期刊文献+

一款JFET低噪声前置放大器的设计 被引量:4

Design of JFET Low Noise Preamplifier
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71MΩ,等效输入噪声电压为0.7nV/((Hz)^(1/2)),是一种适合于较高内阻传感器的较理想的低噪声前置放大器电路。 Based on the noise analysis of the the series-wound amplifiers and the JFET, an applied circuit of low-noise preamplifier is designed using JFET and discrete components. The amplitude-frequency characteristics, input impedance and the equivalent input noise voltage are tested. The result indicates that the circuit's input impedance is 71 MΩ and the equivalent input noise voltage is 0.7 nV/√Hz. It is an ideal circuh of low noise preamplifier for the sensors with high internal resistance.
出处 《电声技术》 2009年第11期34-36,共3页 Audio Engineering
关键词 结型场效应管 低噪声 前置放大器 较高内阻传感器 JFET low noise preamplifier high internal resistance sensor
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献10

共引文献19

同被引文献19

引证文献4

二级引证文献15

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部