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Ti_(1-x)Co_xO_2铁磁性半导体薄膜研究 被引量:6

Study of ferromagnetic semiconductor films:Ti_(1-x)Co_xO_2
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摘要 利用射频磁控反应溅射制备了Ti1 -xCoxO2 薄膜样品 .超导量子干涉仪 (SQUID)测量了样品在常温 ,低温下的磁特性 .结果显示样品在常温下已经具有明显的铁磁性 .常温时其矫顽力 32× 10 3A m ,饱和磁化强度 5 5emu/cm3 磁性元素的磁矩达 0 6 79μB/Co.饱和场 12× 10 4 A m .x射线衍射 (XRD)和x射线光电子能谱 (XPS)实验分析初步表明样品中没有钴颗粒 . Co-doped TiO2 ferromagnetic semiconductor flms were prepared by rf co-sputtering method and then annealed in vacuum at 300degreesC for 2 h. Superconducting quantum interference device (SQUlD) measurements indicate that the samples are ferromagnetic and the Curie temperature is above 300K. The saturation magnetization, coercivity, and saturation field are 55emu/cm(3), 400 x 80A/m and 1500 x 80A/m at room temperature, respectively. And the magnetic moment was observed to be 0.679mu(B)/Co. No pure Co metal grains were found by x-ray diffraction and x-ray photoemission spectroscopy measurements.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期369-372,共4页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金 (批准号 :5 0 1710 3 6 10 2 3 40 10 ) 国家重点基础研究发展计划 (批准号:973011CB610 60 3 )资助的课题~~
关键词 铁磁性 磁矩 x射线光电子能谱(XPS) 磁控反应溅射 磁特性 饱和磁化强度 半导体薄膜 矫顽力 SQUID 测量 III-V SEMICONDUCTORS DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR CD1-XMNXTE FILMS THIN-FILMS DOPED ZNO GROWTH
  • 相关文献

参考文献27

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同被引文献82

引证文献6

二级引证文献16

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