纳米氧化锌的固相合成及其气敏特性 被引量：37

1

作者 沈茹娟 贾殿赠 +2 位作者 梁凯 忻新泉 王疆瑛 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第6期906-910,共5页

以酒石酸和乙二胺四乙酸为原料，分别与醋酸锌进行固相反应制得前驱化合物，进而热分解得到气敏材料氧化锌。用 X射线粉末衍射和透射电镜对材料的陶瓷微结构进行了表征，并用静态配气法测试了材料在不同工作温度下对乙醇、氨气、液化石... 以酒石酸和乙二胺四乙酸为原料，分别与醋酸锌进行固相反应制得前驱化合物，进而热分解得到气敏材料氧化锌。用 X射线粉末衍射和透射电镜对材料的陶瓷微结构进行了表征，并用静态配气法测试了材料在不同工作温度下对乙醇、氨气、液化石油气的灵敏度。实验结果表明：用这种方法合成的氧化锌具有粒径小，工作温度低及对乙醇气体灵敏度高的特点。 展开更多

关键词 纳米氧化锌 固相合成 气敏材料 气敏特性

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抑制浪涌电流用NTC热敏电阻器 被引量：18

2

作者 翟继卫 杨文 +1 位作者 沈波 康健 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1996年第2期33-35,共3页

研制一种新型抑制浪涌电流用ＮＴＣ热敏电阻器，其特点为：结构简单，正常工作时元件自身的阻值很小，可将浪涌电流抑制到十分之一以内。适宜用于开关电源中。

关键词 NTC 热敏电阻器 浪涌电流 电子设备 开关电源

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纳米TiO_2/Si薄膜的制备与光催化性能的研究 被引量：36

3

作者 符小荣 宋世庚 +3 位作者 王学燕 谭辉 武光明 陶明德 《感光科学与光化学》 CSCD 1997年第3期234-240,共7页

纳米ＴｉＯ２／Ｓｉ薄膜的制备与光催化性能的研究符小荣１，＊宋世庚１，２王学燕１谭辉１武光明１陶明德１（１中科院新疆物理所，乌鲁木齐８３００１１）（２中科院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室，上海２０００５０）关键词... 纳米ＴｉＯ２／Ｓｉ薄膜的制备与光催化性能的研究符小荣１，＊宋世庚１，２王学燕１谭辉１武光明１陶明德１（１中科院新疆物理所，乌鲁木齐８３００１１）（２中科院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室，上海２０００５０）关键词ＴｉＯ２，光催化，薄膜，溶胶－凝胶... 展开更多

关键词 二氧化钛半导体 薄膜型 光催化剂 溶胶-凝胶法

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Internet网络延迟分析与评测 被引量：15

4

作者 王秀英 周俊林 李晓 《计算机应用研究》 CSCD 1999年第3期18-19,31,共3页

Ｉｎｔｅｒｎｅｔ是当前使用最广泛的广域网，但它的网络延迟也在逐渐增加。本文对Ｉｎｔｅｒｎｅｔ的网络延迟进行了较为全面的分析，并介绍了几种减少网络时延的技术。

关键词 网络延迟 帧中继 ATM CACHE技术 INTERNET网

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Mg－Mn－Fe－O系热敏电阻变B值特性的研究 被引量：7

5

作者 陆峰 程家骐 +1 位作者 李风翔 陶明德 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第6期550-553,共4页

Ｍｇ－Ｍｎ－Ｆｅ－Ｏ系热敏电阻经还原处理后，具有低Ｂ高阻电学特性，不同于一般的ＮＴＣ热敏电阻，其Ｂ值随温度增加呈较大幅度的连续性增加。研究了还原条件、材料组分及烧结温度对样品电特性的影响。

关键词 变B值 宽温区 NTC 热敏电阻

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NTC热敏陶瓷材料设计原理 被引量：3

6

作者 周东祥 刘树英 +2 位作者 龚树萍 康健 陶明德 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第4期56-56,共1页

ＮＴＣ热敏陶瓷材料设计原理周东祥刘树英龚树萍（华中理工大学武汉４３００７４）康健陶明德（中科院新疆物理所乌鲁木齐８３００１１）１ＮＴＣ热敏陶瓷材料设计原理在材料科学发展过程中，随着科学的进步，人类认识的不断深入，材料... ＮＴＣ热敏陶瓷材料设计原理周东祥刘树英龚树萍（华中理工大学武汉４３００７４）康健陶明德（中科院新疆物理所乌鲁木齐８３００１１）１ＮＴＣ热敏陶瓷材料设计原理在材料科学发展过程中，随着科学的进步，人类认识的不断深入，材料科学逐步走向成熟，纵观其发展历程，... 展开更多

关键词 NTC 热敏陶瓷材料 设计 热敏元件

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MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系 被引量：2

7

作者 任迪远 余学峰 +5 位作者 艾尔肯 张国强 陆妩 郭旗 范隆 严荣良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期103-108,共6页

通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验 ,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了 MOS结构热载流子... 通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验 ,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究比较了 MOS结构热载流子损伤特性及与电离辐射损伤的关系。 展开更多

关键词 金属-氧化物-半导体结构 热载流子损伤 电离辐射损伤

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白癜风患者人发的源激发X荧光分析 被引量：2

8

作者 刘昶时 李民乾 +1 位作者 徐耀良 刘慧英 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第1期73-75,共3页

本文用源激发x荧光分析技术,测定了白癜风患者的头发,维吾尔族人头发.分析结果表明白癜风患者头发中Ca、Sr、Zn的含量明显低于健康人,提示白癜风病与微量元素有某种相关性.维吾尔族人头发的微量元素谱不同于汉族人.

关键词 白癜风 病人 毛发 元素 荧光分析

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模型库管理中的模型收集与处理 被引量：2

9

作者 薛文革 周俊林 曹有江 《计算机应用研究》 CSCD 1995年第3期27-29,共3页

本文介绍了模型库管理系统的应用环境，模型的分类及不同模型的主要特征和收集方法，采用面向对象的方法对不同类型模型归一化处理和整理过程，最后对模型库管理系统的可扩充性、适用性及运行环境进行了讨论。

关键词 面向对象 模型处理 模型库管理 模型收集

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辐射感生场氧漏电流对CMOS运算放大器特性的影响 被引量：1

10

作者 陆妩 余学锋 +3 位作者 任迪远 郭旗 郑毓峰 张军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期182-185,共4页

介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明... 介绍了不同版图结构制作的 CMOS运放电路的电离辐照实验结果 ,分析比较了在常规版图及采用了保护环措施后制作的运放电路辐照响应之间的差异。结果显示 ,常规版图制作的运放电路 ,由于存在不易消除的场氧漏电 ,其电路的辐射敏感性会明显增大。而加入保护环后 ,能明显消除这一不利影响 ,从而使电路的抗辐照特性得到改善。 展开更多

关键词 CMOS运算放大器 场氧漏电 氧化物电荷 界面态

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掺HCl栅氧化对MOS结构电特性的影响 被引量：1

11

作者 严荣良 张国强 +1 位作者 任迪远 赵元富 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1994年第1期49-51,共3页

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态... 研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性、阈电压和界面态．结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降。采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 展开更多

关键词 掺杂 氯化氢 MOS结构 电特性

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模型库管理的工程化 被引量：1

12

作者 薛文革 周俊林 曹有江 《计算机应用研究》 CSCD 1995年第4期24-28,共5页

本文介绍了一个模型库管理系统的设计方法、基本结构，特别介绍了模型库系统中采用面向对象的方法可以兼容多种模型的存储和管理是模型库工程化的技术关键，另外还介绍了模型库管理工程化方面的一些原则和具体实现问题。

关键词 模型库管理 工程化 管理信息系统 企业管理

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硅棚MOS结构的辐射感生界面态 被引量：1

13

作者 张玲珊 吾勤之 +3 位作者 刘昶时 王方 赵元富 甘勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第12期7-11,共5页

本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?... 本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?)有着强烈的依赖关系。由上述辐照损伤规律及MOSFET阈值电压漂移公式,可获得加固MOS器件的重要参数—栅氧化层厚度的最佳设计,这为研究Si—SiO_2界面的辐射损伤机制及MOS器件的抗核加固工程提供了重要的实验依据。 展开更多

关键词 MOS器件 辐射 硅栅器件 界面态

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企业管理信息系统的开发方法及工具的研究 被引量：2

14

作者 李晓 周俊林 贾克斌 《计算机系统应用》 1994年第9期19-21,共3页

如何更快更好地开发企业MIS是目前企业管理人员和系统开发人员急待解决的首要问题。因血匕研究企业MIS的开发方法及开发工具是解决上述问题的致关重要的工作。本文将对这一问题作初步的探讨。

关键词 企业 管理信息系统 软件开发

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聚丙烯酸钠溶液的粘性行为 被引量：1

15

作者 赵新 崔建春 +1 位作者 黄海波 李崔 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第6期118-120,共3页

用恒定外加盐浓度稀释法,测定了辐射合成的线型聚丙烯酸钠在含不同浓度的硝酸钠溶液中以及分别添加不同种类的外加盐时的粘性行为。结果表明:聚丙烯酸钠溶液的比浓粘度η_(sp)/C与溶液浓度C随外加盐浓度的升高而降低。当外加盐浓度在一... 用恒定外加盐浓度稀释法,测定了辐射合成的线型聚丙烯酸钠在含不同浓度的硝酸钠溶液中以及分别添加不同种类的外加盐时的粘性行为。结果表明:聚丙烯酸钠溶液的比浓粘度η_(sp)/C与溶液浓度C随外加盐浓度的升高而降低。当外加盐浓度在一定范围内变化时,用直线外推法求得的特性粘数趋于一致。当添加不同种类外加盐时,由于其电离度的差异,对聚丙烯酸钠水解的抑制或消除作用有所不同,从而使外推得到的特性粘数也不相同。 展开更多

关键词 辐射聚合 聚丙烯酸钠 特性粘数

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用XPS研究^(60)Co对抗辐射加固和非加固Si-SiO_2的影响 被引量：1

16

作者 刘昶时 赵元富 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期255-260,共6页

对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强... 对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强烈的依赖关系,而加固样品的XPS谱随辐照条件的变化产生较小的变动。两类Si-SiO_2的XPS谱均显示出辐照剂量对样品的损伤作用大于辐照偏置电场。文中根据辐射在SiO_2-Si中产生电子-空穴对的观点,就实验现象进行了机制分析。 展开更多

关键词 XPS 辐射加固 非加固 SI-SIO2 CO

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管理信息系统开发过程中应注意的问题 被引量：1

17

作者 李晓 《计算机系统应用》 1995年第11期17-19,共3页

本文讨论了在开发管理信息系统（WIS）中遇到的技术问题和经验教训，并以一个具体对象给出了说明。

关键词 管理信息系统 系统开发 数据库 用户界面

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注F　MOSFET漏电流的辐照和退火行为

18

作者 张国强 余学锋 +2 位作者 任迪远 陆妩 严荣良 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期360-364,共5页

分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样... 分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样品；ＮＭＯＳＦＥＴ辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征，注Ｆ对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。 展开更多

关键词 辐射 退火 MOSFET 漏电流 CMOS器件

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接触型光纤高温计

19

作者 何去奢 王涛 +1 位作者 欧芒 王卫 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第1期51-54,共4页

光纤测温技术发展中,目前对它的研究有两种趋势:1.非接触型,它是以光纤作为传输辐射能的辐射高温计,典型代表有日本的Model IR—QF型光纤双色测温仪,以及北京钢铁学院和南京工学院研制的差动光纤测温仪.其弱点是只能测量物体表面温度.2... 光纤测温技术发展中,目前对它的研究有两种趋势:1.非接触型,它是以光纤作为传输辐射能的辐射高温计,典型代表有日本的Model IR—QF型光纤双色测温仪,以及北京钢铁学院和南京工学院研制的差动光纤测温仪.其弱点是只能测量物体表面温度.2.接触型,它解决了高温物体实体温度的测量,1983年美国国家标准局(NBS)首先研制成功蓝宝石光纤高温计,它是在蓝宝石单晶光纤的一端镀铱和氧化铝膜,以形成黑腔.当它插入待测温区后,黑腔内热辐射将沿光纤传输至另一端,测得其强度,就可确定温度.其优点是:量程宽(600～2000℃),精度高,响应快.惜价昂,晶体光纤难得,经多次高低温循环会使铱膜开裂而寿命短,未能实用化.我们利用石英光纤自身受热辐射及其传光特性研制成的接触型光纤高温计解决了这些问题. 展开更多

关键词 高温计 接触型 测温仪 表面温度 测温技术 北京钢铁学院 南京工学院 程宽 辐射系数 氧化铝膜

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热压烧结对Co－Mn－Ni－O热敏材料均匀性的影响

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作者 翟继卫 沈波 +2 位作者 康健 妥万录 庄顺昌 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第3期255-257,共3页

热压烧结能够提高热敏材料的致密度，减少气孔率，且抑制了晶粒的生长。从考察热敏电阻的一致性出发，给出了热压块体材料的电阻率及Ｂ值分布。

关键词 热敏材料 热压烧结 陶瓷型 NTC

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