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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification
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作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期68-71,共4页
The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.T... The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.The grain size and the surface roughness of the PZT films increased through PbO interfacial modification.Moreover,the PZT films with PbO interfacial modification had a better crystallographic structure and no evident secondary phases were observed.While the remanent polarization and dielectric constant were reduced,the fatigue endurance was improved.Based on the results,the mechanism for the fatigue endurance improvement was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric thin films FATIGUE lead zirconate titanate chemical modification lead oxide
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Influence of CeO_2 doping amount on property of BCTZ lead-free piezoelectric ceramics sintered at low temperature 被引量:8
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作者 黄新友 邢仁克 +1 位作者 高春华 陈志刚 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第8期733-737,共5页
Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3 (BCTZ) lead-free piezoelectric ceramics co-doped with CeO2 (x=0.1 wt.%, 0.2 wt.%, 0.3 wt.%, 0.4 wt.%, 0.5 wt.%) and Li2CO3 (0.6 wt.%) were prepared by conventional solid-state reaction m... Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3 (BCTZ) lead-free piezoelectric ceramics co-doped with CeO2 (x=0.1 wt.%, 0.2 wt.%, 0.3 wt.%, 0.4 wt.%, 0.5 wt.%) and Li2CO3 (0.6 wt.%) were prepared by conventional solid-state reaction method. Influence of CeO2 doping amount on the piezoelectric properties, dielectric properties, phase composition and microstructure of prepared BCTZ lead-free piezoelectric ceramics doped with Li2CO3 were investigated by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) and other analytical methods. The results showed that the sintered temperature of BCTZ lead-free piezoelectric ceramics doped with CeO2 decreased greatly when Li2CO3 doping amount was 0.6 wt.%;a pure perovskite structure of BCTZ lead-free piezoelectric ceramics co-doped with Li2CO3 and CeO2 and sintered at 1050 ℃ could also be obtained. The piezoelectric constant (d33), the relative permit-tivity (εr) and the planar electromechanical coupling factor (kp) of BCTZ ceramics doped with Li2CO3 increased firstly and then de-creased, the dielectric loss (tanδ) decreased firstly and then increased and decreased at last when CeO2 doping amount increased. The influence of CeO2 doping on the properties of BCTZ lead-free piezoelectric ceramics doped with Li2CO3 were caused by“soft effect”and “hard effect”piezoelectric additive and causing lattice distortion. When CeO2 doping amount (x) was 0.2 wt.%, the BCTZ ceramics doped with Li2CO3 (0.6 wt.%) and sintered at 1050 ℃ possessed the best piezoelectric property and dielectric property with d33 of 436 pC/N, kp of 48.3%,εr of 3650, tanδof 1.5%. 展开更多
关键词 lead-free piezoelectric ceramics barium calcium zirconate and titanate CeO2 doping rare earths piezoelectric property
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The effects of N-doping and oxygen vacancy on the electronic structure and conductivity of PbTiO_3 被引量:2
3
作者 牛培江 闫金良 孟德兰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2015年第4期30-35,共6页
By using spin-polarized density functional theory calculations, the electron density differences, band structures and density of states of p-type N-doped PbTiO3 have been studied. In addition, the oxygen vacancy in N-... By using spin-polarized density functional theory calculations, the electron density differences, band structures and density of states of p-type N-doped PbTiO3 have been studied. In addition, the oxygen vacancy in N-doped PbTiO3 is also discussed. After the nitrogen dopant is introduced into the crystal, the N-doped PbTiO3 system is spin-polarized, the spin-down valance bands move to a high energy level and the Fermi energy level moves to the top of the valance bands, finally the band gap is narrowed. In this process, the N-doped PbTiO3 shows typical p-type semiconductor characteristics. When an oxygen vacancy and N impurity coexist in PbTiO3, there is no spin-polarized phenomenon. The conduction bands move downward and the acceptors are found to be fully compensated. The calculation results are mostly consistent with the experimental data. 展开更多
关键词 semiconductor doping electric properties optical band gaps optical properties lead titanate
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Structural and Dielectric Properties of Sn Doped Barium Magnesuim Zirconium Titanate Perovskite Ceramics
4
作者 Sankararao Gattu Kamala Sujani Dasari Venkata Ramesh Kocharlakota 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2015年第4期346-352,共7页
Perovskite type ceramics (Ba0.9Mg0.1)(SnxZr0.4-xTi0.6)O3 (with x = 0.01, 0.02, 0.03 and 0.04) relaxor composition prepared through solid state reaction route and calcinated at temperature is 1150°C for 5 hrs with... Perovskite type ceramics (Ba0.9Mg0.1)(SnxZr0.4-xTi0.6)O3 (with x = 0.01, 0.02, 0.03 and 0.04) relaxor composition prepared through solid state reaction route and calcinated at temperature is 1150°C for 5 hrs with intermediate mixing. The room temperature XRD study suggests that all the samples have the single phase cubic symmetry with space group pm 3 m. The pellets were sintered at 1500°C for 4 hrs. Scanning Electron Microscope (SEM) observations revealed enhanced micro structural uniformity and retarded grain growth with decreasing Sn content. The dielectric measurements at constant frequency show that dielectric constant increases with Sn content. Loss factor and dielectric constant decreased with increasing frequency but at very high frequencies it was independent. 展开更多
关键词 SN DOPED BARIUM titanate DIELECTRIC Properties PEROVSKITE lead Free Ceramics
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PLZT透明陶瓷的微区组分调控及梯度设计与电光性能研究
5
作者 吴文杰 何代华 +1 位作者 程思远 何夕云 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第11期1956-1963,共8页
镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)透明陶瓷因其优异的光学透明性和电光效应,在现代光通信和高能激光技术等领域具有重要应用前景。然而PLZT透明陶瓷的电光性能对环境温度变化非常敏感,增加了其在宽温度范围电光调制器中的应用难度。本文围绕PLZT(10... 镧掺杂锆钛酸铅(PLZT)透明陶瓷因其优异的光学透明性和电光效应,在现代光通信和高能激光技术等领域具有重要应用前景。然而PLZT透明陶瓷的电光性能对环境温度变化非常敏感,增加了其在宽温度范围电光调制器中的应用难度。本文围绕PLZT(10/65/35)透明陶瓷开展了材料铁电、介电及电光性能随温度变化的相关研究,通过对关键掺杂离子La^(3+)含量的微区调控和构建一定分布梯度,改善材料的电光性能及其温度稳定性。通过传统氧气氛热压烧结获得系列纯钙钛矿相结构的PLZT陶瓷,材料显微结构均匀致密;所有样品均呈现良好的光学透过率(52%~60%,λ=632.8 nm);随着La^(3+)含量微量增加,PLZT陶瓷的介电峰谱弛豫性增大,同时微区La^(3+)组分波动性增强的0-3复合和2-2复合PLZT陶瓷的介电温谱谱峰显著展宽且介电常数峰值提高;随温度的升高,陶瓷样品的铁电电滞回线(P-E)中最大极化值(P_(max))、剩余极化值(P_(r))和矫顽力场强(E_(c))逐渐减小;0-3复合和2-2复合PLZT(10/65/35)陶瓷的铁电极化值P max比均匀混合PLZT(10/65/35)陶瓷明显提高,且其等效二次电光系数在弥散相变温区显著增加。 展开更多
关键词 透明陶瓷 镧掺杂锆钛酸铅 梯度设计 温度稳定性 电光系数 铁电性能 光学透过率
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钛酸铋钠基无铅压电陶瓷掺杂改性研究现状
6
作者 朱合法 邢志国 +4 位作者 郭伟玲 董丽虹 王海斗 董瀚 黄艳斐 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期89-102,共14页
钛酸铋钠(Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3),简称BNT)基无铅压电陶瓷因其环境友好型、良好的铁电压电性能等特点在航空航天、舰艇声纳、高速列车及电子产品等领域得到广泛应用。为了克服钛酸铋钠基无铅压电陶瓷高矫顽场并进一步提升其电学性能,... 钛酸铋钠(Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_(3),简称BNT)基无铅压电陶瓷因其环境友好型、良好的铁电压电性能等特点在航空航天、舰艇声纳、高速列车及电子产品等领域得到广泛应用。为了克服钛酸铋钠基无铅压电陶瓷高矫顽场并进一步提升其电学性能,通过对BNT基无铅压电陶瓷进行掺杂改性构建三方相–四方相共存的准同型相界(MPB)。掺杂改性是改善BNT基无铅压电陶瓷性能的一种重要方法,针对BNT基无铅压电陶瓷掺杂改性进行系统总结十分必要。主要从BNT基无铅压电陶瓷多组元改性、A/B位离子掺杂和稀土离子掺杂改性等三方面综合论述近年来BNT基压电陶瓷研究进展。结果表明,引入合适的组元有利于BNT基无铅压电陶瓷构建三方相–四方相共存的准同型相界;A/B离子掺杂是根据离子半径和电价大小的一致性对BNT陶瓷中对应位置的离子进行取代;稀土离子掺杂主要对该陶瓷的光电特性有显著影响。上述三方面从不同角度改善了BNT基无铅压电陶瓷的性能,以期为研究性能更好的BNT基无铅压电陶瓷的科研和技术人员提供参考,并为BNT基无铅压电陶瓷的实际应用奠定基础。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸铋钠 准同型相界 掺杂 电学性能
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铌掺杂钛酸钡的制备及性能研究 被引量:1
7
作者 赵晓雪 高浅珝 +2 位作者 宗喆昊 赵卫星 姜红波 《化学工程师》 CAS 2024年第2期13-17,30,共6页
采用熔盐法制备掺杂Nb_(2)O_(5)的BaTiO_(3)粉体及陶瓷并对产物进行表征与性能分析,探究了不同烧结温度、不同熔盐比、不同掺杂(Nb_(2)O_(5))物质的量下掺杂Nb_(2)O_(5)的BaTiO_(3)粉体,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉... 采用熔盐法制备掺杂Nb_(2)O_(5)的BaTiO_(3)粉体及陶瓷并对产物进行表征与性能分析,探究了不同烧结温度、不同熔盐比、不同掺杂(Nb_(2)O_(5))物质的量下掺杂Nb_(2)O_(5)的BaTiO_(3)粉体,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)等设备分析掺杂Nb_(2)O_(5)的BaTiO_(3)粉体相结构、微观相貌及拉曼分析,并探究掺杂Nb_(2)O_(5)对于BaTiO_(3)陶瓷铁电性及介电性的影响。结果表明,当烧结温度为1000℃、熔盐比为nNa Cl∶nKCl=5∶5、掺杂Nb_(2)O_(5)物质的量为0.10mol时,制备出的BaTiO_(3)陶瓷性能最优,此时,陶瓷样品的铁电性能达到最优,矫顽场(E_(c))约为1.4385kV·cm^(-1),剩余极化强度(Pr)约为0.1415μC·cm^(-2);低频下介电常数变化不尽相同,即随着温度的升高,其先增大后减小、最后出现再次增大的趋势。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 铌掺杂 钛酸钡 性能研究
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BaTiO_(3-x)Bi(Mg_(2/3)Sb_(1/3))O_(3)陶瓷的储能特性研究
8
作者 詹圣晖 任香 +3 位作者 张立华 李朋 郝继功 李伟 《聊城大学学报(自然科学版)》 2024年第4期70-77,102,共9页
采用固相法制备了(1-x)BaTiO_(3-x)Bi(Mg_(2/3)Sb_(1/3))O_(3)(x=0,0.08,0.12,0.16)(BT-x BMS)陶瓷。系统研究了不同含量的BMS对BT基陶瓷的微观形貌、结构、介电和铁电性能的影响。结果表明:BT-x BMS陶瓷为单一的钙钛矿结构。随着BMS含... 采用固相法制备了(1-x)BaTiO_(3-x)Bi(Mg_(2/3)Sb_(1/3))O_(3)(x=0,0.08,0.12,0.16)(BT-x BMS)陶瓷。系统研究了不同含量的BMS对BT基陶瓷的微观形貌、结构、介电和铁电性能的影响。结果表明:BT-x BMS陶瓷为单一的钙钛矿结构。随着BMS含量的增加,BT-x BMS陶瓷呈现出细化的晶粒尺寸,同时从正常铁电体逐渐转变为弛豫型铁电体。此外,BT-x BMS陶瓷的剩余极化显著降低,有助于获得优异的储能性能。当x=0.12时,在460 kV·cm-1的电场下获得最优的可回收储能密度(W_(rec)=3.06 J·cm^(-3))和储能效率(η=94.02%)。结果表明BT-x BMS陶瓷在介电电容器领域具有巨大的应用前景。 展开更多
关键词 无铅压电 储能 铁电体 掺杂改性 BaTiO_(3)
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K^(+)掺杂对BNT基压电陶瓷结构与性能的影响
9
作者 武家莹 房国丽 +1 位作者 郭小雷 范玉杰 《宁夏工程技术》 CAS 2024年第2期109-114,共6页
采用微波辅助溶胶-凝胶法合成xKBNT粉体,烧结后形成三方结构的xKBNT压电陶瓷,系统研究了K^(+)掺杂浓度对xKBNT陶瓷微观结构、电导率、压电性能和介电性能的影响。结果表明:K^(+)掺杂有利于改善xKBNT陶瓷的压电性能和介电性,掺杂引起的... 采用微波辅助溶胶-凝胶法合成xKBNT粉体,烧结后形成三方结构的xKBNT压电陶瓷,系统研究了K^(+)掺杂浓度对xKBNT陶瓷微观结构、电导率、压电性能和介电性能的影响。结果表明:K^(+)掺杂有利于改善xKBNT陶瓷的压电性能和介电性,掺杂引起的晶格畸变是影响陶瓷xKBNT晶粒尺寸、致密度,以及压电性能和介电性能的主要因素。0.04KBNT压电陶瓷的压电常数d_(33)为28.8 pC/N,介电常数ε_(r)为1349.8,远高于单相BNT的d_(33)和ε_(r)。 展开更多
关键词 钛酸铋钠 掺杂改性 微波辅助溶胶-凝胶法 压电常数
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Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅压电陶瓷的制备与表征
10
作者 贝颂 何宜珂 +1 位作者 马寅博 刘贵山 《大连工业大学学报》 CAS 2024年第4期291-295,共5页
以三氧化二锑、碳酸钡为掺杂原材料,采用固相烧结法制备了Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷。利用XRD、SEM、自动元件分析仪、准静态D33测量仪、精密阻抗分析仪等对介质的物相、微观形貌、机电性能进行了研究。实验结果表明,Sb^(3+)... 以三氧化二锑、碳酸钡为掺杂原材料,采用固相烧结法制备了Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷。利用XRD、SEM、自动元件分析仪、准静态D33测量仪、精密阻抗分析仪等对介质的物相、微观形貌、机电性能进行了研究。实验结果表明,Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷具有更好的致密性,当掺杂质量分数为1%的Sb_(2)O_(3)和2%的BaO时,机电性能显著提升,相对介电常数为1854,压电系数为439.6 pC/N,机电耦合系数为66%,居里温度从398℃降至380℃。高的压电系数有利于提升锆钛酸铅所制备电子元器件的接收和发射的灵敏度。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 共掺杂 压电陶瓷 机电耦合系数
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Ca掺杂对钛酸铅钡基PTC陶瓷综合性能的影响
11
作者 莫志伟 王焕平 +6 位作者 孙永强 李登豪 林孝杰 马红萍 高照 蒋宗恒 徐时清 《中国计量大学学报》 2024年第4期591-597,共7页
目的:通过改变Ca的掺杂量来改善陶瓷的晶粒尺寸,制备耐压性能好且具有良好PTC效应的陶瓷材料。方法:采用两步合成法制备钙掺杂的钛酸铅钡基PTC热敏陶瓷,通过X射线衍射、扫描电镜、耐压测试以及阻温特性测试进行了表征。结果:当Ca掺杂量... 目的:通过改变Ca的掺杂量来改善陶瓷的晶粒尺寸,制备耐压性能好且具有良好PTC效应的陶瓷材料。方法:采用两步合成法制备钙掺杂的钛酸铅钡基PTC热敏陶瓷,通过X射线衍射、扫描电镜、耐压测试以及阻温特性测试进行了表征。结果:当Ca掺杂量为0.04 mol时,陶瓷耐压性能最好,击穿电压达到260 V/mm,升阻比达到8.109×10^(2)。当Ca掺杂量为0.024 mol时,其PTC效应最好,升阻比达到4.418×10^(3),击穿电压为235 V/mm。结论:微观结构和机理发现Ca的掺杂使陶瓷晶粒细化并均匀化,有效提高了陶瓷材料的耐压性能,当Ca掺杂量过高则会降低其PTC效应。 展开更多
关键词 钛酸铅钡 PTC热敏陶瓷 击穿电压 改性掺杂 阻温特性
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锰掺杂对(Na_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3-BaTiO_3-(K_(0.5)Bi_(0.5))TiO_3陶瓷介电和压电性能的影响 被引量:11
12
作者 陈建华 屈绍波 +2 位作者 高坤华 裴志斌 朱林户 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1704-1707,共4页
采用传统陶瓷工艺制备了锰掺杂0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.1BaTiO3-0.1(K0.5Bi0.5)TiO3(BNT-BT-BKT)无铅压电陶瓷材料,研究了材料的介电、压电和铁电性能。发现锰掺杂大幅降低了0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.1BaTiO3-0.1(K0.5Bi0.5)TiO3陶瓷的电... 采用传统陶瓷工艺制备了锰掺杂0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.1BaTiO3-0.1(K0.5Bi0.5)TiO3(BNT-BT-BKT)无铅压电陶瓷材料,研究了材料的介电、压电和铁电性能。发现锰掺杂大幅降低了0.8(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.1BaTiO3-0.1(K0.5Bi0.5)TiO3陶瓷的电导率和矫顽场,最佳掺杂量为0.1%(质量分数),该配方的最佳烧结温度为1150℃。这一温度下烧结所得样品在130℃时的电导率仅为1.36×10-11Ω-1cm-1,约为掺杂前的1/40,矫顽场Ec仅为2.78kV/mm,剩余极化强度Pr为38μC/cm2,压电系数d33达到143pC/N。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钛酸铋钠 锰掺杂
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无铅压电陶瓷的研究现状 被引量:10
13
作者 石伟丽 邢志国 +2 位作者 王海斗 李国禄 张建军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期45-50,共6页
简要介绍了无铅压电陶瓷的研究进展,重点介绍了BaTiO3(BT)基、钛酸铋钠(BNT)基和铋层状无铅压电陶瓷的性能。分析了掺杂改性对BNT基和铋层状无铅压电陶瓷压电性能的影响,详细对比了无铅压电陶瓷的制备方法,为改进工艺提高压电性能提供... 简要介绍了无铅压电陶瓷的研究进展,重点介绍了BaTiO3(BT)基、钛酸铋钠(BNT)基和铋层状无铅压电陶瓷的性能。分析了掺杂改性对BNT基和铋层状无铅压电陶瓷压电性能的影响,详细对比了无铅压电陶瓷的制备方法,为改进工艺提高压电性能提供了理论支持。展望了BT基压电材料在热喷涂领域的应用前景,并分析了亟待解决的问题。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 压电性能 掺杂改性 制备
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Sb_2O_3掺杂对PZT压电陶瓷微观结构与性能的影响 被引量:13
14
作者 凌志远 邱文辉 王科 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第8期31-34,共4页
Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结构,随Sb2O3掺入量增加,平均晶粒尺寸保持稳定,压电活性减... Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结构,随Sb2O3掺入量增加,平均晶粒尺寸保持稳定,压电活性减弱;Sb2O3掺入量为1.9%~2.0%处,压电活性最强。主要性能指标:εr为1925,tgδ为2.35×10–2,d33为440pC/N,kp为64%,Qm为70,tC为300℃。 展开更多
关键词 无机非金属材料 锆钛酸铅 掺杂 显微结构 压电性能
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掺镧改性钛酸钡纳米多晶粉体的制备和表征 被引量:8
15
作者 王智民 韩基新 刘静波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期945-952,共8页
以La(OAc)3,Ba(OAc)2,Ti(On-Bu)4为起始物,采用共溶-水凝胶法制备掺镧改性钛酸钡纳米多晶粉体LaxBa1-xTiO3(x=0.00,005,0.10,0.20,0.30),利用正交试验对制备溶胶的主要工艺进行优化:溶胶是由总浓度为0.7mol/L的起始物逐步滴入... 以La(OAc)3,Ba(OAc)2,Ti(On-Bu)4为起始物,采用共溶-水凝胶法制备掺镧改性钛酸钡纳米多晶粉体LaxBa1-xTiO3(x=0.00,005,0.10,0.20,0.30),利用正交试验对制备溶胶的主要工艺进行优化:溶胶是由总浓度为0.7mol/L的起始物逐步滴入蒸馏水进行共溶水解而得,其介质为氨水调节的pH=3.8和70℃的醋酸.将溶胶陈化和浓缩而得湿凝胶,干凝胶是将湿凝胶在烘箱中经50℃/24h处理而得.对干凝胶及其焙烧粉体进行了七项特性表征:首先取少量干凝胶进行TG-DTG和FT-IR测试,以确定焙烧温度范围和历程;然后另取一部分干凝胶在该温度范围内的不同温度点上焙烧,以便制得系列粉体试样,对其进行FT-IR、XRD、SEM、EDS、TEM及LRS表征,以比较各试样的晶相组成、原始晶粒尺寸、晶格常数及其四方相畸变度δ(即晶轴比c/α)、团粒形貌及微区金属元素含量等并从中优选工艺,探讨共溶-水凝胶过程及掺镧改性机理等. 展开更多
关键词 制备 掺镧 改性 钛酸钡 共溶-水凝胶法 纳米多晶粉体 显微结构表征 电子陶瓷
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CeO_2、Sb_2O_3掺杂(Na_(0.88)K_(0.12))_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3无铅陶瓷的压电性能研究 被引量:6
16
作者 徐任信 陈文 +1 位作者 徐庆 李月明 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期15-19,共5页
采用传统陶瓷的制备方法制备了CeO2(0~1.0wt%)和Sb2O3(0~0.6wt%)掺杂的(Na0.88K0.12)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷。运用XRD技术研究了样品的晶体结构,测试并分析了样品的介电、压电性能以及谐振频率温度系数。结果表明:所有组成均呈三... 采用传统陶瓷的制备方法制备了CeO2(0~1.0wt%)和Sb2O3(0~0.6wt%)掺杂的(Na0.88K0.12)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷。运用XRD技术研究了样品的晶体结构,测试并分析了样品的介电、压电性能以及谐振频率温度系数。结果表明:所有组成均呈三方结构的钙钛矿型固溶体特征。在适当掺杂剂用量范围内,压电陶瓷的压电常数、介电常数和介电损耗升高,而平面机电耦合系数降低。CeO2和Sb2O3掺杂均改善了(Na0.88K0.12)0.5Bi0.5TiO3压电陶瓷频率温度稳定性。 展开更多
关键词 钛酸铋钠 陶瓷 稳定性
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Sb掺杂K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3无铅压电陶瓷相结构和电学性能的研究 被引量:7
17
作者 郭根生 严继康 +3 位作者 徐腾威 李震宇 易健宏 甘国友 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期338-342,共5页
采用传统固相烧结法,在1060℃制备(K_(0.5)Na_(0.5)Nb_(1-x)Sb_xO_3(KNNS,x=0、0.01、0.02、0.03和0.04)无铅压电陶瓷,研究了Sb掺杂对KNN陶瓷物相结构、微观形貌和电学性能的影响。研究结果表明:Sb可以取代钙钛矿结构中B位的Nb位置,Sb取... 采用传统固相烧结法,在1060℃制备(K_(0.5)Na_(0.5)Nb_(1-x)Sb_xO_3(KNNS,x=0、0.01、0.02、0.03和0.04)无铅压电陶瓷,研究了Sb掺杂对KNN陶瓷物相结构、微观形貌和电学性能的影响。研究结果表明:Sb可以取代钙钛矿结构中B位的Nb位置,Sb取代Nb的最大量为0.03≤x≤0.04,当x=0.04时产生杂相;通过XRD图谱分析表明,x=0时陶瓷为单一的正交相结构,0.02≤x≤0.03时为正交-四方相共存,x=0.04时转变为三方相结构。Sb的掺杂具有细化晶粒的作用,随着Sb含量的增加,晶粒平均尺寸减小,晶粒大小变得均匀,介电性能增强。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 固相烧结法 KNN 钙钛矿结构 掺杂改性
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PZT(Nb)和PSZT系统铁电陶瓷材料相变的热物性学研究 被引量:2
18
作者 陆昌伟 奚同庚 +4 位作者 杨雪华 陈云仙 徐一斌 董显林 段炼 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期528-533,共6页
用DTA,DSC,PRD(push-rod dilatometer)方法对PZT(Nb)和PSZT两个系统铁电陶瓷材料的相变规律进行了热物性学研究。并对三种方法研究相变的特异点作了对比分析。
关键词 相变 热物性学 铁电陶瓷材料
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掺镧改性钛酸钡湿敏陶瓷元件 被引量:4
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作者 刘静波 王智民 韩基新 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1187-1193,共7页
以La(OAc)3、Ba(OAc)2、Ti(OnBu)4为起始物,采用共溶-水凝胶法经陈化获得湿凝胶,干燥后制得干凝胶,研磨过筛和埋渗电极、加压成型为素坯,经不同温度和保温时间烧结,制得掺镧LaxBa1-xTiO3陶瓷传感元件系列(x=0.00,0.05,0.10,0.20,0.30),... 以La(OAc)3、Ba(OAc)2、Ti(OnBu)4为起始物,采用共溶-水凝胶法经陈化获得湿凝胶,干燥后制得干凝胶,研磨过筛和埋渗电极、加压成型为素坯,经不同温度和保温时间烧结,制得掺镧LaxBa1-xTiO3陶瓷传感元件系列(x=0.00,0.05,0.10,0.20,0.30),测试其阻-湿特性,从中获得了具有良好特性参数的湿敏陶瓷及其主要工艺条件(x=0.10,1350℃/1h),阻-湿特性在工作湿度范围内(相对湿度RH=32.8%~93.6%)的平均灵敏度S=5×104kΩ/RH(%),线性相关因子r=0.998,响应时间τ=110s,湿滞低于4%,湿敏选择性良好:对H2,CH4,CH2=CH2,CH3CH=CH2,CO,C6H6和CH3CH2OH(g)七种气体具有抗干扰性能.应用SEM,AFM及XRF对陶瓷的显微结构和元素含量进行测定,确定了陶瓷的显微组织,晶粒尺寸,晶相结构,表面粗糙度和全元素分析.讨论了掺镧改性的可能机理:La3+不等价取代Ba2+,引起Ti4+捕获一个自由电子而变价为Ti3+,该电子在适宜的陶瓷显微结构下受水分子影响易于进入导带,使掺镧钛酸钡得以半导化,半径较小的La3+取代半径较大的Ba2+,则降低四方晶相的晶格畸变度δ,即晶轴比c/a变小,使四方晶格的不对称性及各向异性降低,从而减少陶瓷烧结后冷却过程中内应力引起的破裂. 展开更多
关键词 掺镧 改性 钛酸钡 湿敏陶瓷元件 湿敏性能 显微结构表征 共溶-水凝胶法 纳米多晶粉体
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铋层状结构无铅压电材料的研究现状与发展趋势 被引量:4
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作者 崔永涛 周丽玮 +2 位作者 付兴华 燕克兰 于玲君 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1363-1366,共4页
铋层状结构无铅压电材料因其具有居里温度高、品质因数高、击穿强度及各向异性大等特性而受到人们的重视。本文介绍了铋层无铅压电材料的结构特点,综述了该体系压电陶瓷的微量元素与制备工艺对材料压电、铁电性能的影响规律,着重讨论了... 铋层状结构无铅压电材料因其具有居里温度高、品质因数高、击穿强度及各向异性大等特性而受到人们的重视。本文介绍了铋层无铅压电材料的结构特点,综述了该体系压电陶瓷的微量元素与制备工艺对材料压电、铁电性能的影响规律,着重讨论了不同位离子取代对陶瓷性能和结构的影响,概括了制备高取向陶瓷的先进制备技术,并展望了铋层无铅压电材料未来的发展趋势。 展开更多
关键词 无铅压电材料 铋层状结构 掺加改性 压电性能
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