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碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究 被引量：5

First-principles study on field emission of C-doped capped single-walled BNNT
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摘要 运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优. The electron field emission properties of C-doped capped single-walled BNNT（C@BNNT）are investigated by first-principles study.The results show that with the increase of the applied electric field,the electronic structure of C@BNNT changes significantly,the density of states（DOS）shifts towards the low energy position,the local density of states（LDOS）at the Fermi level increases dramatically,the energy gap between the lowest unoccupied molecular orbital（LUMO）and the highest occupied molecular orbital （HOMO） decreases drastically and the electrons congregate to the capped side. The investigations of DOS, HOMO/LUMO and Mulliken population analysis indicate that, compared with pristine BNNT, the field emission properties of C@ BNNT, especially of C@ BNmcreNT, are greatly improved.
作者 杨敏 王六定 陈国栋 安博 王益军 刘光清
机构地区 西北工业大学应用物理系
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7151-7155,共5页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金(批准号:50771082 60776822) 西北工业大学研究生创业种子基金(批准号:Z200969)资助的课题~~
关键词 碳掺杂 硼氮纳米管 电子场发射 第一性原理 carbon atom doping BNNT electron field emission first-principles
分类号 O469 [理学—凝聚态物理]
  • 相关文献

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共引文献13

同被引文献59

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引证文献5

二级引证文献7

物理学报
2009年 第10期

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