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超薄基区SiGe HBT基区渡越时间模型
1
作者 李垚 廖小平 +2 位作者 吴晓洁 魏同立 许居衍 《应用科学学报》 CAS CSCD 2000年第3期259-262,共4页
通过分析ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中非平衡效应对载流子温度，扩散系数等参量的影响，建立了超薄ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间模型。
关键词 SIGE 异质结双极晶体管 超薄基区 HBT
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超薄基区SiGe HBT电流传输模型 被引量：1
2
作者 李垚 孔德义 +1 位作者 魏敬和 许居衍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期97-101,共5页
从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅ ＨＢＴ电流传输模型．
关键词 HBT 电流传输 锗化硅 超薄基区
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MCU药物配伍禁忌表 被引量：1
3
作者 陆兰如 《电子器件》 CAS 2001年第2期162-164,共3页
本文介绍了一种既可由家庭自备也可由医院配备的电子产品 ,该产品的使用一方面方便了医护人员 。
关键词 禁忌表 配伍 药物 MCU 计算机应用
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直流变频空调控制器中的红外通讯
4
作者 陆兰如 《电子器件》 CAS 2001年第3期233-236,共4页
本文介绍了变频空调控制器遥控系统的设计 ,通过有效的编码方式及接收滤波使红外通讯准确无误。
关键词 红外遥控 控制器 直流变频空调
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发展中的硅基异质结构
5
作者 李垚 《国际学术动态》 1998年第9期52-54,共3页
笔者于4月中旬参加了在美国旧金山举行的1998材料研究协会春季会议(MRS 1998Spring meeting)。会议主席由Sandia国家实验室的J.A.Emerson,Michigan大学的R.Gibala,麻省理工学院的C.A.Ross和Rensselaer工业学院的L.J.Schowalter教授担任... 笔者于4月中旬参加了在美国旧金山举行的1998材料研究协会春季会议(MRS 1998Spring meeting)。会议主席由Sandia国家实验室的J.A.Emerson,Michigan大学的R.Gibala,麻省理工学院的C.A.Ross和Rensselaer工业学院的L.J.Schowalter教授担任。会议共设32个分会场,主题从计算材料科学到电子材料到生物材料,分析方法多样;从显微镜到同步加速器到扫描探针显微镜等。 展开更多
关键词 硅基异质结构 非晶硅 微晶硅 微电子材料
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