期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种基于Hough变换答题卡的识别方法
1
作者 钱京捷 李巧月 +3 位作者 田永宁 周彤彤 许峰川 张桂炉 《中国科技信息》 2024年第21期106-110,共5页
随着科技的发展,答题卡识别技术分为三种,检测纸张透光率、检测红外反射率、全图扫描后检测图像灰度。早期的答题卡识别采用的是透射式识别答题卡,利用透射感光强弱来判定答题卡上的填涂选项。这种识别方式准确性较低,现在已经基本淘汰... 随着科技的发展,答题卡识别技术分为三种,检测纸张透光率、检测红外反射率、全图扫描后检测图像灰度。早期的答题卡识别采用的是透射式识别答题卡,利用透射感光强弱来判定答题卡上的填涂选项。这种识别方式准确性较低,现在已经基本淘汰。十年前的主流技术是使用红外反射式扫描识别答题卡,利用碳元素对红外线的吸收原理。 展开更多
关键词 答题卡 HOUGH变换 识别方式 红外反射 碳元素 图像灰度 红外线 透射式
在线阅读 下载PDF
3300 V-FS-IGBT击穿特性及其相关工艺的研究 被引量：1
2
作者 王学良 钱敏 《功能材料与器件学报》 CAS 2022年第3期265-271,共7页
对于3300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件,因其衬底电阻率非常高,在场限环、场板、场限环+场板、结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)、横向变掺杂(Variation of Lateral Doping,VLD... 对于3300 V高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件,因其衬底电阻率非常高,在场限环、场板、场限环+场板、结终端扩展(Junction Termination Extension,JTE)、横向变掺杂(Variation of Lateral Doping,VLD)、场限环+多级场板等众多提升耐压的方案中,场限环+多级场板是最切实可靠的方案。基于现有的3300 V场截止型(FS)IGBT平面工艺制造平台,采用场限环+多级场板结终端结构,TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真发现场板厚度的增加,其击穿电压也随之增大。将此TCAD仿真设计方案通过不同场板厚度分组试验进行流片验证,击穿电压大于3300 V。但随着场板厚度增加,其翘曲度也跟着相应增加,为此进行了正反面膜质淀积后回流工艺优化,翘曲度显著减少,与场板厚度弱相关,满足了设计要求,实测值与仿真值相吻合。 展开更多
关键词 场截止绝缘栅双极型晶体管 场限环 场板 场限环+场板 场限环+多级场板
原文传递
微电子科学与工程专业“课程思政”改革初探 被引量：2
3
作者 钱敏 陈蕾 周敏彤 《教书育人（高教论坛）》 2023年第12期74-77,共4页
将“课程思政”融入专业课程教学,开展课程思政改革的方面,微电子专业方向课程具有得天独厚的优势,意义重大。首先,需要修订培养方案,包括修订培养目标、培养规格、毕业要求;其次,修订教学内容,发掘德育元素是课程思政改革的主要内容,... 将“课程思政”融入专业课程教学,开展课程思政改革的方面,微电子专业方向课程具有得天独厚的优势,意义重大。首先,需要修订培养方案,包括修订培养目标、培养规格、毕业要求;其次,修订教学内容,发掘德育元素是课程思政改革的主要内容,给出微电子专业方向典型案例,旨在培养学生的家国情怀;再次,改革课程教学模式和完善课程考核评价体系是具体措施;最后,教师课程思政教学能力的提升是保障。最终实现高校立德树人根本目标。 展开更多
关键词 “课程思政” 微电子科学与工程 初索
原文传递
快恢复二极管技术综述
4
作者 王学良 钱敏 《河南科技》 2022年第12期36-41,共6页
本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点,并从阳极发射效率控制技术(如PIN、LLD、SSD、SPEED、MPS等)出发,介绍各类快恢复二极管技术的历史演变... 本研究重点介绍少数载流子寿命控制技术中的全域少数载流子技术和局域少数载流子技术及不同细分的少数载流子寿命控制技术的优缺点,并从阳极发射效率控制技术(如PIN、LLD、SSD、SPEED、MPS等)出发,介绍各类快恢复二极管技术的历史演变及其结构的研究进展。同时,对比分析了另一种快恢复二极管的重要技术——高压钝化技术,如SIPOS技术及PI技术。然后介绍国内外快恢复二极管在各类电力电子领域的应用现状。最后阐释了快恢复二极管技术面临的技术挑战和未来发展趋势。 展开更多
关键词 快恢复二极管 寿命控制 阳极发射 高压钝化
在线阅读 下载PDF
半导体发明史回眸及其创新驱动力探讨
5
作者 王学良 《河南科技》 2022年第18期37-41,共5页
本研究回顾了近150年的半导体理论及技术发明史,根据半导体发明史的特征,可将其划分为3个发明历史阶段,即半导体早期发明史、半导体中期发明史和半导体现代发明史,并对半导体发明史中的创新驱动模式进行探讨,接着阐述三大发明创新模式... 本研究回顾了近150年的半导体理论及技术发明史,根据半导体发明史的特征,可将其划分为3个发明历史阶段,即半导体早期发明史、半导体中期发明史和半导体现代发明史,并对半导体发明史中的创新驱动模式进行探讨,接着阐述三大发明创新模式及其对半导体科技发明创新的影响。 展开更多
关键词 发明 半导体发明创新史 创新驱动模式
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部