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电子束大面积辐照硅片温度分布的计算机模拟
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作者 陶敦仁 祁筑宁 《微细加工技术》 1989年第2期22-30,共9页
本文对聚焦电子束大面积辐照(包括快速多次扫描)硅片的纵向温度分布进行了计算机数值模拟。作者运用表面热导关系计算了硅片底面的传导散热。模拟中还计入了电子在硅中的能量耗散分布、硅的热导率随温度的变化以及硅片两面的辐射散热等... 本文对聚焦电子束大面积辐照(包括快速多次扫描)硅片的纵向温度分布进行了计算机数值模拟。作者运用表面热导关系计算了硅片底面的传导散热。模拟中还计入了电子在硅中的能量耗散分布、硅的热导率随温度的变化以及硅片两面的辐射散热等因素。模拟结果与实验都较好地符合。本文模拟结果特别指出:辐射时间达1毫秒或更长时,如果辐照功率密废达10~3瓦/厘米~2以上,硅片纵向温度分布并不均匀,温度差远远超过10℃。这一结果尚未见国内外文献报道。作者根据模拟结果作了一些推论。 展开更多
关键词 电子束 硅片 温度分布 计算机 模拟
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桑色素在分析化学应用中的新进展 被引量:6
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作者 王修林 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 1992年第3期36-40,共5页
本文介绍了桑色素(Morin)及其金属络合物的性质,并综述了80年代中,桑色素在分析化学应用中的新进展。列出文献54篇。
关键词 桑色素 荧光分析
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LY—3A型冷阴极离子源 被引量:1
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作者 陈亚光 《微细加工技术》 1992年第1期22-28,共7页
本文介绍了LY—3A型冷阴极离子源的工作原理、结构特征和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar、N_2等作放电物质,在离子源放电功率小于100W的情况下,^(31)P^+、^(40)Ar^+、N_2^+的束流强度均大于2mA、^(11)B^+的束流强度大于1mA,同时具有较高成... 本文介绍了LY—3A型冷阴极离子源的工作原理、结构特征和实验结果。用BF_3、PH_3、Ar、N_2等作放电物质,在离子源放电功率小于100W的情况下,^(31)P^+、^(40)Ar^+、N_2^+的束流强度均大于2mA、^(11)B^+的束流强度大于1mA,同时具有较高成份的多电荷态离子。采用溅射的方法离化固体元素,已离化引出~9Be^+、^(27)Al^+、^(24)Mg^+、^(48)Ti^+、^(52)Cr^+、^(96)Mo^+、^(101)Ru^+、^(106)Pd^+、^(157)Gd^+、^(167)Er^+等难熔金属元素离子。 展开更多
关键词 冷阴极 离子源
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等离子体rf电源的现状及其发展
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作者 李华胜 《微细加工技术》 1989年第1期42-46,共5页
一、前言近一、二十年来,随着低温等离子体技术的发展,各种功能的等离子体设备如射频(或射频磁控)溅射、等离子体刻蚀(PE)、反应离子腐蚀(RIE)、等离子体淀积(PECVD)等,正越来越多地受到广大科技工作者所重视,并在许多领域中得到了广泛... 一、前言近一、二十年来,随着低温等离子体技术的发展,各种功能的等离子体设备如射频(或射频磁控)溅射、等离子体刻蚀(PE)、反应离子腐蚀(RIE)、等离子体淀积(PECVD)等,正越来越多地受到广大科技工作者所重视,并在许多领域中得到了广泛地应用。首先在半导体工业用来去胶,刻蚀氮化硅、多晶硅、铝,淀积氮化硅。随之在其它工业也积极使用这一新技术,如沉积各种光学薄膜、敏感薄膜,对化纤、有机物进行表面改性等等。这些新技术、新工艺、新设备的推广应用,必将推动我国的科研生产进入一个新的阶段。 展开更多
关键词 等离子体 rf电源 射频电源
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可编程控制器在LED自动封装机上的应用
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作者 李宗保 《微细加工技术》 1992年第3期60-67,共8页
本文介绍了以OMRON公司SYSMAC—C200H型可编程控制器为核心的控制系统。该系统用于控制发光二极管自动封装机的模具块传动和注胶系统。描述了控制系统的组成,控制原理,位控单元的数据设置及程序设计思想。该系统在调试过程中获得了满意... 本文介绍了以OMRON公司SYSMAC—C200H型可编程控制器为核心的控制系统。该系统用于控制发光二极管自动封装机的模具块传动和注胶系统。描述了控制系统的组成,控制原理,位控单元的数据设置及程序设计思想。该系统在调试过程中获得了满意的结果。 展开更多
关键词 控制器 自动封装机 发光二极管
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