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双材料微梁阵列非制冷红外成像技术——微梁阵列热变形的光学读出 被引量:2
1
作者 郭哲颖 段志辉 +5 位作者 张青川 伍小平 董凤良 潘亮 陈大鹏 王玮冰 《实验力学》 CSCD 北大核心 2005年第B12期4-10,共7页
针对双材料微梁阵列非制冷红外成像技术的光学读出系统,提出了在谱平面上进行刀口滤波将阵列转角转化为像平面上光强变化的高灵敏度测量技术,并对光学探测灵敏度进行了理论分析。利用该光学读出系统在实验中得到了120℃红外物体的热... 针对双材料微梁阵列非制冷红外成像技术的光学读出系统,提出了在谱平面上进行刀口滤波将阵列转角转化为像平面上光强变化的高灵敏度测量技术,并对光学探测灵敏度进行了理论分析。利用该光学读出系统在实验中得到了120℃红外物体的热图像。通过对实验结果的分析和图像处理消除噪声技术,得到该系统在成像温度范围的噪声等效温度差(NETD)约为5K。并对系统噪声进行了讨论。 展开更多
关键词 双材料微悬臂梁 非制冷红外成像 光学读出
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磷掺杂纳米硅薄膜的研制 被引量:12
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作者 刘明 王子欧 +1 位作者 奚中和 何宇亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期983-988,共6页
用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为... 用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为纳米相结构 .掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小 ,一般在 2 5— 4 5nm之间 ,且排列更加有序 .掺磷nc Si:H膜具有较高的光吸收系数 ,光学带隙在 1 73— 1 78eV之间 ,和本征nc Si:H相同 .掺杂nc Si:H薄膜电导率在 10 -1— 10 1Ω-1·cm-1之间 ,比本征nc Si:H提高了二个数量级 ,室温暗电导最高已达 5 0 5Ω-1·cm-1.同时电导激活能在 0 0 1— 0 0 3eV之间 ,比本征nc 展开更多
关键词 磷掺杂纳米硅 薄膜 PECVD STM
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纳米硅薄膜材料在场发射压力传感器研制中的应用 被引量:2
3
作者 廖波 谢君堂 +5 位作者 仲顺安 王静静 张大成 李婷 郝一龙 罗葵 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2003年第3期205-208,共4页
设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3~9 nm,厚度为30~40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分... 设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3~9 nm,厚度为30~40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性,用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构,用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性.实验结果表明,当外加电场为5.6×103V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2. 展开更多
关键词 纳米硅薄膜材料 场发射压力传感器 场发射特性 量子隧道效应机制 电流密度
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适用于GSM1800移动通信基站前端的高温超导滤波器和子系统原理样机 被引量:1
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作者 何豫生 黎红 +13 位作者 何艾生 李顺洲 李春光 张雪强 袁鹍 阎令文 朱文秀 周远 梁惊涛 李顺洲 何艾生 张太平 洪嘉生 M.J.Lancaster 《中国科学(E辑)》 CSCD 北大核心 2002年第4期479-484,共6页
研制成功可用于移动通信基站接收机前端的高温超导子系统原理样机.该子系统以GSM1800移动通信基站系统为应用背景.它由高温超导滤波器、低噪声放大器、脉冲管制冷机和相关电路组成.工作频段 1710~1785 MHz,增益 18 dB,工作温度70K.
关键词 GSM1800移动通信基站 高温超导滤波器 微波子系统 原理样机 高温超导子系统 脉冲管制冷机
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