用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层被引量：2

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摘要用ＳＡＣＰ技术研究ＥＬＩＤ磨削后的单晶硅片表面变质层＊刘世民１，２于栋利２田永君２何巨龙２李东春２陈世镇２（１．秦皇岛玻璃研究设计院，秦皇岛０６６００４）（２．燕山大学，秦皇岛０６６００４）单晶硅片的表面质量是制约制造超大规模集成电路成品率的主要因素...

作者刘世民于栋利田永君何巨龙李东春陈世镇

机构地区秦皇岛玻璃研究设计院燕山大学

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期537-537,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基金国家自然科学基金

关键词单晶硅片表面变质层 SACP技术 ELID 磨削

同被引文献87

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电子显微学报

1996年第6期

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