碳化硅单晶炉真空泄漏的检测方法

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摘要 SiC(碳化硅)单晶炉炉室真空密闭性能是衡量单晶炉设备性能好坏的重要因素。在使用单晶炉和维护过程中,采用不同的工艺循序渐进地对单晶炉真空密闭性能进行检验,可提高单晶炉设备的性能。

作者杜广平

机构地区新疆天科合达蓝光半导体有限公司

出处《石河子科技》 2016年第1期44-46,共3页 Shihezi Science and Technology

关键词单晶炉真空密闭检漏

参考文献3

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石河子科技

2016年第1期

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