINYASHIKI H, SHIMANUKI Y. Behawiour of COPs (pits) on substrate surface during growth of thinepitaxial layer-condition of survival as pits on epi surface[C] //Proceedings of IEEE International Symposium on Semiconductor Manufacturing Conference. San Francisco, CA, USA, 1997: F1-F4.
6KRULLMANN E, ENGL W L. Low-pressure silicon epitaxy[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1982, 29 (4): 491 - 497.
7曾庆光,侯永生.张丽婴,等.外延生长工艺条件对图形完整性的影响[C]//上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会.上海,中国,2004:24-29.
8徐非.硅外延工艺中HCl气相腐蚀技术研究[J].科技创新导报,2008,5(33):254-254. 被引量：4

1曹宏斌.埋层图形横向位移对器件参数影响的研究[J].半导体技术,1994,10(5):37-41. 被引量：1
2张会勇.腐蚀工艺在石英晶体谐振器生产过程中的应用[J].科技与创新,2015(8):157-157. 被引量：2
3宋玲玲,李浩,王利斌.集成电路工艺外延图形漂移剖析[J].微处理机,2015,36(1):19-21. 被引量：1
4傅玉婷,巴俊州,蒋亚雄,颜飞雪.蚀刻液稳定性的研究[J].舰船防化,2010(3):27-29.
5傅玉婷,巴俊洲,蒋亚雄,颜飞雪.研究蚀刻液稳定性的一种方法[J].表面技术,2010,39(1):91-92. 被引量：1
6鞠玉林,李养贤.P型＜100＞硅外延埋层图形畸变与晶向偏离度的关系[J].固体电子学研究与进展,1994,14(1):70-74. 被引量：2
7郑若成,刘丽艳,徐政.Bipolar技术中多晶发射极的腐蚀[J].电子与封装,2004,4(2):47-49.
8李养贤,鞠玉林.P＜100＞Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响[J].Journal of Semiconductors,1996,17(4):241-244. 被引量：2
9周志平,谢湘娜,刘树灵.密闭型温控器无铅焊接焊剂的研究[J].材料研究与应用,2009,3(2):119-122. 被引量：2
10赵丽霞,张鹤鸣.Si外延过程中图形漂移的研究[J].微纳电子技术,2009,46(11):691-694. 被引量：3

微电子技术

1995年第4期

内容加载中请稍等...