低温氧等离子体对有机薄膜改性的研究 被引量：3

1

作者 程珊华 宁兆元 +3 位作者 葛水兵 徐冬梅 张可达 张雪梅 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期96-98,共3页

在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。... 在氧等离子体中对聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂等有机薄膜进行表面处理。研究了处理时间、放电电流和气压对膜的亲水性的影响。结果表明，经氧等离子体处理后，薄膜表面的含氧极性基团增加了，亲水性得到了改善。但是４种薄膜经等离子体处理后其亲水性变化的程度并不相同，按照接触角减小的程度来排序依次为聚乙烯醇、海藻酸钠、聚乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇脂。这意味着，等离子体辐照有机薄膜对其亲水性改善的效果依赖于薄膜本身的表面结构。 展开更多

关键词 有机高分子膜 等离子体 表面改性 薄膜 低湿氧

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TiN/NbN纳米多层薄膜的交变应力场和超硬效应 被引量：6

2

作者 赖倩茜 虞晓江 +2 位作者 戴嘉维 李戈扬 宁兆元 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第4期313-316,共4页

为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构... 为了研究纳米多层薄膜的超硬效应 ,采用反应溅射法制备从 1 4nm至 2 7nm不同调制周期的一系列TiN/NbN纳米多层膜。高分辨电子显微镜对薄膜的调制结构和界面生长方式的观察发现 ,TiN/NbN膜具有很好的调制结构 ,并呈现以面心立方晶体结构穿过调制界面外延生长的多晶超晶格结构特征。显微硬度测量表明 ,TiN/NbN纳米多层膜存在随调制周期变化的超硬效应。薄膜在调制周期为 8 3nm时达到HK39 0GPa的最高硬度。分析认为 ,两种不同晶格常数的晶体外延生长形成的交变应力场 ,对材料有强化作用 。 展开更多

关键词 纳米多层薄膜 超硬效应 TiN/NbN超晶格薄膜 调制结构 超硬度 交变应力场 氮化钛 氮化铌

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尖晶石型铁氧体薄膜的研究现状 被引量：7

3

作者 陈亚杰 狄国庆 杨莉玲 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 1999年第2期1-9,8,共10页

综述了近十年来国内外有关尖晶石型铁氧体的研究和应用状况，着重介绍了１９９６～１９９８年期间国外有关软磁铁氧体多晶薄膜的成膜技术、物性分析、应用领域、发展前景等方面的最新研究成果。

关键词 尖晶石铁氧体 薄膜 成膜技术 铁氧体

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钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究 被引量：5

4

作者 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期403-404,共2页

采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都... 采用溶胶 凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试 ,研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响 ,结果发现在 60 0℃下退火 1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构 ;常温下 ,薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低 。 展开更多

关键词 铁电薄膜 钛酸镧铅 溶胶-凝胶法 铁电性能 介电性能

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低掺铝TiN薄膜的XPS，XRD分析研究

5

作者 辛煜 宁兆元 +2 位作者 金宗明 薛青 范叔平 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第4期377-380,共4页

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果... 本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。 展开更多

关键词 薄膜 择优取向 XPS XRD 钛铝薄膜

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氧、氮掺杂非晶硅基薄膜的荧光

6

作者 石旺舟 欧阳艳东 +1 位作者 吴雪梅 姚伟国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期71-74,共4页

采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立... 采用PECVD方法分别沉积了SiOx∶H和SiOxNy∶H薄膜 ,测量了其荧光特性。在SiOx∶H薄膜中观察到 3 0 0～ 570nm强荧光辐射带 ,并发现其中心位置随着氧含量的增加而红移的现象。在合适的氧含量条件下 ,荧光带主峰位于蓝光波段 ,并具有分立峰结构。在SiOxNy∶H薄膜中 ,荧光谱由 2 50～ 4 0 0nm、50 0～ 70 0nm两个荧光带和 3 70nm、73 0nm两组分立荧光峰组成。分立峰强度随薄膜中的氮含量增加而升高 ;荧光带中心位置受到沉积过程中氢的流量调制 ,当氢流量增加时 ,发射带的中心位置产生蓝移。 展开更多

关键词 非晶硅基薄膜 荧光 PECVD SiDx:H SiOxNy:H 发光材料

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C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究

7

作者 辛煜 范叔平 +2 位作者 吴建新 金宗明 杨礼富 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期351-354,共4页

以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该... 以C2H2和N2为反应气体，Ar作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti（C，N）薄膜。所制备的薄膜分别用SEM，XRD，XPS等技术进行分析与测试。给果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在1．5～20μm。薄膜呈现了较强的（111）择优取向，且该取向与流量比r＝C2H2／N2有关、薄膜的主要构成是Ti（C，N），但膜中有石墨相存在。 展开更多

关键词 多弧离子法 高速钢 薄膜

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Ge量子点材料的制备工艺研究

8

作者 陈静 吴雪梅 +1 位作者 金宗明 诸葛兰剑 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第3期39-43,共5页

采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与... 采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制. 展开更多

关键词 锗 量子点 射频磁控溅射 制备 半导体

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Pb_(1-x)La_xTiO_3薄膜的制备及介电性质的研究 被引量：1

9

作者 朱卫东 葛水兵 +1 位作者 沈明荣 宁兆元 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第4期405-408,共4页

在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上用溶胶-凝胶法制备了Pb1-xLaxTiO3薄膜,对膜进行XRD、SEM、介电、铁电性能测试,研究了退火温度、掺La量对薄膜性能的影响,结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构,具有(100)面择优取向。在摩尔比x≤... 在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上用溶胶-凝胶法制备了Pb1-xLaxTiO3薄膜,对膜进行XRD、SEM、介电、铁电性能测试,研究了退火温度、掺La量对薄膜性能的影响,结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构,具有(100)面择优取向。在摩尔比x≤0.2的范围内,薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着掺La量的增加而降低,而其相对介电常数和介质损耗却随着掺La量的增加而增加。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 PLT薄膜 制备 介电性质

原文传递

微波等离子体化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜 被引量：3

10

作者 陈修勇 辛煜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期163-168,共6页

利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片... 利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长非晶碳化硅薄膜。实验结果表明碳化硅薄膜沉积速率随气体流量比R(CH4/(CH4+SiH4))的增加而减小、随基片温度的升高明显减小、随沉积气压的增加先增大后减小。红外结构表明:在较低流量比R下,薄膜主要由硅团簇和非晶碳化硅两相组成,而当R>0.5时,薄膜的结构主要由非晶碳化硅组成,薄膜中键合的H主要是Si和C的封端原子。同时,沉积温度的升高使碳化硅薄膜中Si-H,C-C和C-H键的含量减少,而薄膜中Si-C含量明显增加且峰位发生了红移。薄膜相结构的转变是薄膜光学带隙变化的原因。 展开更多

关键词 微波电子回旋共振等离子体 非晶碳化硅 红外光谱 光学带隙

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偏压对多弧离子镀TiN膜层的影响 被引量：7

11

作者 辛煜 范叔平 +3 位作者 宁兆元 杨礼富 薛青 金宗明 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第1期8-10,共3页

主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏... 主要运用多弧离子镀技术研究了偏压对不锈钢基片上镀制的TiN膜层的影响,运用扫描电子显微镜(SEM),X-射线衍射仪(XRD)和附着力测定仪研究了膜表面的钛滴、针孔、膜的取向和临界载荷等性能。结果表明:低偏压下膜表面的针孔密度较小,高偏压下钛滴趋于细化。划痕试验表明:在150～200V偏压下膜层的临界载荷最佳。 展开更多

关键词 多弧离子镀 喷镀 氮化钛 离子镀 镀膜 偏压

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ZnO:Al透明导电膜的制备及其性能的研究 被引量：22

12

作者 葛水兵 程珊华 宁兆元 《材料科学与工程》 CSCD 2000年第3期77-79,共3页

利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从... 利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :掺杂比从0 .75%增至 1 .5%过程中 ,膜的载流子浓度、透光率 (在波长大于 50 0 nm的范围 )和光隙能相应增大。在氧分压强为 0 Pa(不充氧 )、掺杂比为 1 .5%左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 1 0 -4 Ω cm,且在可见光区其透光率超过了 90 %。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 ZnO膜 掺杂比 铝 掺杂 透明导电膜

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纳米多层膜中立方AlN外延生长的HRTEM观察 被引量：5

13

作者 田家万 劳技军 +2 位作者 虞晓江 李戈扬 宁兆元 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期633-634,共2页

关键词 纳米多层膜 AIN 外延生长 HRTEM 高分辨电子显微镜 立方相 氮化铝

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掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响 被引量：4

14

作者 葛水兵 程珊华 +4 位作者 宁兆元 沈明荣 甘肇强 周咏东 褚君浩 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第1期55-58,共4页

用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1... 用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜。通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。掺杂比从 0 .75 %增至 1 .5 % ,膜的载流子浓度、透光率 (波长大于 5 0 0nm)和光隙能相应增大。在掺杂比为 1 .5 %左右时沉积的膜的电阻率达到最小 ,其值为7.1× 1 0 -4 Ωcm ,且在可见光区其透光率超过了 90 %。 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 掺杂比 透明导电膜

原文传递

基片温度对直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积的ITO膜性能的影响 被引量：2

15

作者 程珊华 宁兆元 +1 位作者 葛水兵 蒋紫松 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1997年第1期117-120,共4页

使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程... 使用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法沉积了ＩＴＯ透明导电膜。通过膜的霍尔系数测量及ＸＲＤ、ＳＥＭ分析，详细研究了沉积时的基片温度对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明：基片温度影响膜的载流子浓度，霍尔迁移率以及膜的结晶程度。当基片温度为１５００Ｃ附近时所沉积的膜具有较高的载流子浓度和迁移率，因而电阻率最低，而且结晶良好，具有高的透光率。试验中还研究了加热退火对膜性能的影响。结果表明：后处理（加热退火）的效果与成膜时的基片温度有密切关系。在低基片温度下沉积的膜经过后处理其透光率得到较大改善但电阻率有所上升，在高基片温度下沉积的膜经过后处理其导电和透光性能都变差。存在一个适中的基片温度区，在该温度下采用直流辉光等离子体辅助反应蒸发法可以不必进行后处理，直接沉积出性能良好的ＩＴＯ透明导电膜。 展开更多

关键词 反应蒸发沉积 ITO膜 基片温度 薄膜 光学性能

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掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究 被引量：1

16

作者 葛水兵 程珊华 +1 位作者 宁兆元 沈明荣 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2000年第2期86-88,共3页

利用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜 .通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透射比和电阻率的影响 .结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况 .从... 利用脉冲激光法制备了ZnO :Al透明导电膜 .通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透射比和电阻率的影响 .结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况 .从电学分析看出 :掺杂比从 0 .75 %增至 1.5 %过程中 ,膜的载流子浓度、透射比 (在波长大于 5 0 0nm的范围 )和光隙能相应增大 .在氧分压强为 0Pa、掺杂比为 1.5 %左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 10 -4 Ω·cm ,且在可见光区其透射比超过了 90 % . 展开更多

关键词 脉冲激光沉积 掺杂比 氧分压 ZnO:Al膜 性能

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扫描隧道显微镜针尖的电化学腐蚀制备方法 被引量：14

17

作者 吴雪梅 杨礼富 +2 位作者 甘俊彦 王梦玉 鞠艳 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期47-50,共4页

本文利用电化学腐蚀方法设计并搭建了一种扫描隧道显微镜(STM)针尖制备的直流腐蚀电路。电路中使用了9013三极管和LM311快速比较器,使电解池切断时间低于500ns,成功地制备了质量较高的钨针尖。

关键词 扫描隧道显微镜 电化学腐蚀 钨针尖 针尖

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在有机玻璃基底上制备ITO透明导电膜 被引量：3

18

作者 程珊华 李育峰 宁兆元 《微细加工技术》 EI 1996年第2期54-57,共4页

使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜的透光率和方阻的影响。由于等离子体对膜料的活化和对基片表面的轰击效应．降低了沉积温度。

关键词 氧化铟锡导电膜 有机玻璃基底 低温淀积

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在塑料基底上低温沉积ITO透明导电膜 被引量：1

19

作者 程珊华 李育峰 宁兆元 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第3期34-36,共3页

本文叙述了使用等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备透明导电ITO膜的研究结果。成功地在室温的条件下,制备出了高透明的、满足防静电要求的产品。

关键词 等离子体 氧化铟锡 导电膜 塑料基底 反应蒸发法

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ECR等离子体沉积系统中等离子体特性的模拟 被引量：3

20

作者 宁兆元 郭射宇 程珊华 《微细加工技术》 1996年第4期32-37,共6页

本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从共振区流向衬底的过程中与中性气体发生电荷交换和弹性碰撞。根据等离子体区应满足的电... 本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从共振区流向衬底的过程中与中性气体发生电荷交换和弹性碰撞。根据等离子体区应满足的电荷准中性条件，采用蒙特卡罗方法可计算出自恰的等离子体电位及离子密度分布。从而分析了磁场形态和气压对等离子体密度空间分布，入射到衬底上的离子通量和平均能量的影响，结果表明：磁场形态和气压都可用来独立控制等离子体流的性能，这对于使用该种等离子体源进行薄膜沉积和刻蚀有一定的理论指导意义。 展开更多

关键词 ECR 等离子体 数值模拟 沉积 刻蚀 薄膜

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