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用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术 被引量：2
1
作者 陈广璐 唐波 +5 位作者 唐兆云 李春龙 孟令款 贺晓彬 李俊峰 闫江 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第6期386-390,共5页
成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工... 成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。 展开更多
关键词 电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应 混合光刻 纳米器件 后栅工艺
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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术 被引量：1
2
作者 黄森 王鑫华 +1 位作者 康玄武 刘新宇 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期65-70,共6页
绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态... 绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展,为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。 展开更多
关键词 功率开关器件 绝缘栅 氮化镓
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纳米材料及HfO2基存储器件的原位电子显微学研究 被引量：2
3
作者 李超 姚湲 +6 位作者 杨阳 沈希 高滨 霍宗亮 康晋锋 刘明 禹日成 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期119-133,共15页
总结了我们将原位技术和透射电子显微学分析方法相结合,针对纳米材料和器件的结构、形貌、成分以及电势分布等物理性质的动态行为所开展的综合物性表征和分析工作.主要成果有:揭示了C_(60)纳米晶须在焦耳热作用下的结构相变路径;观察到... 总结了我们将原位技术和透射电子显微学分析方法相结合,针对纳米材料和器件的结构、形貌、成分以及电势分布等物理性质的动态行为所开展的综合物性表征和分析工作.主要成果有:揭示了C_(60)纳米晶须在焦耳热作用下的结构相变路径;观察到了电荷俘获存储器中的电荷存储位置以及栅极电压诱导的氧空位缺陷;研究了阻变存储器中氧空位通道的形成过程以及导电通道的开关机理.这些成果不但有助于深入理解纳米材料和器件相关功能的物理机理,改善其工作性能,更展示了透射电子显微学在微电子领域强大的研究能力. 展开更多
关键词 透射电子显微学 原位 纳米材料 微电子器件
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二极管原理非制冷红外焦平面阵列的集成设计 被引量：7
4
作者 王玮冰 陈大鹏 +2 位作者 明安杰 欧文 刘战峰 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第6期997-1000,共4页
面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展。焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点。基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺... 面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展。焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点。基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺实现大规模阵列集成方面有很大的优势。读出电路是基于标准CMOS工艺进行设计的。320×240规模的焦平面阵列利用CMOS标准工艺和MEMS工艺集成已经得到了结构实验结果。研究并测得二极管像元的正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K。分析和实验证明了二极管原理非制冷红外焦平面阵列的设计和工艺可行性,是一项可以低成本广泛应用的红外成像技术。 展开更多
关键词 焦平面阵列 红外成像 非制冷 二极管 工艺集成
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应用微波技术抑制光刻胶图形的坍塌与黏连 被引量：3
5
作者 于明岩 施云波 +4 位作者 赵士瑞 郭晓龙 徐昕伟 景玉鹏 陈宝钦 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期149-156,共8页
针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光... 针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光子能量迅速蒸发,从而有效地抑制光刻胶图形的坍塌与黏连现象。利用提出的基于微波加热的干燥方法,成功获取了高260nm、宽16nm的光刻胶线条组和直径为20nm的光刻胶柱形阵列,其中高高宽比线条组和由15 625根柱子组成的柱形阵列结构没有出现坍塌及黏连情况,验证了在微波产生的交变电场作用下,可以减小水分子团簇,降低水的表面张力。 展开更多
关键词 电子束光刻 光刻胶图形 坍塌 黏连 高宽比 微波加热
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基于频率补偿的窄脉冲量子级联激光器快速驱动技术 被引量：3
6
作者 余兆安 姚志宏 +2 位作者 梁圣法 张锦川 吕铁良 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第2期104-109,共6页
脉冲量子级联激光器（QCL）因自热效应会导致谱线展宽，故需极短的电流脉冲驱动。理论极限线宽所需的脉宽为5—15ns，但由于环路寄生参数的影响，窄脉冲会引起信号过冲或振荡，因此目前商用的QCL驱动器无法满足这个要求。为获得更理想... 脉冲量子级联激光器（QCL）因自热效应会导致谱线展宽，故需极短的电流脉冲驱动。理论极限线宽所需的脉宽为5—15ns，但由于环路寄生参数的影响，窄脉冲会引起信号过冲或振荡，因此目前商用的QCL驱动器无法满足这个要求。为获得更理想的激光器线宽，在常规脉冲恒流电路的基础上，采用频率补偿的方法来消除过冲和振荡，并设计了一款稳定的纳秒级激光器驱动电路。实验结果显示该驱动装置实现了峰值电流0～2A、脉宽8．4—200ns、上升时间〈4ns、过冲〈1％的脉冲电流输出。使用中国科学院半导体研究所研制的波长4．6μm激光器和傅里叶变换光谱仪进行测试，当驱动脉宽由100ns减小到10ns时，激光器线宽由0．35cm。线性递减到0．12cm-1。综合验证表明，所设计的驱动装置实现了稳定的窄脉冲电流输出，尤其适用于量子级联激光器的窄线宽驱动及应用。 展开更多
关键词 量子级联激光器 线宽 脉冲驱动电路 LED驱动
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等离子体浸没离子注入技术与设备研究 被引量：2
7
作者 刘杰 汪明刚 +2 位作者 杨威风 李超波 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期626-629,共4页
基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了... 基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法——等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统。采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入 超浅结 感应耦合 线圈结构 脉冲偏压电源
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基于ARM虚拟化扩展的安全防护技术 被引量：4
8
作者 李舟军 沈东 +1 位作者 苏晓菁 马金鑫 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第9期2229-2247,共19页
近几年来,随着移动平台用户量的增加,移动平台安全成为安全领域关注的焦点.而ARM的虚拟化扩展,使得如何基于虚拟化技术进行移动平台的安全防护成为一个研究热点.首先,介绍了虚拟化技术的分类以及早期的相关研究;然后给出了ARM虚拟化扩... 近几年来,随着移动平台用户量的增加,移动平台安全成为安全领域关注的焦点.而ARM的虚拟化扩展,使得如何基于虚拟化技术进行移动平台的安全防护成为一个研究热点.首先,介绍了虚拟化技术的分类以及早期的相关研究;然后给出了ARM虚拟化扩展的相关概念,并与x86虚拟化扩展进行了对比;随后,重点介绍了基于硬件辅助虚拟化技术的安全研究现状,主要包括通用的系统框架以及针对特定攻击的安全工具;最后,对基于ARM虚拟化扩展的安全防护技术的发展方向进行了展望. 展开更多
关键词 ARM 虚拟化 系统安全 移动安全 虚拟机监视器
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原子层沉积技术及其创新运用 被引量：2
9
作者 施云波 于明岩 +1 位作者 饶志鹏 赵士瑞 《纳米技术与精密工程》 CAS CSCD 2014年第5期328-333,共6页
本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition,PEALD)技术的优势及常见运用.相对于传统ALD系统,PEALD最大的特点在于其... 本文分析并总结了涉及原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术基本原理的若干问题.介绍了等离子增强原子层沉积(plasma enhanced atomic layer deposition,PEALD)技术的优势及常见运用.相对于传统ALD系统,PEALD最大的特点在于其能够通过等离子体放电来活化前驱体源,提高对前驱体源,尤其是气态源的利用.利用PEALD这一特点可以增加传统ALD技术中可用氮源的种类.同时PEALD原位掺杂作为一种掺杂方法能够用于对光催化材料的掺杂改性,提高其光催化性能.此外,PEALD技术还适用于温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积,可以获得更低的电阻率和更高的薄膜密度等.本文重点介绍了本课题组提出的PEALD原位掺杂技术及其对TiO2光催化剂的掺杂改性运用.最后对原位掺杂技术的研究方向和发展进行了展望. 展开更多
关键词 原子层沉积 等离子体增强型原子层沉积 原位掺杂 TiO2-xNx
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用于单个纳米颗粒检测的固态纳米孔器件的仿真与优化 被引量：1
10
作者 张宇 魏胜 +3 位作者 李民权 赵超 罗军 黄成军 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期1425-1431,共7页
基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子... 基于固态纳米孔器件的检测技术是近年来的研究热点,它可广泛用于各种纳米颗粒、生物分子检测及DNA测序等各个领域。采用数值方法对两种常用的纳米孔器件,即圆柱形纳米孔和棱台形纳米孔器件在检测纳米颗粒穿过时的局部电场变化以及离子电流特性进行了系统性的仿真和分析,提出了采用纳米孔阻塞电流因子,来评估器件性能。在此基础上,深入分析和讨论了纳米孔的孔径和孔深等参数的变化对检测纳米粒子性能的影响,并提出了优化的纳米孔器件设计方案。研究结果对纳米孔器件的制备,以及其在检测纳米颗粒的应用实践中提供了理论指导。 展开更多
关键词 纳米孔 数值方法 单纳米粒子检测 阻塞电流因子
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衍射光学元件成套制造技术研究进展 被引量：4
11
作者 谢常青 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第15期1815-1827,共13页
从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发... 从图形数据处理、先进光刻、图形转移和大面积高可靠集成4方面开展衍射光学元件关键制造技术研究。在兼容标准CMOS工艺的基础上,提出了高精度、多功能(高保真、高深宽比、高面形、多元化衬基等)、大面积衍射光学元件成套制造技术。研发了精度优于2 nm的复杂图形光刻数据处理体系,提出了混合光刻方法,建立了加法(剥离、电镀)和减法(干法刻蚀、金属辅助化学刻蚀)两种类型、四种图形转移基础方法。实现了从微米尺度到亚10 nm尺度的图形生成,高宽比达12∶1的25 nmAu结构和深宽比达500∶1的30 nmAl_(2)O_(3)纳米管图形转移。在熔石英、多层膜、SiC自支撑薄膜、高面形硅片等衬基上大面积集成制造了多种衍射光学元件,最大面积为142 mm×142 mm,最大自支撑口径达70 mm,最高面形精度PV值达0.03λ,覆盖了可见光到硬X射线波段衍射光学元件的制造需求,能够应用于先进光刻机、同步辐射、激光聚变及X射线天文学中。 展开更多
关键词 衍射光学元件 先进光刻 标准CMOS工艺 GDSII数据处理 图形转移
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InP/Si键合技术研究进展 被引量：3
12
作者 刘邦武 李超波 +1 位作者 李勇涛 夏洋 《电子工艺技术》 2010年第1期12-15,共4页
InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年... InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景。概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析。降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势。比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径。 展开更多
关键词 SI INP 键合 层转移
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载人航天微型磁等离子体辐射防护地面实验
13
作者 贾向红 许峰 +2 位作者 贾少霞 万军 王守国 《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期311-315,321,共6页
星际飞行中的辐射主动防护问题一直是人们研究的焦点,低地轨道飞行中采用的质量厚度屏蔽已经不能满足要求,必须寻找新的空间辐射主动防护技术和方法。在电场、磁场、等离子体膨胀等众多新的主动防护方法中,选取了等离子体膨胀辐射防护... 星际飞行中的辐射主动防护问题一直是人们研究的焦点,低地轨道飞行中采用的质量厚度屏蔽已经不能满足要求,必须寻找新的空间辐射主动防护技术和方法。在电场、磁场、等离子体膨胀等众多新的主动防护方法中,选取了等离子体膨胀辐射防护技术作为研究对象;通过注入高能等离子体使磁场膨胀,从而使空间带电粒子偏转以减少空间辐射对飞行器及航天员的辐射损伤。通过原理性实验,证明了在真空状态下,等离子体的注入可以引起周围磁场发生变化,且同一个点的磁感强度随着射频电源输入功率的增大而增大。其机理还有待进一步的研究。 展开更多
关键词 空间辐射 载人航天 微型磁等离子体 主动防护
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原子层沉积技术研究及其应用进展 被引量：5
14
作者 仇洪波 刘邦武 +5 位作者 夏洋 李惠琪 陈波 李超波 万军 李勇 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第11期701-708,731,共9页
原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点论述了ALD技术的应用进展,主要包括半导... 原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点论述了ALD技术的应用进展,主要包括半导体方面(如IC互连技术、电容器、太阳电池晶体硅表面钝化)以及纳米结构材料方面(如催化剂与燃料电池、光催化、太阳电池、分离膜)。最后,指出了目前ALD在材料制备和生产工艺方面所面临的挑战,并对其未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 原子层沉积(ALD) 薄膜沉积 太阳电池 互连技术 催化剂 分离膜
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脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究 被引量：3
15
作者 彭明娣 卢维尔 +3 位作者 夏洋 王桐 赵丽莉 李楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构... 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 超导Nb金属薄膜 超导转变温度 超导性能 结晶特性
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高性能波导集成型锗pin光电探测器的制备 被引量：3
16
作者 刘道群 李志华 +3 位作者 冯俊波 唐波 张鹏 王桂磊 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第5期305-311,共7页
采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅（SOI）晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采... 采用CMOS兼容工艺,在绝缘体上硅（SOI）晶圆片上制备了高性能波导集成型锗pin光电探测器。该光电探测器锗区长度为15μm,宽度分别为1,2,3,4和5μm。光波导与探测器间的光耦合为倏逝波耦合。为了进一步提高探测器的性能,在结构设计上采用了聚焦耦合光栅及楔形耦合增强结构,在材料生长方面采用了选择性外延生长法,以提高锗的质量。通过暗电流、响应度、带宽及眼图测试对光电探测器性能进行了表征。测试结果表明在-2 V的反向偏压下,尺寸为15μm×4μm的光电探测器暗电流低至169 nA,其在波长1 530 nm处的最高响应度为0.43 A/W,3 dB带宽高达48 GHz并获得40 Gbit/s的清晰眼图。 展开更多
关键词 光电探测器 波导集成 选择性外延 锗(Ge) PIN 绝缘体上硅(SOI)
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面向5 nm CMOS技术代堆叠纳米线释放工艺研究 被引量：2
17
作者 曹志军 张青竹 +7 位作者 吴次南 闫江 王桂磊 李俊杰 张兆浩 殷华湘 余金中 李志华 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期121-126,共6页
针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶... 针对5 nm CMOS技术代亟待解决的纳米线释放难题,通过实验探究了HF(6%)∶H_2O_2(30%)∶CH_3COOH(99.8%)=1∶2∶3的混合溶液放置时间对纳米尺度外延堆叠GeSi/Si/GeSi/Si结构释放影响。混合溶液放置时间在48 h内,GeSi层的腐蚀速率会随着溶液的放置时间的增加而变大,48 h后腐蚀速率趋于稳定。另外,在厚度相同的情况下,Ge Si层的腐蚀速率会随着Ge含量的增加而变大。本文实现了腐蚀纳米尺度GeSi的同时没有对Si造成损伤,对于厚度为31.3 nm的GeSi层,腐蚀的深宽比达到了17∶1,而且没有出现倒塌现象。该湿法腐蚀工艺对于5 nm及以下技术代堆叠纳米线制造、SON结构、新型MEMS和传感器件制造等具有一定的借鉴和指导意义。 展开更多
关键词 GESI HF-H2O2-CH3COOH溶液 纳米线 CH3COOH
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GaN HEMT开关器件小信号模型 被引量：2
18
作者 张宗敬 雷天民 +3 位作者 刘辉 张杰 耿苗 罗卫军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期443-448,455,共7页
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生... GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义。为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路模型。利用不同的方法提取开关器件的寄生电容、寄生电感以及寄生电阻。对于栅极附加有千欧姆量级偏置电阻的开关器件提出了一种新的本征参数提取方法。最后通过引入误差因子来评估该模型的准确性和应用在单刀双掷（SPDT）开关电路中检验模型的正确性。结果表明,误差因子E11=E22〈2.96%,E12=E21〈1.27%,开关电路拟合S参数与实测S参数结果基本吻合。所设计的小信号模型对未来GaN基电路设计提供了一定的理论指导。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 开关 小信号模型 本征参数 误差因子
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等离子体浸没离子注入技术在FinFET掺杂中的应用 被引量：1
19
作者 邹志超 李超波 +1 位作者 罗军 夏洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期596-599,604,共5页
基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利... 基于传统的束线离子注入在对FinFET器件进行保形注入时面临的巨大挑战,介绍一种新的适用于FinFET器件的掺杂技术,即等离子体浸没离子注入技术。总结了与束线离子注入技术相比,等离子体浸没离子注入技术在对FinFET进行掺杂时的优点。利用自行设计并搭建的等离子体浸没超低能离子注入机分别对平面单晶硅和鳍状结构进行离子注入,并对鳍状结构进行快速退火。利用二次离子质谱(SIMS)测量了平面单晶硅的注入结深,通过透射电子显微镜(TEM)测试了退火前后鳍状结构的晶格损伤及修复状况,结果显示,利用等离子体浸没离子注入技术可以对鳍状结构进行有效的掺杂,而且对注入后的样片进行快速退火后,晶格损伤得到良好的修复。 展开更多
关键词 等离子体浸没离子注入 束线离子注入 鞘层 FINFET 保形注入
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大高宽比微纳结构制备关键技术 被引量：1
20
作者 赵健 董连和 +3 位作者 朱效立 谢常青 陈宝钦 史佩雄 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第10期685-690,共6页
利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子... 利用HSQ具有的高分辨率、高反差和低边缘粗糙度等突出的优点并通过大量的工艺实验,摸索出电子束曝光剂量、显影液配比、显影时间和显影温度等优化条件,对电子束曝光剂量与线条宽度的关系进行了探索,有效消除了由于散射电子和背散射电子产生的电子束曝光邻近效应的影响;通过显影液掺适量氯化钠的溶液配比的显影技术有效提高了图形对比度并且分析了氯化钠与HSQ的作用机理;利用二氧化碳超临界干燥法来抑制气液界面毛细管表面张力作用导致的抗蚀剂结构的坍塌和粘连。实验得到了高宽比为12∶1、侧壁陡直性良好的大面积密集纳米结构。 展开更多
关键词 HSQ 电子束光刻 抗蚀剂工艺 CO2超临界干燥 大高宽比结构
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