一种新型的多用途发光量子点——InP

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摘要 InP量子点是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料,由于其在禁带宽度、电子迁移率等方面的独特性能而受到广泛关注.研究人员通过控制反应条件、表面修饰以及进行掺杂等对InP材料的性能进行调控,使之更广泛地应用于通信、材料、传感、能源及照明等领域.

作者尉紫冰马皓天李旭关丽

出处《物理通报》 2017年第10期116-116,122,共2页 Physics Bulletin

关键词 InP量子点电子迁移率照明

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物理通报

2017年第10期

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