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Equivalent Doping Transformation Method for Predicting Breakdown Voltage and Peak Field at Breakdown of Epitaxial-Diffused Punch-Through Junction

等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度(英文)
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摘要 Based on a new semi empirical analytical method, namely equivalent doping transformation, the breakdown voltage and the peak field of the epitaxial diffused punch through junction have been obtained. The basic principle of this method is introduced and a set of breakdown voltage and peak field plots are provided for the optimum design of the low voltage power devices. It shows that the analytical results coincide with the previous numerical simulation well. 基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算扩散 -外延穿通 P- N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果 .介绍了等价掺杂转换方法的基本理论 ,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式 ,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置 .
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期256-260,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国家重大基础研究 (973 )资助项目! (合同号 :2 0 0 0 0 3 65 )&&
关键词 epitaxial diffused punch through junction breakdown voltage peak field equivalent doping transformation 扩散-外延穿通P-N结 击穿电压 击穿峰值电场强度 等价掺杂转换方法
  • 相关文献

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