离子束法生长半导体晶体
-
1赵雷,左玉华,王启明.SiGeC三元合金的研究进展[J].微纳电子技术,2004,41(7):1-9. 被引量：1
-
2刘春香.大直径半导体晶体的发展状况[J].电子材料快报,1995(2):3-4.
-
3刘静,高勇.超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究[J].电子学报,2009,37(11):2525-2529. 被引量：1
-
4石松.德国开发SiGeC技术[J].微电子技术,1999(5):21-21.
-
5刘琳,刘海润,陈京兰.GaN用衬底材料LiGaO_2的完整性研究[J].人工晶体学报,1997,26(3):388-388.
-
6褚连青.采用RTCVD法在（100）Si上生长Si1—x—yGexCy外延层[J].电子材料快报,1995(12):6-7.
-
7程雪梅,郑有炓,刘夏冰,臧岚,朱顺明,韩平,罗志云,江若琏.Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性[J].Journal of Semiconductors,2000,21(7):677-681. 被引量：2
-
8马丽,高勇,刘静,王彩琳.SiGeC异质结功率二极管通态特性研究[J].固体电子学研究与进展,2008,28(3):455-459.
-
9蔡瑞仁,李垚.SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型[J].微电子学,2007,37(3):316-319. 被引量：1
-
10元器件与组件[J].今日电子,2007(12):119-120.
;
