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一种具有可调折返过流保护的LDO电路设计
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作者 王晶 张瑛 +2 位作者 李玉标 罗寅 方玉明 《电子与封装》 2025年第2期62-67,共6页
基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO... 基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO环路。该设计的限流点为13.78 mA,短路电流为0.56 mA,在输入电压为3.4~42 V、输出电压为3V时,线性调整率不超过0.5 mV/V,且在轻载和重载情况下,相位裕度分别为89.7°和74.7°,1 kHz时电源抑制比为-65 dB。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 过流保护 折返限流 闩锁 无内部补偿
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采用交叉耦合误差放大器的低压高增益LDO设计
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作者 张锦辉 朱春茂 张霖 《电子与封装》 2025年第1期52-58,共7页
设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最... 设计了一种低输入电压、高增益的LDO,其误差放大器采用交叉耦合结构来增大环路增益,并通过密勒电容和调零电阻的串联引入1个左半平面的零点,确保该电路的频率响应环路稳定性。采用0.35μm标准CMOS工艺进行仿真,输入电压为1.5 V、负载最大电流为100 mA。仿真结果表明,构建的LDO可以将输出电压稳定在1.2 V,环路的低频增益在轻载的情况下高达122 dB,芯片面积为0.196 mm2,且相位裕度在重载情况下亦能做到大于58°,静态电流为21.2μA。由于交叉耦合误差放大器的使用,电路的精度得到很大提高,负载调整率可以达到0.007%,所设计的LDO有较高的应用价值。 展开更多
关键词 低压 交叉耦合 ldo 跨导运算放大器
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Pyroptosis,ferroptosis,and autophagy in spinal cord injury:regulatory mechanisms and therapeutic targets
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作者 Qingcong Zheng Du Wang +1 位作者 Rongjie Lin Weihong Xu 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS 2025年第10期2787-2806,共20页
Regulated cell death is a form of cell death that is actively controlled by biomolecules.Several studies have shown that regulated cell death plays a key role after spinal cord injury.Pyroptosis and ferroptosis are ne... Regulated cell death is a form of cell death that is actively controlled by biomolecules.Several studies have shown that regulated cell death plays a key role after spinal cord injury.Pyroptosis and ferroptosis are newly discovered types of regulated cell deaths that have been shown to exacerbate inflammation and lead to cell death in damaged spinal cords.Autophagy,a complex form of cell death that is interconnected with various regulated cell death mechanisms,has garnered significant attention in the study of spinal cord injury.This injury triggers not only cell death but also cellular survival responses.Multiple signaling pathways play pivotal roles in influencing the processes of both deterioration and repair in spinal cord injury by regulating pyroptosis,ferroptosis,and autophagy.Therefore,this review aims to comprehensively examine the mechanisms underlying regulated cell deaths,the signaling pathways that modulate these mechanisms,and the potential therapeutic targets for spinal cord injury.Our analysis suggests that targeting the common regulatory signaling pathways of different regulated cell deaths could be a promising strategy to promote cell survival and enhance the repair of spinal cord injury.Moreover,a holistic approach that incorporates multiple regulated cell deaths and their regulatory pathways presents a promising multi-target therapeutic strategy for the management of spinal cord injury. 展开更多
关键词 AUTOPHAGY cell death ferroptosis INFLAMMATION pathological mechanisms PYROPTOSIS regulated cell death regulatory pathways spinal cord injury therapeutic targets
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Regulator of G protein signaling 6 mediates exercise-induced recovery of hippocampal neurogenesis,learning,and memory in a mouse model of Alzheimer’s disease
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作者 Mackenzie M.Spicer Jianqi Yang +5 位作者 Daniel Fu Alison N.DeVore Marisol Lauffer Nilufer S.Atasoy Deniz Atasoy Rory A.Fisher 《Neural Regeneration Research》 SCIE CAS 2025年第10期2969-2981,共13页
Hippocampal neuronal loss causes cognitive dysfunction in Alzheimer’s disease.Adult hippocampal neurogenesis is reduced in patients with Alzheimer’s disease.Exercise stimulates adult hippocampal neurogenesis in rode... Hippocampal neuronal loss causes cognitive dysfunction in Alzheimer’s disease.Adult hippocampal neurogenesis is reduced in patients with Alzheimer’s disease.Exercise stimulates adult hippocampal neurogenesis in rodents and improves memory and slows cognitive decline in patients with Alzheimer’s disease.However,the molecular pathways for exercise-induced adult hippocampal neurogenesis and improved cognition in Alzheimer’s disease are poorly understood.Recently,regulator of G protein signaling 6(RGS6)was identified as the mediator of voluntary running-induced adult hippocampal neurogenesis in mice.Here,we generated novel RGS6fl/fl;APP_(SWE) mice and used retroviral approaches to examine the impact of RGS6 deletion from dentate gyrus neuronal progenitor cells on voluntary running-induced adult hippocampal neurogenesis and cognition in an amyloid-based Alzheimer’s disease mouse model.We found that voluntary running in APP_(SWE) mice restored their hippocampal cognitive impairments to that of control mice.This cognitive rescue was abolished by RGS6 deletion in dentate gyrus neuronal progenitor cells,which also abolished running-mediated increases in adult hippocampal neurogenesis.Adult hippocampal neurogenesis was reduced in sedentary APP_(SWE) mice versus control mice,with basal adult hippocampal neurogenesis reduced by RGS6 deletion in dentate gyrus neural precursor cells.RGS6 was expressed in neurons within the dentate gyrus of patients with Alzheimer’s disease with significant loss of these RGS6-expressing neurons.Thus,RGS6 mediated voluntary running-induced rescue of impaired cognition and adult hippocampal neurogenesis in APP_(SWE) mice,identifying RGS6 in dentate gyrus neural precursor cells as a possible therapeutic target in Alzheimer’s disease. 展开更多
关键词 adult hippocampal neurogenesis Alzheimer’s disease dentate gyrus EXERCISE learning/memory neural precursor cells regulator of G protein signaling 6(RGS6)
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Enhancing rectal cancer liver metastasis prediction:Magnetic resonance imaging-based radiomics,bias mitigation,and regulatory considerations
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作者 Yuwei Zhang 《World Journal of Gastrointestinal Oncology》 2025年第2期318-321,共4页
In this article,we comment on the article by Long et al published in the recent issue of the World Journal of Gastrointestinal Oncology.Rectal cancer patients are at risk for developing metachronous liver metastasis(M... In this article,we comment on the article by Long et al published in the recent issue of the World Journal of Gastrointestinal Oncology.Rectal cancer patients are at risk for developing metachronous liver metastasis(MLM),yet early prediction remains challenging due to variations in tumor heterogeneity and the limitations of traditional diagnostic methods.Therefore,there is an urgent need for noninvasive techniques to improve patient outcomes.Long et al’s study introduces an innovative magnetic resonance imaging(MRI)-based radiomics model that integrates high-throughput imaging data with clinical variables to predict MLM.The study employed a 7:3 split to generate training and validation datasets.The MLM prediction model was constructed using the training set and subsequently validated on the validation set using area under the curve(AUC)and dollar-cost averaging metrics to assess performance,robustness,and generalizability.By employing advanced algorithms,the model provides a non-invasive solution to assess tumor heterogeneity for better metastasis prediction,enabling early intervention and personalized treatment planning.However,variations in MRI parameters,such as differences in scanning resolutions and protocols across facilities,patient heterogeneity(e.g.,age,comorbidities),and external factors like carcinoembryonic antigen levels introduce biases.Additionally,confounding factors such as diagnostic staging methods and patient comorbidities require further validation and adjustment to ensure accuracy and generalizability.With evolving Food and Drug Administration regulations on machine learning models in healthcare,compliance and careful consideration of these regulatory requirements are essential to ensuring safe and effective implementation of this approach in clinical practice.In the future,clinicians may be able to utilize datadriven,patient-centric artificial intelligence(AI)-enhanced imaging tools integrated with clinical data,which would help improve early detection of MLM and optimize personalized treatment strategies.Combining radiomics,genomics,histological data,and demographic information can significantly enhance the accuracy and precision of predictive models. 展开更多
关键词 Metachronous liver metastasis Radiomics Machine learning Rectal cancer Magnetic resonance imaging variability Bias mitigation Food and Drug Administration regulations Predictive modeling
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基于混合阈值反相器的低功耗无片外电容LDO
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作者 盛祥和 郭少威 +3 位作者 卢杨 陈龙 杨业成 王少昊 《微电子学与计算机》 2025年第2期120-127,共8页
无片外电容低压差线性稳压器(Low-Dropout Regulator,LDO)具有输出纹波小、集成度高等优势。为了克服仅将运算放大器作为误差放大器(Error Amplifier,EA)时LDO瞬态响应较慢的问题,可在运算放大器后级联多级反相器并增加输出反馈电容来改... 无片外电容低压差线性稳压器(Low-Dropout Regulator,LDO)具有输出纹波小、集成度高等优势。为了克服仅将运算放大器作为误差放大器(Error Amplifier,EA)时LDO瞬态响应较慢的问题,可在运算放大器后级联多级反相器并增加输出反馈电容来改善EA的响应速度。但是当多级反相器仅采用标准阈值电压晶体管时,该EA方案中的静态功耗较高且在瞬态响应期间晶体管容易进线性区。本文提出一种采用混合阈值两级反相器的无片外电容LDO结构,通过在末级反相器中采用高阈值电压晶体管替代相同尺寸的标准阈值晶体管,能够将静态电流降低75%的同时仅损失约20%的瞬态响应性能。此外,设计中还加入了阈值电压修调(Threshold Voltage Modulation,TVM)模块,避免高阈值电压晶体管在瞬态响应过程中关断。本文采用SMIC 55nmCMOS工艺对提出的LDO设计进行了仿真。结果表明,该LDO设计在输入、输出电压分别为1.2 V和1.1 V时,整体静态电流仅10μA,实现了低功耗性能。当负载电流在30 ns内发生了20 mA的跳变时,其输出上冲电压为36 mV,恢复时间为36 ns。此外,该LDO的线性和负载调整率分别为0.17 mV/V和0.2μV/mA,低频时电源抑制比为-98 dB。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 混合阈值反相器 快速瞬态响应 低静态电流
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Design of an OP-AMP Based on a LDO Regulator 被引量:4
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作者 樊华 冯全源 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1905-1909,共5页
An operational amplifier (OP-AMP) with a ground current of about 0.6μA is presented. Moreover, this amplifier reaps the benefits of incorporating a foldback current limiting circuit,which enables the low-dropout vo... An operational amplifier (OP-AMP) with a ground current of about 0.6μA is presented. Moreover, this amplifier reaps the benefits of incorporating a foldback current limiting circuit,which enables the low-dropout voltage regulator without the need of a special current limiting subblock. Therefore,the object of ultra-low power is realized because of a great reduction in transistors and current limbs. 展开更多
关键词 operational amplifier ground current ldo foldback current limiter
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一种低功耗高稳定性的LDO设计 被引量:2
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作者 谢海情 曹武 +2 位作者 崔凯月 赵欣领 刘顺城 《电子设计工程》 2024年第14期115-120,共6页
基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应... 基于Nuvoton 0.35μm CMOS工艺,设计了一种低功耗、高稳定性、高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。误差放大器为交叉耦合结构,通过调节耦合对的比例可在低电流下获得相对大带宽和高增益,从而保证系统稳定性。电路基于自适应偏置结构,动态跟随负载电流变化,为前级误差放大器提供偏置电流,提高环路带宽进而提高LDO的瞬态响应。仿真结果表明,LDO的输入范围为1.3~3.3 V,输出电压稳定在1.2 V,压差仅为100 mV;全负载范围内相位裕度(PM)最差为64.4°;负载电流在0.1μA~20 mA跳变时,欠冲电压为71.52 mV、恢复时间为526 ns,过冲电压为90.217 mV、恢复时间为568 ns,最小静态电流为5.17μA。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 无片外电容 低功耗 瞬态响应
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一种进行环路隔离的大电流高电源抑制比LDO设计 被引量:1
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作者 张加宏 沙秩生 +2 位作者 王泽林 刘祖韬 邹循成 《电子测量技术》 北大核心 2024年第3期24-30,共7页
针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMO... 针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMOS功率管栅极驱动电压的较低纹波并实现大电流输出。通过加入纹波电流吸收电路,增强了LDO的PSRR。结果表明,在3.41~5.5V的输入电压范围内,LDO的输出电压为3.3V,输出电流最高达到3 A,压差为110 mV。LDO在轻负载下的PSRR为:111.261dB@DC,86.9005dB@1kHz,78.9472dB@1MHz;重负载下的PSRR为:111.280dB@DC,84.1231dB@1kHz,39.2638dB@1MHz。 展开更多
关键词 NMOSldo 大电流 环路隔离 高PSRR
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一种宽电源范围高电源抑制比的LDO设计 被引量:1
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作者 沈俊杰 张瑛 +2 位作者 陈德媛 熊天宇 罗寅 《微电子学与计算机》 2024年第12期120-131,共12页
针对工业及汽车电子等领域对输入电压范围、电源噪声抑制能力要求较高的应用场景,设计了一种宽电源范围、高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regulator,LDO)。提出了一种新型高压... 针对工业及汽车电子等领域对输入电压范围、电源噪声抑制能力要求较高的应用场景,设计了一种宽电源范围、高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regulator,LDO)。提出了一种新型高压预稳压电路,通过负反馈电流以及三极管共源共栅交叉耦合结构,改善了内部低压电源(LV_AVDD)线性调整率以及温漂等性能。同时,通过预稳压电路进一步提高了LDO的PSRR。基于0.18μm BCD工艺完成了高压预稳压模块以及LDO环路模块的整体电路搭建,实验结果表明:当电源电压范围为10~40V、温度范围为-40~125℃时,LV_AVDD输出5.574 V,温漂为1.358×10^(-5)℃^(-1),线性调整率为0.763 mV/V;LDO输出电压为3.325 V,低频电源抑制比达到-120.1 dB。 展开更多
关键词 宽电源范围 高电源抑制比 低压差线性稳压器 预稳压电路 负反馈 交叉耦合结构
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基于前馈补偿的快速响应无片外电容LDO设计
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作者 孙帆 黄海波 +2 位作者 卢军 王卫华 彭国生 《电子测量技术》 北大核心 2024年第17期31-37,共7页
无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左... 无片外电容低压差线性稳压器(LDO)可以为高度集成的片上系统(SoC)提供低噪声、低纹波的电源电压。针对无片外电容LDO瞬态响应速度较慢、稳定性较差的问题,采用有源前馈补偿技术加快功率管的充放电速率,提高LDO的瞬态响应速度;且引入左半平面零点,改善系统的稳定性。同时,前馈补偿电路可以使LDO在轻载和重载之间变化时,自适应地在二级级联放大器和三级级联放大器结构之间切换,确保LDO在全负载范围内保持稳定。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行电路的设计。仿真结果表明,在片上负载电容为20 pF且负载电流在0~200 mA变化时,设计的无片外电容LDO能够工作在1.7~2.8 V的输入电源电压下,稳定输出1.5 V的供电电压,系统在全负载范围内的相位裕度大于45°。当负载电流在1μs内,在0 mA和200 mA之间跳变时,过冲和下冲电压小于100 mV,恢复时间低于0.6μs。设计的LDO在高稳定性、快速瞬态响应和宽负载范围方面取得了较好的性能。 展开更多
关键词 无片外电容ldo 前馈补偿 环路稳定性 快速瞬态响应 宽负载范围
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一种用于低噪声LDO的动态零点补偿技术
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作者 吴嘉祺 姚思远 +3 位作者 刘智 陈泽强 魏巍 于洪波 《微电子学与计算机》 2024年第1期142-150,共9页
为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出... 为提高低压差线性稳压器(Low-DropOut Linear Regulator,LDO)的稳定性并降低前馈电路所产生的噪声,提出了一种生成自适应补偿零点的低噪声前馈电路。该前馈电路通过镜像调整管的负载电流,通过低值反馈电阻形成高增益反馈信号,与LDO输出电压经反馈网络传递给反馈端的信号耦合形成由负载电容、负载电流控制的可控零点,可有效提高LDO电路整体的稳定性。此外,电路内部加入了产生动态极点的自适应电流补偿电路以保证次极点不会对环路的相位裕度产生影响。基于0.18μm BCD工艺设计,该电路在0~800 mA的宽负载范围、5 V输入3.3 V输出下相位裕度均高于48°,适用负载电容范围≥1μF,同时该LDO在10~100 kHz的频率范围内输出噪声仅为5.0617μVrms。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器(ldo) 前馈电路 自适应补偿 低噪声 频率补偿 稳定性
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一种应用于LDO的温度保护电路设计 被引量:5
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作者 龙泳希 李伙生 +1 位作者 段志奎 于昕梅 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期46-51,共6页
温度保护电路是LDO芯片的重要组成部分,能够保证LDO及其负载电路工作在安全温度区间内,避免温度过高而导致芯片损坏。提出了一种应用于LDO的温度保护电路,使芯片工作温度过高时自动关闭供电通路。所提出的温度保护电路利用双极晶体管基... 温度保护电路是LDO芯片的重要组成部分,能够保证LDO及其负载电路工作在安全温度区间内,避免温度过高而导致芯片损坏。提出了一种应用于LDO的温度保护电路,使芯片工作温度过高时自动关闭供电通路。所提出的温度保护电路利用双极晶体管基极-发射极电压的温度特性,当温度过高时将比较器状态翻转,输出控制信号控制调整管的栅极电压。本电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺进行电路设计并用Spectre软件进行仿真验证,结果显示本电路能够实现130℃关断LDO,温度下降到105℃重启LDO恢复工作,温度迟滞为25℃,工艺角仿真结果显示该电路工艺稳定性良好。 展开更多
关键词 ldo芯片 温度保护 电路安全
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一种高PSR低静态电流LDO设计
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作者 王天凯 张瑛 +2 位作者 程双 杨华 王宁 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第2期221-227,共7页
设计了一种基于0.18μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电... 设计了一种基于0.18μm BCD工艺的高电源抑制(PSR)低静态电流低压差线性稳压器(LDO)。详细分析了多条电源噪声传递路径对系统PSR的影响。为优化系统中低频段PSR,设计了一种双轨供电的三级误差放大器。此外还引入了预稳压单元,降低了电压基准模块对系统低频段PSR的影响。为降低系统的静态电流,设计了一种基于耗尽管的超低静态电流电压基准。仿真结果表明,该LDO在不同输出电压下静态电流仅5μA,并且在250 mA负载电流内PSR<-110 dB@1 kHz, PSR<-55 dB@1 MHz。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 电源抑制 预稳压器 低静态电流
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Dual Micro-power 150mA Ultra LDO CMOS Regulator with Fast Startup
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作者 Peng Zheng Hai-Shi Wang 《Journal of Microelectronic Manufacturing》 2019年第4期13-17,共5页
This paper presents a dual micro-power 150mA ultra LDO CMOS regulator,which is designed for high performance and small size portable wireless devices.The proposed LDO has been designed and simulated in 0.5μm 2P3M CMO... This paper presents a dual micro-power 150mA ultra LDO CMOS regulator,which is designed for high performance and small size portable wireless devices.The proposed LDO has been designed and simulated in 0.5μm 2P3M CMOS Process.It can guarantee 150mA output current per circuit and the leakage voltage is 60mV,1nA quiescent current when both are in shutdown mode,and it has 115μA ground current,output noise is 42μVrms,130μs fast turn-on circuitry and the junction temperature range is-40℃to 125℃. 展开更多
关键词 low dropout regulator(ldo) dual micro-power ultra.
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一种高PSRR高稳定性的LDO设计
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作者 杨煌虹 武华 +2 位作者 陈翰民 黄沥彬 曹先国 《电子器件》 CAS 2024年第2期344-349,共6页
提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Power Supply Rejec... 提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。基于CSMC 0.18μm工艺对提出的LDO电路进行仿真验证,芯片面积为150μm×131μm。该LDO在4.5 V~5.5 V的输入电压范围下,稳定输出不受温度影响的2.5 V电压;于1 mA轻负载下,电源抑制比在低频处为-103.3 dB,在1 MHz处超过-60 dB。当输出电容为2.2μF时,LDO电路轻载下相位裕度为58.3°,重载下相位裕度为64.1°,具有良好的系统稳定性。 展开更多
关键词 ldo 高PSRR 高稳定性 前馈纹波消除技术 带隙基准电路
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水滑石衍生CuMgFe-LDO催化剂协同净化氮氧化物和甲醇
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作者 徐欣欣 冀芸丽 +2 位作者 武鲜凤 安霞 吴旭 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第5期1890-1902,共13页
NH_(3)-SCR催化剂同时去除NO_(x)和挥发性有机物(VOCs)引起了人们的广泛关注,然而,VOCs的存在会对脱硝反应产生负面影响,尤其在低温条件下。本研究选定水滑石衍生复合氧化物(Cu)MgFe-LDO催化剂探索协同脱除NO_(x)和甲醇性能,着重考察Cu... NH_(3)-SCR催化剂同时去除NO_(x)和挥发性有机物(VOCs)引起了人们的广泛关注,然而,VOCs的存在会对脱硝反应产生负面影响,尤其在低温条件下。本研究选定水滑石衍生复合氧化物(Cu)MgFe-LDO催化剂探索协同脱除NO_(x)和甲醇性能,着重考察Cu的引入以及CuO_(x)和FeO_(x)相互作用对协同反应的影响,并对所制备的催化剂进行表征测试。结果表明,含Cu催化剂的脱硝活性均高于MgFe-LDO催化剂,最佳催化剂Cu_(0.5)MgFe-LDO在230~300℃温窗内具有较好的脱硝活性和甲醇氧化性能。适量引入Cu加强了Cu、Fe物种间的相互作用,有利于氧化还原循环,从而产生更多的氧缺陷及活性氧,过量Cu掺杂会破坏催化剂结构,降低表面酸性,引入Cu可以减缓甲醇对SCR反应的抑制作用。这些结果可为实际应用SCR催化剂协同去除VOCs提供指导。 展开更多
关键词 类水滑石 CuMgFe-ldo 甲醇氧化 NH3-SCR 协同脱除
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高稳定性快速响应的无片外电容LDO设计
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作者 谢晋 李景虎 +3 位作者 吴思妮 陈启彬 涂瑞泳 罗志聪 《微电子学与计算机》 2024年第7期119-126,共8页
针对光通信集成电路及片上系统的电源与电路之间相互干扰的问题,基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种高稳定性、快速响应的无片外电容低压差线性稳压器(Capacitor-Less Low Dropout Regulator,CL-LDO)。LDO电路包括带隙基准模块、推挽... 针对光通信集成电路及片上系统的电源与电路之间相互干扰的问题,基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一种高稳定性、快速响应的无片外电容低压差线性稳压器(Capacitor-Less Low Dropout Regulator,CL-LDO)。LDO电路包括带隙基准模块、推挽误差放大器、电源抑制比(Power Supply Rejection,PSR)增强电路和尖峰抑制电路。推挽误差放大器为共栅极输入,有效降低了输出阻抗。放大器交叉耦合输入的方式显著提升了功率管摆率,内部添加拓补结构解决了环路增益过低及对称性差的问题,采用密勒补偿实现了0~100 pF全负载电容条件下系统稳定。主环路结合尖峰抑制电路改善瞬态性能,PSR增强电路产生可修调的负电容消除了功率管栅端产生的电源纹波,有效提升了LDO中频段电源抑制比。仿真结果表明,负载电流在0~100 mA内,该LDO的上冲电压和下冲电压分别为58 mV和89 mV,最小恢复时间为1.2μs,全负载范围内最差的相位裕度为64°,空载状态下的电源抑制比为99.2 dB@10 kHz,在不同工艺角下最差的负载调整率和线性调整率分别为0.016 mV/mA和5.1 mV/V。 展开更多
关键词 无片外电容 高稳定性 快速响应 ldo 推挽放大器
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胃癌患者癌组织LDOC1、GNL3L表达及其与病理特征、预后的关系
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作者 毛建娜 沈裕厚 +1 位作者 段花玲 高琦 《河南医学研究》 CAS 2024年第21期3904-3908,共5页
目的探讨胃癌患者癌组织中亮氨酸拉链下调因子1(LDOC1)、鸟嘌呤核苷酸结合蛋白样3-样蛋白(GNL3L)表达水平及与患者病理特征、预后的关系。方法收集2019年12月至2022年12月新乡市中心医院收治的65例胃癌患者癌组织标本(胃癌组)及对应癌... 目的探讨胃癌患者癌组织中亮氨酸拉链下调因子1(LDOC1)、鸟嘌呤核苷酸结合蛋白样3-样蛋白(GNL3L)表达水平及与患者病理特征、预后的关系。方法收集2019年12月至2022年12月新乡市中心医院收治的65例胃癌患者癌组织标本(胃癌组)及对应癌旁组织标本(癌旁组)。采用免疫组化法检测组织中LDOC1、GNL3L表达水平。采用χ^(2)检验分析LDOC1、GNL3L表达与胃癌患者临床病理特征的关系,多因素Cox回归分析探讨影响胃癌患者预后的相关因素。结果胃癌组LDOC1阳性表达率(30.76%)低于癌旁组(61.52%),GNL3L阳性表达率(72.31%)高于癌旁组(43.07%)(χ^(2)=12.381、11.377,P<0.05)。低分化、肿瘤直径>3 cm、TNM分期Ⅲ/Ⅳ期、淋巴结转移的胃癌患者LDOC1阴性率、GNL3L阳性率高于中/高分化、肿瘤直径≤3 cm、TNM分期Ⅰ/Ⅱ期、无淋巴结转移患者(P<0.05)。LDOC1阳性表达患者3 a生存率(85.00%)高于LDOC1阴性表达患者(37.77%),GNL3L阳性表达患者3 a生存率(36.17%)低于GNL3L阴性表达患者(94.44%)(P<0.05)。低分化、TNM分期Ⅲ/Ⅳ期、淋巴结转移胃癌患者的3 a生存率低于中/高分化、TNM分期Ⅰ/Ⅱ期、无淋巴结转移患者(P<0.05)。多因素Cox回归分析显示,TNM分期Ⅲ~Ⅳ期(HR=2.113,95%CI:1.425~3.133)、淋巴结转移(HR=2.625,95%CI:1.564~4.404)、LDOC1阴性表达(HR=5.607,95%CI:3.408~9.224)、GNL3L阳性表达(HR=2.930,95%CI:1.716~5.003)是胃癌患者预后的危险因素(P<0.05)。结论LDOC1在胃癌患者中呈低表达,GNL3L在胃癌患者中呈高表达,二者均与患者临床病理特征、预后有关。 展开更多
关键词 胃癌 预后 亮氨酸拉链下调因子1 鸟嘌呤核苷酸结合蛋白样3-样蛋白
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宽范围负载CL-LDO的设计
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作者 唐俊龙 关浩 +2 位作者 邓欢 李振涛 邹望辉 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期109-116,共8页
针对规模与功耗骤增的集成电路发展趋势,设计了一种可以提供宽范围负载电流的无片外电容型低压差线性稳压器(CL-LDO).为了解决宽范围负载电流与无片外电容等需求所带来的稳定性问题与瞬态特性问题,提出了动态零点补偿的方式与瞬态增强... 针对规模与功耗骤增的集成电路发展趋势,设计了一种可以提供宽范围负载电流的无片外电容型低压差线性稳压器(CL-LDO).为了解决宽范围负载电流与无片外电容等需求所带来的稳定性问题与瞬态特性问题,提出了动态零点补偿的方式与瞬态增强电路结构,既保障了整体电路在全负载范围内保持稳定,又实现了较好的瞬态特性.基于0.11μm CMOS工艺,完成电路设计、版图设计与仿真,仿真结果表明,在0~500 mA的负载范围内,整体环路增益可以达到68 dB;最小相位裕度为56°;当负载电流在1~500 mA之间发生跳变时(Δt=500 ns),输出过冲和下冲分别为56 mV和141 mV,建立时间分别为2μs和0.78μs;PSR为-67.2 dB@1 kHz,负载调整率为0.137μV/mA. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 动态零点补偿 瞬态增强 宽范围负载
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