P阱硅栅CMOS电路阈值电压漂移现象的分析和采取的解决办法

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摘要针对CMOS集成电路制造工艺中出现的阈值电压漂移问题，通过对大量工艺实验数据的统计分析，提出了电路失效模型，又运用理论分析，找出了问题的原因所在。据此改进了设计和工艺，并经实验验证，效果良好。

作者高庆宁

机构地区中国兵器工业第

出处《集成电路通讯》 2001年第2期13-18,共6页

关键词阈值电压漂移集成电路注入能量 P阱硅栅 CMOS电路

1王向展,于奇,李竞春,宁宁,杨谟华,刘玉奎,谭开洲,何林,严顺炳.一种低压低功耗CMOS ULSI运算放大器单元[J].微电子学,2003,33(5):443-446. 被引量：2
2谭开洲,胡永贵,张家斌.一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究[J].微电子学,1999,29(2):119-122.

集成电路通讯

2001年第2期

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