摘要
三维集成技术取得了突飞猛进的进展,实现了多层堆叠、集成度增加、性能提高以及工艺尺寸降低等成效。然而不可避免的是功耗密度大幅提升,芯片的散热问题上升为限制芯片可靠性的一大因素。热硅通孔(TTSV)在降低芯片温度上具有明显的效果,成为人们关注的焦点。在本文中,我们采用有限元方法,借助COMSOL仿真软件对不同条件下堆叠芯片的散热性能进行了研究,发现用碳纳米管来做硅通孔可以有效地降低芯片的温度,相比其他材料它有着巨大的优势。同时,本文也分析了不同TTSV结构参数对芯片散热的影响,实验得到的数据结果对堆叠芯片的研究具有一定的参考价值。
出处
《电子技术与软件工程》
2018年第18期81-83,共3页
ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING
基金
国家自然科学基金资助项目(61072028)
广东省科技计划项目(2016B090918071
2014A040401076)
广东省自然科学基金(2014A030313441)
广州科技计划项目(201510010169)的支持
