摘要
如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底-介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜-空气界面上全反射,那么反射光束的Goos-Ha¨nchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos-Ha¨nchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好。
The Goos-Hanchen shift （GH shift） of reflected beam is resonance enhanced under some conditions when the incident beam transmits from the high-refractive index prism to the low-refractive index dielectric thin-film and is totally reflected from the film-air interface. In this paper, the GH shift versus the film thickness is directly measured by microwave technology. The experimental measurements confirm the theoretical prediction.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期753-755,共3页
Chinese Journal of Lasers
基金
国家自然科学基金(60377025
60407007)
上海市科委基础研究重点项目(04JC14036)
上海市青年科技启明星跟踪计划(03QMH1405)
上海市教委青年基金(04AC99)
上海市重点学科建设项目(T0104)资助课题
