半导体技术
-
1魏同立,郑茳,冯耀兰.硅低温双极型晶体管电流增益的分析[J].东南大学学报（自然科学版）,1990,20(6):24-30.
-
2张卫东,汤玉生,郝跃.MOS器件热载流子效应的测试方法[J].西安电子科技大学学报,1997,24(4):509-514. 被引量：3
-
3张安康.热载流子注入效应及其对集成电路性能的影响[J].电子产品可靠性与环境试验,1989(3):23-29.
-
4热载流子模拟的联合简洁可量测△Id模型[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(1):70-70.
-
5郑茳,吴金.电流增益温度稳定的硅双极晶体管[J].电子产品可靠性与环境试验,1992(6):35-40.
-
6滕枫,杨晓晖,徐征,侯延冰,黄宗浩.以ZnO为电子传输层PPV的发光[J].发光学报,1997,18(4):348-350. 被引量：5
-
7侧向DMOS晶体管的热载流子可靠性[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(4):62-62.
-
8郊茳,陈卫东,魏同立,孟江生.77K硅双极晶体管H_(FE)参数的原理与设计[J].东南大学学报（自然科学版）,1991,21(1):65-70.
-
9郑茳,吴金,魏同立.电流增益温度稳定的硅双极晶体管[J].电子器件,1991,14(1):44-50. 被引量：2
-
10含浅沟道绝缘的窄宽度MOSFET热载流子寿命的退化[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(1):70-70.
;
