摘要
通过改变发光层的厚度,制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(20nm)/NPBX(50nm)/[Alq3:2%C545(dnm)/Alq3(3nm)]2/Alq3(17nm)/LiF(0.9nm)/Al。在常温下研究了器件的发光层在不同厚度(d=10,15,20和25nm)时的磁电阻(MR,magnetoresistance)特性。实验结果表明,在10V驱动电压的作用下,在相同磁场强度下,器件的厚度越大,电阻率也越大;在驱动电压为10V时,随着磁场强度的增加,10nm厚器件的MR随着磁场的增加而增大,表现正MR特性;而15、20和25nm厚3种器件的MR随着磁场强度的增强先减小后增加并趋于饱和状态,发光层越厚,MR减小的幅度越大,且都表现出负MR特性;获得最大的MR为-10.32%。
We investigated the magnetoresistance （MR） in double-quantum-well organic light-emitting di- odes （OLEDs） through changing the thickness of emitting-layer（Alq3：2% C545）. The device is fabricated as follows：ITO/2T-NATA （20 nm）/NPBX （50 nm）/[Alq3：2% C545 （d nm）/Alq3 （3 nm）]2/Alq3 （17 nm）/LiF （0.9 nm）/A1. We study the MR of double-quantum-well OLED at different thicknesses （d=10 nm,15 nm,20 nm,25 nm） at room temperature and in magnetic field. The result shows that the device resistivity （p） increases with increasing emitting-layer thickness under the same magnetic field intensity and 10 V voltage. The MR can be changed between positve and negative values by adjusting the thickness of emitting layer. MR of 10 m-thick device increases with increasing magnetic field at an ap- plied voltage of 10 V. MR gets smaller remarkably with thickness increasing from 15 nm to 25 nm at 10 V. The maximal MR of -10. 32% is obtained.
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第8期1463-1467,共5页
Journal of Optoelectronics·Laser
基金
吉林省科技发展计划(20082112
20100510
201215221)
吉林省自然科学基金(20101512)
吉林省教育厅"十二五"科研计划(20120175)资助项目
关键词
有机磁电阻(MR)
双量子阱
发光层厚度
organic magnetoresistance （/V/R）
double-quantum-well~ emitting layer thickness
