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半导体量子电子和光电子器件分析 被引量:1
1
作者 郑伟 《无线互联科技》 2017年第14期65-66,共2页
文章主要阐述了半导体异质结构电子的量子特性,对半导体量子电子和光电子器件进行科学的分析,其中,对电子波输运状况、库仑阻塞效应等作出了一定分析基础上,介绍了几种较为新颖的、具有代表性的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型... 文章主要阐述了半导体异质结构电子的量子特性,对半导体量子电子和光电子器件进行科学的分析,其中,对电子波输运状况、库仑阻塞效应等作出了一定分析基础上,介绍了几种较为新颖的、具有代表性的量子电子器件和量子光电子器件的物理模型,并对半导体量子电子和光电子器件运行的基本原理作出了科学的理解。 展开更多
关键词 半导体 量子电子 光电子器件
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电光信号检测的理论分析与实验方法 被引量:4
2
作者 高艳君 田小建 +1 位作者 张大明 衣茂斌 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1999年第4期53-56,共4页
介绍移相扫描电光采样的基本原理,对电光信号检测理论进行分析,并给出实际测量方法和结果.
关键词 电光信号检测 移相 锁相 电光采样 集成电路
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OLED器件光电性能集成测试系统研制 被引量:10
3
作者 刘健 谢文法 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期132-137,共6页
为方便对OLED器件的各项性能进行测试,研发了一种OLED器件光电性能集成测试系统,实现了在同一个软件下的OLED器件的电压、电流、亮度、光谱、色坐标和寿命等特性的集成测试。介绍了计算机与各测试设备的通信方法,通过计算机控制测量仪器... 为方便对OLED器件的各项性能进行测试,研发了一种OLED器件光电性能集成测试系统,实现了在同一个软件下的OLED器件的电压、电流、亮度、光谱、色坐标和寿命等特性的集成测试。介绍了计算机与各测试设备的通信方法,通过计算机控制测量仪器对OLED器件进行测量。使用了Microsoft Visual 2005开发工具,利用MFC(Microsoft Foundation Classes)开发出了图形用户界面下的应用程序。利用TeeChart(西班牙Steema公司研发的图表控件)控件实现了OLED器件性能特性曲线的实时动态显示,并能够对不同器件的测试结果进行性能曲线的对比。编写了色坐标助手软件,实现对测试软件测试的光谱数据的分析显示功能。 展开更多
关键词 有机发光器件 集成系统 器件测试
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1.3μmInGaAsP/InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验 被引量:1
4
作者 马东阁 石家纬 +3 位作者 刘明大 金恩顺 李淑文 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期36-42,共7页
本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程,对减反射涂层结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的输出特性进行了计算,给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的... 本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程,对减反射涂层结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的输出特性进行了计算,给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。 展开更多
关键词 超辐射 发光二极管 涂层 INGAASP/INP 输出特性
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PIN光电二极管电路模型的研究 被引量:6
5
作者 陈维友 刘宝林 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期95-97,共3页
本文给出一个完整的PIN光电二极管(PD)电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用.它可用于直流、交流、瞬态分析.该模型的有效性通过与已报道的实验结果进行比较得到证实。
关键词 PIN 光电二极管 电路模型 计算机 CAA
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弯波导吸收区结构1.3μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的设计 被引量:1
6
作者 马东阁 石家纬 +2 位作者 陈维友 刘明大 高鼎三 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期42-44,共3页
本文用束传播方法(BPM)设计了具有弯曲波导吸收区结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管(SLD),分析了不同吸收区长度La和弯曲的曲率半径R对SLD特性的影响,给出了直观的结果,并进行了优化设计。在假... 本文用束传播方法(BPM)设计了具有弯曲波导吸收区结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管(SLD),分析了不同吸收区长度La和弯曲的曲率半径R对SLD特性的影响,给出了直观的结果,并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为1,和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下,取d=0.2μm,w=2μm,Lp=400μm,La=200μm,R=500μm,I=200mA,经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为9.5×10-3。 展开更多
关键词 发光二极管 结构 波导吸收区 设计
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一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用 被引量:2
7
作者 陈维友 刘式墉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期465-469,共5页
本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──IOCAD,该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术,具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点,只要分析参数适当,IOCAD具有... 本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──IOCAD,该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术,具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点,只要分析参数适当,IOCAD具有足够精度.IOCAD可对满足BPM适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析.本文同时给出几个模拟实例. 展开更多
关键词 光波导器件 IOCAD 束传播法 光波导
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InP/InGaAsP异质结双极晶体管发射极条长及基区宽度的选择 被引量:1
8
作者 陈维友 刘式墉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第1期33-39,共7页
本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频... 本文以Ebers-Moll模型为基础,对InP/InGaAsP异质结双极晶体管的高频小信号调制性能进行计算机辅助分析,研究了影响器件高频性能的几个主要模型参数,讨论了在一定的工作电流下,发射极条长及基区宽度对器件高频小信号调制性能的影响,给出了优化选择发射极条长及基区宽度的近似方法。 展开更多
关键词 异质结 双极晶体管 优化设计 CAA
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用电光采样法研究GaAs集成电路中微带线的电场串扰问题 被引量:1
9
作者 张大明 李德辉 +4 位作者 孙伟 陈开鑫 张洪波 衣茂斌 许武 《光电子技术与信息》 CAS 2001年第1期23-26,共4页
采用静态有限差分法对 GaAs集成电路微带线电极的串扰进行理论计算并与内 部电光采样的实际测量结果进行对比分析。结果表明,当激活电极的宽度为5um,两电极的 距离是10um时,串扰的实际测量值为40%左右,差分计算的结... 采用静态有限差分法对 GaAs集成电路微带线电极的串扰进行理论计算并与内 部电光采样的实际测量结果进行对比分析。结果表明,当激活电极的宽度为5um,两电极的 距离是10um时,串扰的实际测量值为40%左右,差分计算的结果为46%。 展开更多
关键词 电光采样法 集成电路 微带线 电场串扰 砷化镓
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砷化镓高速集成电路内部电信号的光探针直接取样
10
作者 贾刚 衣茂斌 +4 位作者 孙伟 曹杰 王佳生 孙建国 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第5期397-401,共5页
本文介绍了电光取样技术原理报道了砷化镓高速集成电路内部电信号在片直接电光取样测量系统,它的时间分辨率优于20ps,空间分辨率优于3μm。通过对砷化镓共面波导的测量证实该系统可以对砷化镓高速集成电路内部电信号进行在片直... 本文介绍了电光取样技术原理报道了砷化镓高速集成电路内部电信号在片直接电光取样测量系统,它的时间分辨率优于20ps,空间分辨率优于3μm。通过对砷化镓共面波导的测量证实该系统可以对砷化镓高速集成电路内部电信号进行在片直接电光取样测量。 展开更多
关键词 电光取样 高速集成电路 在片检测 砷化镓
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Zr_(0.5)Ti_(0.5)O_2纳米薄膜的光电性能
11
作者 张海峰 张敏 +5 位作者 阮圣平 孟凡旭 冯彩慧 徐洋 陈维友 张歆东 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1785-1788,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了Zr0.5Ti0.5O2复合氧化物纳米薄膜,通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和X射线光电子能谱(XPS)等方法对材料进行了表征.结果表明,纳米薄膜为Zr∶Ti原子比为1∶1的复合材料,薄... 采用溶胶-凝胶法制备了Zr0.5Ti0.5O2复合氧化物纳米薄膜,通过X射线衍射分析(XRD)、扫描电镜分析(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和X射线光电子能谱(XPS)等方法对材料进行了表征.结果表明,纳米薄膜为Zr∶Ti原子比为1∶1的复合材料,薄膜表面平整、致密、光滑,皲裂情况较单纯的TiO2和ZrO2薄膜有明显改善;另外,由于Zr的掺入,薄膜在紫外光波段具有良好的吸收,吸收带较TiO2薄膜有明显的蓝移.通过标准的光刻剥离技术和磁控溅射技术在Zr0.5Ti0.5O2纳米薄膜上制作了叉指型的金属电极.在5 V偏压下,样品对可见光不吸收,对260 nm的紫外光有明显的光电响应,光电流与暗电流之比接近3个数量级. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 ZrxTi1-xO2纳米薄膜 光电性能
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GaAs集成电路芯片在片直接故障检测分析
12
作者 田小建 张大明 +1 位作者 孙伟 衣茂斌 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期23-24,共2页
介绍了一种实用的电光采样测试系统 ,其稳定的光学系统结构可保持精度几年不变 ,单位带宽电压灵敏度为 2 5 2mV/Hz。改进了电子移相扫描法 ,利用倍频移相扫描法对GaAs动态分频器芯片故障进行了在片检测分析。
关键词 集成电路芯片 故障检测 砷化镓
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窗口吸收区结构超辐射发光二极管的优化设计与特性研究
13
作者 马东阁 石家纬 +1 位作者 刘明大 高鼎三 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第4期308-314,共7页
本文从理论上对1.3μm InGaAsP/InP 窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计.并在考虑增益饱和和热效应的条件下,用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性.分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输... 本文从理论上对1.3μm InGaAsP/InP 窗口吸收区结构超辐射发光二极管进行了优化设计.并在考虑增益饱和和热效应的条件下,用耦合速率方程模拟计算了该结构超辐射发光二极管的功率输出特性.分析研究了窗口区长、泵浦区长、有源层厚度和输出腔面反射率对其输出特性的影响.研究结果表明,由于窗口吸收区的有效散射和吸收,很好地抑制了F-P 受激振荡,可用于实现高性能超辐射发光二极管. 展开更多
关键词 窗口吸收区 超辐射 发光二极管 半导体
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用于GaAs高速集成电路芯片的电光采样分析仪
14
作者 田小建 孙伟 衣茂斌 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2000年第4期45-48,共4页
本文介绍了一种实用的电光采集分析仪 ,其稳定的光学系统结构可保持精度几年不变 ,单位带宽电压灵敏度为 2 52mV/Hz ,空间分辨率 3μm ,测量带宽 2 0GHz。用此分析仪对GaAs高速动态二分频器芯片进行了在片测试 ,其测量波形与理论分析... 本文介绍了一种实用的电光采集分析仪 ,其稳定的光学系统结构可保持精度几年不变 ,单位带宽电压灵敏度为 2 52mV/Hz ,空间分辨率 3μm ,测量带宽 2 0GHz。用此分析仪对GaAs高速动态二分频器芯片进行了在片测试 ,其测量波形与理论分析一致。 展开更多
关键词 电光采样 集成电路芯片 分析仪
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InP/InGaAsP1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析
15
作者 陈维友 刘式墉 《光电子技术》 CAS 1993年第4期55-58,共4页
本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用... 本文用束传播法对具有弯曲波导吸收区的超辐射发光二极管进行了计算机辅助分析,研究了有源层厚度、波导宽度、吸收区长度、弯曲波导曲率半径对器件性能的影响。研究结果表明,对于该器件,存在最佳结构参数,使得吸收区对光激射的抑制作用最好。 展开更多
关键词 发光二极管 优化设计 CAD 波导区
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一种基于聚合物材料的延迟线阵列与热光开关集成器件的设计 被引量:4
16
作者 李然 王雷 +8 位作者 陈曦 陈长鸣 衣云骥 段宁 徐帅 刘楠 孙雨 王菲(指导) 张大明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期46-50,共5页
设计了一种基于聚合物材料的延迟线阵列与热光开关的集成器件.利用Rsoft软件设计并模拟了多模干涉热光开关的性能,可实现输出光场强度随电极加热温度变化.设计了螺旋结构的延迟线阵列,利用BPM软件对螺旋结构波导进行数值模拟,综合考虑... 设计了一种基于聚合物材料的延迟线阵列与热光开关的集成器件.利用Rsoft软件设计并模拟了多模干涉热光开关的性能,可实现输出光场强度随电极加热温度变化.设计了螺旋结构的延迟线阵列,利用BPM软件对螺旋结构波导进行数值模拟,综合考虑器件尺寸和损耗参量设计出螺旋结构的弯曲半径.将延迟线阵列结构与热光开关进行集成,能够实现热光控制的聚合物延迟线阵列,该器件可实现的最大延迟时间为399.4ps,延迟间隔为9.2ps.以SiO2为下包层,SU-8紫外固化光刻胶为波导芯层,聚甲基丙烯酸甲脂为上包层,采用旋涂、光刻、湿法腐蚀等工艺制备了1×4延迟线阵列与MMI热光开关的集成器件,测试得到了延迟线阵列的近红外输出光斑,插入损耗为15~19dB. 展开更多
关键词 相控阵天线 延迟线阵列 热光开关 聚合物 集成器件 热光效应 螺旋结构
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一种驱动MOS管工作在饱和区的硅基OLED微显示像素电路 被引量:2
17
作者 戴爽 谢杉杉 +4 位作者 陈鑫 杨春城 张健 赵毅 李传南 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期97-103,共7页
硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问... 硅基OLED微显示中为了在极小的像素面积内实现微小的OLED工作电流,其像素驱动电路的驱动MOS管一般工作在亚阈值区,存在OLED电流对驱动MOS管的阈值电压和栅源电压失配敏感、外围电路复杂等问题,如果驱动MOS管工作在饱和区则可避免这些问题,但为了获得微小的驱动电流,必须采用尺寸大的倒比MOS管,这又与极小的像素面积冲突。本文提出了一种采用脉宽调制(PWM)技术、驱动MOS管工作在饱和区的OLED微显示像素驱动电路,PWM信号减少了一帧内OLED的实际工作时间,OLED的脉冲电流变大,使驱动MOS倒比管的尺寸减小;由于PWM信号占空比小,同时实现了OLED微小的平均像素驱动电流和亮度。结果表明PWM信号占空比为3%时,实现的OLED驱动电流和像素亮度范围分别为27pA^2.635nA、2.19~225.1cd/m^2,同时采用双像素版图共用技术,在15μm×15μm的像素面积内实现了像素驱动电路的版图设计。 展开更多
关键词 硅基OLED微显示 像素驱动电路 脉宽调制(PWM) 驱动MOS管 饱和区
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低电压有机薄膜晶体管驱动顶发射有机发光二极管的集成像素的研制 被引量:2
18
作者 胡胜坤 金玉 +1 位作者 吴志军 王伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1370-1375,共6页
研究了有机薄膜晶体管(OTFT)驱动顶发射有机发光二极管(OLED)的集成制备技术。通过减小栅绝缘层的厚度,达到降低OTFT工作电压的目的。OLED采用标准的绿光器件,利用超薄的Al薄膜作为半透明阴极实现顶发射功能。实现了低电压工作的OTFT与... 研究了有机薄膜晶体管(OTFT)驱动顶发射有机发光二极管(OLED)的集成制备技术。通过减小栅绝缘层的厚度,达到降低OTFT工作电压的目的。OLED采用标准的绿光器件,利用超薄的Al薄膜作为半透明阴极实现顶发射功能。实现了低电压工作的OTFT与顶发射OLED的集成,其中OTFT的阈值电压为2.0 V,饱和场效应迁移率为0.40 cm2·V-1·s-1。基于实验数据,对集成像素的电特性进行了计算分析,在-5^-10 V的栅电压调控下,像素亮度能在50~250 cd/m2的范围内实现线性灰度调控。 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 有机发光二极管 集成像素 灰度控制
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阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
19
作者 邢进 刘素平 +3 位作者 姜秀英 赵方海 曲轶 杜国同 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期272-275,共4页
报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”,测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性.
关键词 发光二极管 SLD TSIS 吸收区结构
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具有锥形波导吸收区的高功率1.3μm超辐射发光二极管的设计
20
作者 白冬菊 陈维友 刘式墉 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第11期1-3,共3页
提出用束传播法设计具有锥形波导吸收区的超幅射发光二极管(SLD)。针对用液相外延生长的InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结SLD,给出SLD性能随锥角、锥形区长度及有源区宽度变化的关系。在此基础上,选出一组最佳参数,假定锥形区后端面反射率... 提出用束传播法设计具有锥形波导吸收区的超幅射发光二极管(SLD)。针对用液相外延生长的InGaAsP/InP双沟平面隐埋异质结SLD,给出SLD性能随锥角、锥形区长度及有源区宽度变化的关系。在此基础上,选出一组最佳参数,假定锥形区后端面反射率为1.0,忽略吸收区的吸收,得到由吸收区后端面反射耦入有源区的波的强度仅为有源区前端面入射波强度的4%。 展开更多
关键词 束传播法 发光二极管 设计 半导体
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