KrF准分子激光器光刻技术

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摘要半导体国片的尺寸已从150mm扩大到200乃至300mm。圆片尺寸的扩大无疑会提高芯片的产量。但要想达到这一目标,还需要解决一些相关的问题。例如,当前有必要开发可用于制造0.25至0.30μm器件的KrF准分子激光器光刻技术。批量生产16兆位的DRAM采用了i线光刻技术。

作者肖迁

出处《世界电子元器件》 1996年第2期20-20,共1页 Global Electronics China

关键词氟化氪准分子激光器光刻激光器

分类号 TN248.21 [电子电信—物理电子学]

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