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Designing ultrastable P2/O3-type layered oxides for sodium ion batteries by regulating Na distribution and oxygen redox chemistry 被引量:1
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作者 Jieyou Huang Weiliang Li +3 位作者 Debin Ye Lin Xu Wenwei Wu Xuehang Wu 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第7期466-476,共11页
P2/O3-type Ni/Mn-based layered oxides are promising cathode materials for sodium-ion batteries(SIBs)owing to their high energy density.However,exploring effective ways to enhance the synergy between the P2 and 03 phas... P2/O3-type Ni/Mn-based layered oxides are promising cathode materials for sodium-ion batteries(SIBs)owing to their high energy density.However,exploring effective ways to enhance the synergy between the P2 and 03 phases remains a necessity.Herein,we design a P2/O3-type Na_(0.76)Ni_(0.31)Zn_(0.07)Mn_(0.50)Ti_(0.12)0_(2)(NNZMT)with high chemical/electrochemical stability by enhancing the coupling between the two phases.For the first time,a unique Na*extraction is observed from a Na-rich O3 phase by a Na-poor P2 phase and systematically investigated.This process is facilitated by Zn^(2+)/Ti^(4+)dual doping and calcination condition regulation,allowing a higher Na*content in the P2 phase with larger Na^(+)transport channels and enhancing Na transport kinetics.Because of reduced Na^(+)in the O3 phase,which increases the difficulty of H^(+)/Na^(+) exchange,the hydrostability of the O3 phase in NNZMT is considerably improved.Furthermore,Zn^(2+)/Ti^(4+)presence in NNZMT synergistically regulates oxygen redox chemistry,which effectively suppresses O_(2)/CO_(2) gas release and electrolyte decomposition,and completely inhibits phase transitions above 4.0 V.As a result,NNZMT achieves a high discharge capacity of 144.8 mA h g^(-1) with a median voltage of 3.42 V at 20 mA g^(-1) and exhibits excellent cycling performance with a capacity retention of 77.3% for 1000 cycles at 2000 mA g^(-1).This study provides an effective strategy and new insights into the design of high-performance layered-oxide cathode materials with enhanced structure/interface stability forSIBs. 展开更多
关键词 Sodium-ion batteries P2/O3-type layered oxides Na distribution Oxygen redox chemistry Hydrostability
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展 被引量:4
2
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第1期1-7,共7页
半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较... 半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 展开更多
关键词 ga2o3单晶 ga2o3外延 β-ga2o3肖特基二极管 β-ga2o3金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) β-ga2o3鳍式场效应管(FinFET)
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β-Ga2O3材料在半导体技术领域的应用现状 被引量:3
3
作者 赵金霞 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第12期870-877,916,共9页
单斜晶系氧化镓(β-Ga2O3)超宽带半导体材料具有优良的电学、光学特性以及较高的物理化学稳定性,在大功率器件、紫外探测器以及气体传感器等技术领域具有巨大的应用前景,近年来已成为国际研发的热点。概述了β-Ga2O3半导体材料的特性... 单斜晶系氧化镓(β-Ga2O3)超宽带半导体材料具有优良的电学、光学特性以及较高的物理化学稳定性,在大功率器件、紫外探测器以及气体传感器等技术领域具有巨大的应用前景,近年来已成为国际研发的热点。概述了β-Ga2O3半导体材料的特性优势。综述了β-Ga2O3在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器、衬底材料以及GaN器件栅介质领域的研发和应用现状。最后,分析了β-Ga2O3材料在半导体技术领域的应用前景,指出大功率半导体器件领域和日盲深紫外探测器领域将是未来发展的重要方向。 展开更多
关键词 ga2o3 β-ga2o3功率器件 β-ga2o3紫外探测器 β-ga2o3气体传感器 ga2o3衬底
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Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O复相粉体对Al_(2)O_(3)-SiC-C浇注料性能的影响
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作者 李有奇 何健 +2 位作者 陈俊峰 张嘉良 李正坤 《耐火材料》 北大核心 2025年第1期1-7,共7页
为了提高Al_(2)O_(3)-SiC-C浇注料的综合服役性能,采用化学燃烧法合成的微晶氮化硅/氮氧化硅(Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O)复相粉体为添加物,以棕刚玉、板状刚玉、碳化硅、活性α-Al_(2)O_(3)微粉、SiO_(2)微粉、纯铝酸钙水泥、单质Si粉... 为了提高Al_(2)O_(3)-SiC-C浇注料的综合服役性能,采用化学燃烧法合成的微晶氮化硅/氮氧化硅(Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O)复相粉体为添加物,以棕刚玉、板状刚玉、碳化硅、活性α-Al_(2)O_(3)微粉、SiO_(2)微粉、纯铝酸钙水泥、单质Si粉和球沥青为原料,制备了Al_(2)O_(3)-SiC-C浇注料。研究了复相粉体外加量(外加质量分数分别为0、1%、2%、3%和5%)对浇注料性能的影响,同时探究Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O增强试样综合性能的作用机制。结果表明:1)Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O复相粉可以显著改善Al_(2)O_(3)-SiC-C浇注料的力学性能、抗氧化性能和抗热震性;2)Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O复相粉通过填充孔隙、促进烧结反应进行、生成晶须状物质等途径优化了浇注料的显微结构,提高了浇注料的综合性能;3)当Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O复相粉外加量为3%(w)时,浇注料的性能最佳。 展开更多
关键词 Si_(3)N_(4)/Si_(2)N_(2)O复相粉 Al_(2)O_(3)-SiC-C浇注料 抗氧化性 抗热震性
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Ga2O3薄膜材料氧敏性能的研究
5
作者 侯峰 王科伟 +1 位作者 徐廷献 徐明霞 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期875-877,共3页
实验以三氯化镓为原料,柠檬酸为络合剂,通过NH3·H2O调节pH值,得到透明稳定的前躯体溶胶,红外光谱分析表明上述溶胶在向凝胶转变过程中,发生镓与柠檬酸的络合,并在干燥过程中依靠氢键形成大分子聚合物.采用提拉涂覆溶胶-凝胶法在多... 实验以三氯化镓为原料,柠檬酸为络合剂,通过NH3·H2O调节pH值,得到透明稳定的前躯体溶胶,红外光谱分析表明上述溶胶在向凝胶转变过程中,发生镓与柠檬酸的络合,并在干燥过程中依靠氢键形成大分子聚合物.采用提拉涂覆溶胶-凝胶法在多晶氧化铝基片表面形成凝胶膜后,经800℃下热处理,凝胶膜转化为单斜相β-氧化镓陶瓷薄膜.重复镀膜和热处理及超声清洗过程8个~10个周期,最后在800℃下烧结,保温1h,得到粒径为50nm~100nm左右的多孔纳米薄膜.采用自制系统检测β-Ga2O3薄膜的氧敏性能,结果表明:Fe掺杂的氧化镓薄膜材料,在400℃~800℃范围内,在理论空燃比附近,电阻突变幅度大于2个数量级,具有较高的灵敏度. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 ga2o3薄膜 氧敏性能
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高电流密度Ga2O3 MOSFET器件的研制
6
作者 田秀伟 马春雷 +3 位作者 刘沛 韩婷婷 宋旭波 吕元杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期740-744,786,共6页
研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^(18)cm^(-3),n型沟道... 研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010) Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^(18)cm^(-3),n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积(ALD)厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。 展开更多
关键词 氧化镓(ga2o3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 漏源饱和电流密度 离子注入 击穿电压
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Ga2O3/HZSM-5催化剂上丙烷脱氢反应 被引量:6
7
作者 任英杰 华伟明 +1 位作者 乐英红 高滋 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1162-1167,共6页
以直接水热合成和低硅沸石高温水蒸气脱铝两种方法制备了不同Si/Al摩尔比的HZSM-5载体,考察了Ga2O3/HZSM-5催化剂上丙烷脱氢制丙烯的反应性能.结合XRD,N2气吸附,27Al MAS NMR和NH3-TPD等表征方法,讨论了催化剂酸性质和孔性质与性能的关... 以直接水热合成和低硅沸石高温水蒸气脱铝两种方法制备了不同Si/Al摩尔比的HZSM-5载体,考察了Ga2O3/HZSM-5催化剂上丙烷脱氢制丙烯的反应性能.结合XRD,N2气吸附,27Al MAS NMR和NH3-TPD等表征方法,讨论了催化剂酸性质和孔性质与性能的关系.实验结果表明,减少催化剂表面的中强酸量可以显著提高反应的稳定性和丙烯的选择性;水蒸气脱铝所增加的介孔有同样的效果,这可能是由于介孔的存在有利于丙烯的脱附和扩散而抑制了寡聚、环化等副反应的发生,减少了表面积炭的可能性. 展开更多
关键词 ga2o3/HZSM-5 丙烷 脱氢 二氧化碳 稳定性
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Ga2O3对Ag30CuZnSn药芯银钎料钎缝组织及钎焊接头性能的影响 被引量:5
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作者 浦娟 薛松柏 +3 位作者 吴铭方 龙伟民 王水庆 林铁松 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期46-52,I0003,共8页
向Ag30CuZnSn药芯银钎料药粉中添加Ga2O3,研究了Ga2O3对Ag30CuZnSn药芯银钎料钎缝组织的影响及钎焊接头性能的影响.结果表明,微量Ga2O3可以显著提高Ag30CuZnSn药芯银钎料的润湿铺展性能且可以减少药芯中钎剂的添加量.Ga2O3添加量为0.4%... 向Ag30CuZnSn药芯银钎料药粉中添加Ga2O3,研究了Ga2O3对Ag30CuZnSn药芯银钎料钎缝组织的影响及钎焊接头性能的影响.结果表明,微量Ga2O3可以显著提高Ag30CuZnSn药芯银钎料的润湿铺展性能且可以减少药芯中钎剂的添加量.Ga2O3添加量为0.4%(质量分数)时,钎料润湿铺展性能和钎焊接头抗剪切强度达到最佳值.这是因为Ga2O3属于表面活性物质,可以显著降低熔融钎料和母材之间的界面张力,从而提高了钎剂粉末的去膜效果,进而提高银钎料的润湿铺展性能.药芯银钎料基体及钎缝组织主要由以CuZn相为主的固溶体、银基固溶体和铜基固溶体构成.火焰钎焊时,添加0.4%Ga2O3(质量分数)时作用效果最佳,钎缝组织的细化与钎着率的提高(钎着率提高至95%以上)使得钎焊接头抗剪强度提高了11%以上,钎焊接头断口组织的形貌证明了上述结果. 展开更多
关键词 ga2o3 Ag30CuZnSn药芯银钎料 润湿性能 微观组织 抗剪切强度
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后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga2O3薄膜性质的影响 被引量:4
9
作者 李如永 段苹 +3 位作者 崔敏 王吉有 原安娟 邓金祥 《真空》 CAS 2019年第3期37-40,共4页
本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(202)和(120)峰从无到有,(401)、(601)和... 本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga2O3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(202)和(120)峰从无到有,(401)、(601)和(122)峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga2O3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明,退火前薄膜在200-1500nm波长范围内的平均光透过率较低,大约为80%,退火后平均光透过率明显提高到90%以上,此外薄膜光学吸收边蓝移,带隙宽度变大,表明退火有助于改善薄膜结构,增强光透性。光致发光谱实验结果表明,相比较退火处理后的薄膜,退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计,这说明退火可显著改变Mg掺杂Ga2O3薄膜的光致发光特性。 展开更多
关键词 后退火 Mg掺杂ga2o3薄膜 光透过率 带隙宽度 光致发光谱
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Ga2O3薄膜的常温磁控溅射制备对其结构及光学特性的影响 被引量:3
10
作者 邵雨 蔡长龙 杨陈 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1096-1101,共6页
本文通过常温射频磁控溅射在单抛硅片和石英玻璃基底上溅射制备Ga2O3薄膜。采用分光光度计和椭偏仪测试薄膜的紫外光波段的透过率、折射率和光学吸收,利用X射线光电子能谱(XPS)测试了不同氧气氛下Ga2O3薄膜中氧元素的化学价态及其含量,... 本文通过常温射频磁控溅射在单抛硅片和石英玻璃基底上溅射制备Ga2O3薄膜。采用分光光度计和椭偏仪测试薄膜的紫外光波段的透过率、折射率和光学吸收,利用X射线光电子能谱(XPS)测试了不同氧气氛下Ga2O3薄膜中氧元素的化学价态及其含量,X射线衍射(XRD)测试和拉曼散射光谱测试研究退火对薄膜生长及晶相结构的影响,采用微控四探针测试仪测试了薄膜的电阻率。研究了溅射功率、氩氧比、退火等工艺参数对薄膜结构及光电性能的影响。研究发现经过常温溅射后,再经过后退火处理的薄膜,无论在结构还是光学性能都优于之前传统制备工艺。结果显示:在氩氧比为80∶20、溅射功率为175 W、压强1.5 Pa条件下溅射2 h,沉积的薄膜厚度为197.6 nm,在紫外光波段吸收峰在284 nm,峰值透过率达到92.82%。在900℃退火下,薄膜的导电性能最好,电阻率达到137.21 m·cm。XRD测试和拉曼散射光谱结果表明,随着退火温度的升高,薄膜表现出择优生长趋势,发现β-Ga2O3的(201)、(401)和(403)的衍射峰随着退火温度的增加进一步增强。利用Tauc公式由透过率数据计算光学带隙结果表明,随着退火温度升高薄膜光学带隙由在4.93~5.28 eV范围内变化。 展开更多
关键词 磁控溅射 ga2o3薄膜 X射线衍射 拉曼散射 光学带隙
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Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势 被引量:8
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作者 孙学耕 张智群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期241-249,284,共10页
氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研... 氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状。详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果。归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标。最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议。 展开更多
关键词 ga2o3 超宽禁带半导体 功率器件 ga2o3肖特基势垒二极管(SBD) ga2o3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
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一维Ga2O3/SnO2纳米纤维的制备及其气敏性能 被引量:5
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作者 吴海燕 干正强 +2 位作者 储向峰 梁士明 何利芳 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第2期309-316,共8页
通过静电纺丝法制备了一维Ga2O3/SnO2纳米纤维,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等方法对材料进行了表征,测试了不同Ga2O3质量分数(0、40%、50%、60%、70%、100%)的Ga2O3/SnO2纳米纤维(650℃,5 h)对... 通过静电纺丝法制备了一维Ga2O3/SnO2纳米纤维,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等方法对材料进行了表征,测试了不同Ga2O3质量分数(0、40%、50%、60%、70%、100%)的Ga2O3/SnO2纳米纤维(650℃,5 h)对应元件对三甲胺、丙酮、乙醛、乙酸、氨气、乙醇、甲醛7种气体的气敏性能。结果表明:在室温(25℃)时,60%(w/w)Ga2O3-40%(w/w)SnO2纳米纤维对三甲胺气体具有较高的灵敏度和较短的响应/恢复时间。对1000μL·L^-1三甲胺的灵敏度达到51;检出限达到0.8μL·L^-1,其灵敏度为1.3。 展开更多
关键词 ga2o3/SnO2 气敏性能 静电纺丝法 三甲胺 纳米纤维
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Effects of Atomic Oxygen Irradiation on Transparent Conductive Oxide Thin Films 被引量:2
13
作者 王文文 王天民 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第5期464-468,共5页
Transparent conductive oxide (TCO) thin film is a kind of functional material which has potential applications in solar cells and atomic oxygen (AO) resisting systems in spacecrafts. Of TCO, ZnO:Al (ZAO) and In... Transparent conductive oxide (TCO) thin film is a kind of functional material which has potential applications in solar cells and atomic oxygen (AO) resisting systems in spacecrafts. Of TCO, ZnO:Al (ZAO) and In2O3:Sn (ITO) thin films have been widely used and investigated. In this study, ZAO and ITO thin films were irradiated by AO with different amounts of fluence. The as-deposited samples and irradiated ones were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and Hall-effect measurement to investigate the dependence of the structure, morphology and electrical properties of ZAO or ITO on the amount of fluence of AO irradiation. It is noticed that AO has erosion effects on the surface of ZAO without evident influences upon its structure and conductive properties. Moreover, as the amount of AO fluence rises, the carrier concentration of ITO decreases causing the resistivity to increase by at most 21.7%. 展开更多
关键词 transparent conductive oxide thin film ZnO:Al In2O3:Sn atomic oxygen EROSION electrical properties
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Review of gallium oxide based field-effect transistors and Schottky barrier diodes 被引量:8
14
作者 Zeng Liu Pei-Gang Li +3 位作者 Yu-Song Zhi Xiao-Long Wang Xu-Long Chu Wei-Hua Tang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期65-81,共17页
Gallium oxide(Ga_2O_3), a typical ultra wide bandgap semiconductor, with a bandgap of ~4.9 e V, critical breakdown field of 8 MV/cm, and Baliga's figure of merit of 3444, is promising to be used in high-power and ... Gallium oxide(Ga_2O_3), a typical ultra wide bandgap semiconductor, with a bandgap of ~4.9 e V, critical breakdown field of 8 MV/cm, and Baliga's figure of merit of 3444, is promising to be used in high-power and high-voltage devices.Recently, a keen interest in employing Ga_2O_3 in power devices has been aroused. Many researches have verified that Ga_2O_3 is an ideal candidate for fabricating power devices. In this review, we summarized the recent progress of field-effect transistors(FETs) and Schottky barrier diodes(SBDs) based on Ga_2O_3, which may provide a guideline for Ga_2O_3 to be preferably used in power devices fabrication. 展开更多
关键词 GALLIUM oxide(ga2o3) FIELD-EFFECT transistors(FETs) Schottky barrier diodes(SBDs)
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Cr3+在不同基质Y3Ga5O12或Ga2O3中的荧光特性 被引量:1
15
作者 洪薪超 孙晶 +2 位作者 周晨 唐娟 毕冠 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1059-1064,共6页
以Ga2O3、Y2O3、Cr(NO3)3·9H2O为原料,柠檬酸为配位剂,通过溶胶-凝胶高温固相合成法制备出Ga2-2xO3∶2xCr^3+(Ga2O3∶xCr)与Y3Ga5-5xO12∶5xCr^3+(YGG∶xCr)2种多晶粉体(x=0.01,0.03,0.05,0.07)。并采用X射线衍射(XRD)、红外光谱(... 以Ga2O3、Y2O3、Cr(NO3)3·9H2O为原料,柠檬酸为配位剂,通过溶胶-凝胶高温固相合成法制备出Ga2-2xO3∶2xCr^3+(Ga2O3∶xCr)与Y3Ga5-5xO12∶5xCr^3+(YGG∶xCr)2种多晶粉体(x=0.01,0.03,0.05,0.07)。并采用X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品的结构、组成、形貌和荧光性能进行测试分析。XRD和IR分析结果显示在900℃煅烧后Ga2O3∶xCr和YGG∶xCr两种样品均成相。SEM照片显示Ga2O3∶xCr样品形貌为柱形多面体,YGG∶xCr为短棒状。PL结果显示Cr^3+在Ga2O3和YGG两种基质中的最强荧光发射峰分别位于742和740nm,均属于Cr^3+的2E-4A2跃迁,对比发现Cr^3+在YGG基质中的荧光发射强度更强,在远红光区的荧光性能更好,能满足温室照明中植物光合作用的需求。 展开更多
关键词 Cr^3+掺杂 ga2o3 Y3Ga5O12 荧光 溶胶-凝胶高温固相合成法
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Zn0.97Ga2O3.97:Cr^3+,Bi^3+荧光粉的制备及发光性能 被引量:1
16
作者 樊烨明 崔玉格 +4 位作者 黄珂 陈洋 黎华 徐慢 戴武斌 《武汉工程大学学报》 CAS 2020年第5期526-529,551,共5页
以Cr3+和Bi3+为掺杂剂,按照镓酸锌Zn0.97Ga2O3.97(ZGO)化学计量比,采用双相水热法制备了ZGO:Cr^3+,Bi^3+红色无机荧光粉,并通过透射电子显微镜、分光光度法和荧光光谱法分析了荧光粉样品的微观形态、晶体结构和发光性能。实验结果表明:C... 以Cr3+和Bi3+为掺杂剂,按照镓酸锌Zn0.97Ga2O3.97(ZGO)化学计量比,采用双相水热法制备了ZGO:Cr^3+,Bi^3+红色无机荧光粉,并通过透射电子显微镜、分光光度法和荧光光谱法分析了荧光粉样品的微观形态、晶体结构和发光性能。实验结果表明:Cr^3+和Bi^3+的最佳摩尔掺杂率分别是1%和2%,荧光粉最佳掺杂浓度化学式为ZGO:0.01Cr^3+,0.02Bi^3+,所得荧光粉颗粒为组分均匀的类球形颗粒,平均粒径为8 nm。在近紫外光的激发下,相对于单掺杂荧光粉ZGO:0.01Cr^3+,双掺杂荧光粉ZGO:0.01Cr^3+,0.02Bi^3+在漫反射光谱中<350、350~470和470~650 nm的吸收带强度明显增强。此外,在激发和发射光谱中,ZGO:0.01Cr^3+,0.02Bi^3+的发射强度为ZGO:0.01Cr^3+的2.5倍,表明该荧光粉的发光性能得到显著提升。 展开更多
关键词 无机荧光粉 发光性能 Zn0.97ga2o3.97:Cr^3+ Bi^3+ 双相水热法
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TUNGSTEN ELECTRODES CONTAINING THREE TYPES OF RARE EARTH OXIDES 被引量:5
17
作者 Nie, Zuoren Zhou, Meiling +3 位作者 Chen, Ying Fan, Xiaowu Zhang, Jiuxing Zuo, Tieyong 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 1999年第1期38-41,共4页
INTRODUCTIONWithincreasingdemandstothepropertyofweldingelectrodeandbeterknowledgeofThWelectrodematerial’sra... INTRODUCTIONWithincreasingdemandstothepropertyofweldingelectrodeandbeterknowledgeofThWelectrodematerial’sradioactivity,somes... 展开更多
关键词 RARE EARTH oxideS TUNGSTEN electrode welding RIM Y 2O 3+La 2O 3+CeO 2
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UV-catalytic treatment of spent caustic from ethene plant with hydrogen peroxide and ozone oxidation 被引量:2
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作者 YUZheng-zhe SUNDe-zhi +3 位作者 LIChang-hai SHIPeng-fei DUANXiao-dong SUNGuo-rong 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2004年第2期272-275,共4页
The performance of UV/H 2O 2, UV/O 3 and UV/H 2O 2/O 3 oxidation systems for treating spent caustic from an ethylene plant was investigated. In UV/H 2O 2 system, with the increase of H 2O 2 dosage, removal e... The performance of UV/H 2O 2, UV/O 3 and UV/H 2O 2/O 3 oxidation systems for treating spent caustic from an ethylene plant was investigated. In UV/H 2O 2 system, with the increase of H 2O 2 dosage, removal efficiencies of COD and the ratio of biochemical oxygen demand(BOD) to chemical oxygen demand(COD) of the effluent were increased and a better performance was obtained than the H 2O 2 system alone. In UV/H 2O 2 system, removal efficiency of COD reach 68% under the optimum condition, and BOD/COD ratio was significantly increased from 0 22 to 0 52. In UV/O 3 system, with the increase of O 3 dosage, removal efficiency of COD and BOD/COD ratio were increased, and a better performance was obtained than the O 3 system alone. Under the optimum condition, removal efficiency of COD was 54%, and BOD/COD ratio was significantly increased from 0 22 to 0 48. In UV/H 2O 2/O 3 system, COD removal efficiency was found to be 22.0% higher than UV/O 3 system. 展开更多
关键词 spent caustic photochemical oxidation UV/O 3 system UV/H 2O 2 system UV/H 2O 2/O 3 system
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Oxidation of NO over cobalt oxide supported on mesoporous silica 被引量:5
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作者 Yan Huang Dongmei Gao Zhiquan Tong Junfeng Zhang He Luo 《Journal of Natural Gas Chemistry》 EI CAS CSCD 2009年第4期421-428,共8页
Cobalt oxide catalysts supported on mesoporous silica (Co3O4/MPS) were prepared, characterized and applied for catalytic oxidation of NO. Effects of catalyst supports, calcination temperatures, H2O and SO2 on NO con... Cobalt oxide catalysts supported on mesoporous silica (Co3O4/MPS) were prepared, characterized and applied for catalytic oxidation of NO. Effects of catalyst supports, calcination temperatures, H2O and SO2 on NO conversion were investigated. The samples were also characterized by BET, XRD, FTIR and TG/DTG. The results suggested that Co3O4/MPS catalyst calcined at 573 K had the smallest crystal particles and the best surface dispersion. This catalyst had the highest activity and yielded 82% NO conversion at 573 K, at a space velocity of 12000 h^-1. Although the conversion of NO decreased with the introduction of H2O, it could be restored completely after removing residual H2O from Co3O4/MPS catalyst by heating at 573 K. In the presence of SO2, the oxidation activity decreased and COSO4 was detected on the catalyst. The NO conversion decreased to 30.2% in the presence of SO2 and H2O. It could not be restored completely after cutting off H2O and SO2. The deactivation of the catalyst in the presence of SO2 and H2O was attributed to the formation of cobalt sulfate species. 展开更多
关键词 catalytic oxidation NO Co3O4/mesoporous silica H2O SO2
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Leaching kinetics of low grade zinc oxide ore in NH_3-NH_4Cl-H_2O system 被引量:13
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作者 王瑞祥 唐谟堂 +4 位作者 杨声海 张文海 唐朝波 何静 杨建广 《Journal of Central South University of Technology》 2008年第5期679-683,共5页
The leaching kinetics of low grade zinc oxide ore in NH3-NH4Cl-H2O system was studied. The effects of ore particle size, reaction temperature and the sum concentration of ammonium ion and ammonia on the leaching effic... The leaching kinetics of low grade zinc oxide ore in NH3-NH4Cl-H2O system was studied. The effects of ore particle size, reaction temperature and the sum concentration of ammonium ion and ammonia on the leaching efficiency of zinc were examined. The leaching kinetics of low-grade zinc oxide ore in NH3-NH4Cl-H2O system follows the kinetic law of shrinking-core model. The results show that diffusion through the inert particle pores is the leaching kinetics rate controlling step. The calculated apparent activation energy of the process is about 7.057 kJ/mol. The leaching efficiency of zinc is 92.1% under the conditions of ore particle size of 69 μm, holding at 80 ℃ for 60 min, sum ammonia concentration of 7.5 mol/L, the molar ratio of ammonium to ammonia being 2-1, and the ratio (g/mL) of solid to liquid being 1-10. 展开更多
关键词 NH3-NH4Cl-H2O system low-grade zinc oxide ore LEACHING KINETICS
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