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基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管
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摘要
第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。
作者
Peter Wannian Huang
Junyang Luo
机构地区
英飞凌科技香港有限公司
英飞凌科技亚太有限公司
出处
《电子设计技术 EDN CHINA》
2006年第11期92-92,94,96-97,共4页
EDN CHINA
关键词
肖特基二极管
肖特基结构
SIC
混合
电流处理
动态性能
碳化硅
第二代
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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2006年 第11期
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