期刊文献+
共找到91篇文章
< 1 2 5 >
每页显示 20 50 100
高dV/dt电压下航空线缆局部放电仿真及特性分析
1
作者 刘维 江军 +2 位作者 沈志邦 李文源 张潮海 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第24期9897-9908,I0032,共13页
多电飞机发展中,电压等级与功率密度不断提升,新型电力电子器件的应用将有效提升飞机能量密度,但同时增加高dV/dt脉冲电压下局部放电风险。该文基于电场模型开展联合仿真,通过数值计算、场强分析,及试验对比,对航空线缆典型模型进行局... 多电飞机发展中,电压等级与功率密度不断提升,新型电力电子器件的应用将有效提升飞机能量密度,但同时增加高dV/dt脉冲电压下局部放电风险。该文基于电场模型开展联合仿真,通过数值计算、场强分析,及试验对比,对航空线缆典型模型进行局部放电测试,深入探究高dV/dt电压下局部放电随上升时间与频率的变化机制。结果表明:上升时间的缩短对线缆局部放电有着明显的加强作用,上升时间50ns较250ns时模型的累计放电幅值与放电次数增加超80%,放电时延、气隙电场恢复时间也明显缩短。电压频率的增加对线缆局部放电的影响呈现“拐点”机制,1到10kHz附近,介质损耗效应对线缆放电有着明显的促进作用,模型放电幅值、放电次数均呈现增加趋势;更高频段内,电平时间缩短主导的电荷累积效应对放电起到抑制作用。结果可为多电飞机电气系统中高频、高压、高dV/dt波形下的航空线缆绝缘设计、检测与评估提供一定的借鉴和参考。 展开更多
关键词 电场模型 航空线缆 dv/dt 局部放电 上升时间 频率
在线阅读 下载PDF
高dV/dt方波电压下高压功率模块封装绝缘局部放电特性研究
2
作者 丁毅 王亚林 +1 位作者 陈萌 尹毅 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第24期9884-9896,I0031,共14页
高dV/dt方波下封装绝缘发生的局部放电(简称“局放”)是高压功率模块失效的重要原因之一,然而方波上升下降沿产生的电磁干扰和位移电流严重干扰局放的检测,且现行功率模块局放检测标准规定的正弦电压与方波下测试结果存在差异。为解决... 高dV/dt方波下封装绝缘发生的局部放电(简称“局放”)是高压功率模块失效的重要原因之一,然而方波上升下降沿产生的电磁干扰和位移电流严重干扰局放的检测,且现行功率模块局放检测标准规定的正弦电压与方波下测试结果存在差异。为解决上述问题,该文提出基于下混频原理的高dV/dt方波电压下局放检测方法,探究不同频率单极性高dV/dt方波和工频正弦电压下封装绝缘的局放特性,并对封装绝缘固—固结构建模,考虑复合绝缘的电荷弛豫,进行动态电场分布仿真计算。结果表明,由于界面电荷弛豫造成的局部电场差异,单极性方波下,封装绝缘的局放起始电压(partial discharge inception voltage,PDIV)高于正弦电压下,且方波下PDIV随频率升高略有增加。外施电压幅值相同时,方波下局放平均幅值高于正弦电压下。随频率升高,单极性方波上升沿处局放幅值分布相近,而下降沿处局放平均幅值降低,相位呈现滞后趋势。该研究分析高dV/dt方波下封装绝缘的局放特点及其与正弦电压下的差异,可为功率模块可靠性检测和评估提供一定参考。 展开更多
关键词 dv/dt方波 功率模块 封装绝缘 局部放电 电场动态仿真
在线阅读 下载PDF
基于dv/dt参数提取的变流器IGBT驱动自调节技术
3
作者 李文鹏 周宇豪 +3 位作者 史志富 董鑫媛 张存凯 张若冰 《铁道机车车辆》 北大核心 2024年第3期97-104,共8页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为轨道交通变流器关键部件,对其驱动的调节可以显著改善dv/dt、开关损耗等影响变流器运行的重要参数。为此提出了一种基于dv/dt参数提取的变流器IGBT驱动自调节技术。首先基于IGBT驱动等效电路建立数学模型,分... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为轨道交通变流器关键部件,对其驱动的调节可以显著改善dv/dt、开关损耗等影响变流器运行的重要参数。为此提出了一种基于dv/dt参数提取的变流器IGBT驱动自调节技术。首先基于IGBT驱动等效电路建立数学模型,分析了dv/dt、门极电阻、开关损耗三者之间的数学关系。其次以dv/dt参数的限制为主要优化目标,开关损耗的平衡为约束条件,提出一种基于Bang-Bang控制的自调节控制策略从而实现门极电阻主动切换,并在双脉冲测试中整定控制策略重要参数。最后通过有无自调节技术对比试验测试,验证了本技术的有效性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管(IGBT) dv/dt 驱动自调节 BANG-BANG控制
在线阅读 下载PDF
一种新颖的用于减小电机终端共模dv/dt的逆变输出滤波器 被引量:17
4
作者 姜艳姝 马洪飞 +1 位作者 陈希有 徐殿国 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第2期123-127,139,共6页
提出了一种新颖的用于脉冲宽度调制(PWM)驱动系统的逆变器输出滤波器。此滤波器由可调电感和电容组成,可以有效抑制电机终端的共模dv/dt。这个滤波器的优点是电感的数值可以根据载波频率的大小自动进行调节,从而确保滤波效果不受载波频... 提出了一种新颖的用于脉冲宽度调制(PWM)驱动系统的逆变器输出滤波器。此滤波器由可调电感和电容组成,可以有效抑制电机终端的共模dv/dt。这个滤波器的优点是电感的数值可以根据载波频率的大小自动进行调节,从而确保滤波效果不受载波频率变化的影响,同时可以减小不同载波频率下电感上的电压降。这种滤波器的使用将有助于延长轴承寿命,增强PWM驱动系统的可靠性。通过理论分析和仿真结果证明了这种滤波器的有效性。 展开更多
关键词 电机终端共模 逆变输出滤波器 漏电流 轴电压 逆变器 脉冲宽度调制
在线阅读 下载PDF
晶闸管的外部dV/dt干扰
5
作者 魏建玮 史先焘 《大众科技》 2009年第3期111-112,共2页
发现了一种新型的晶闸管外部dV/dt干扰,指出晶闸管除了传统的内部dV/dt干扰外,还存在一种由外部驱动电路引入的dV/dt干扰。分析了该外部dV/dt干扰产生的基理,并给出了抑制这种干扰的措施。
关键词 dv/dt干扰 脉冲变压器 晶闸管
在线阅读 下载PDF
特高压直流输电用晶闸管dv/dt特性试验研究 被引量:5
6
作者 黄蓉 李世平 +2 位作者 任亚东 陈彦 熊思宇 《大功率变流技术》 2013年第4期4-8,27,共6页
特高压直流输电(UHVDC)用晶闸管除需通过常规的特性测试外,还必须多次进行多项特殊项目测试,例如极限性的临界电压上升率(dv/dt)和不同dv/dt下的电压转折关系测试。文章论述了一种测试±660 kV特高压直流输电用晶闸管临界电压上升... 特高压直流输电(UHVDC)用晶闸管除需通过常规的特性测试外,还必须多次进行多项特殊项目测试,例如极限性的临界电压上升率(dv/dt)和不同dv/dt下的电压转折关系测试。文章论述了一种测试±660 kV特高压直流输电用晶闸管临界电压上升率特性的测试系统。该系统采用计算机自动控制,其数据采集、波形显示以及结果记录均由Labview编写的控制程序完成,安全可靠。 展开更多
关键词 晶闸管 特高压直流输电 临界电压上升率
在线阅读 下载PDF
模块化多电平换流器子模块对地电压分析及其dv/dt抑制方法 被引量:1
7
作者 黄一洪 林磊 +2 位作者 殷天翔 刘座辰 闫姝璇 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第3期1132-1141,共10页
模块化多电平换流器在开关过程中,子模块对地电压变化产生的dv/dt对杂散电容充放电形成共模电流,造成严重的传导电磁干扰。文中推导子模块对地电压跳变值与桥臂中子模块位置的关系,分析不同跳变值出现的概率,指出某些位置会出现数倍电... 模块化多电平换流器在开关过程中,子模块对地电压变化产生的dv/dt对杂散电容充放电形成共模电流,造成严重的传导电磁干扰。文中推导子模块对地电压跳变值与桥臂中子模块位置的关系,分析不同跳变值出现的概率,指出某些位置会出现数倍电容电压(UC)的跳变。为将所有位置子模块的最大对地电压跳变抑制为UC,文中提出一种抑制方法,该方法基于上一控制周期的子模块投切状态、桥臂电流方向、电容电压及当前控制周期需要投入的子模块个数,来确定当前周期的子模块投切状态,并限制两个周期之间子模块投切状态改变的数目为一个或一对,从而达到抑制对地电压跳变的目的。最后通过实验验证子模块对地电压跳变规律及所提方法的有效性。 展开更多
关键词 模块化多电平换流器 子模块对地电压 dv/dt 共模电流 传导电磁干扰
在线阅读 下载PDF
不同因素对IGBT温敏参数dV/dt的影响 被引量:2
8
作者 袁逸超 向大为 《电源学报》 CSCD 2016年第6期35-39,66,共6页
结温是IGBT器件的重要状态变量,可在变流器运行过程中通过监测温敏电参数d V/dt获得相关信息。然而实际系统中除温度与电流外,其他因素也可能改变温敏参数d V/dt,从而影响IGBT结温测量的准确性。首先主要研究了不同因素(包括直流电压,... 结温是IGBT器件的重要状态变量,可在变流器运行过程中通过监测温敏电参数d V/dt获得相关信息。然而实际系统中除温度与电流外,其他因素也可能改变温敏参数d V/dt,从而影响IGBT结温测量的准确性。首先主要研究了不同因素(包括直流电压,门极电阻,杂散电感以及突波吸收电容)对温敏参数d V/dt的影响,并对不同因素与d V/dt的关系进行了理论分析;然后利用双脉冲实验研究了不同因素对1 700 V/450 A的IGBT模块温敏参数d V/dt的影响,并进一步评估其对结温测量的影响。该研究工作对基于d V/dt的IGBT结温测量技术的研发具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 IGBT d V/dt 结温测量 杂散电感
在线阅读 下载PDF
亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响 被引量:2
9
作者 周琪钧 田冕 +1 位作者 刘超 陈万军 《电子与封装》 2020年第8期47-51,共5页
针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制。研究结果表明,亚阈电流... 针对MOS栅控晶闸管(MCT)在电容储能型脉冲功率系统中,面临高电压变化率(dV/dt)而导致的误开启现象,首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响,分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制。研究结果表明,亚阈电流的参与是引起器件dV/dt抗性降低的重要原因,这为提高器件dV/dt抗性设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 脉冲功率系统 MOS栅控晶闸管 dv/dt 亚阈电流
在线阅读 下载PDF
基于Matlab的变频器输出RLC dv/dt滤波器仿真 被引量:4
10
作者 王家校 《机电工程》 CAS 2014年第2期249-252,256,共5页
针对工业变频器驱动感应电机采用长电缆时会产生电压反射的现象,导致感应电机端过电压和高频阻尼振荡的发生,使电机绝缘加速老化,最终造成绝缘击穿等事故的问题,研究了将传输线理论结合电机系统模型分析应用到RLC dv/dt滤波器的详细设... 针对工业变频器驱动感应电机采用长电缆时会产生电压反射的现象,导致感应电机端过电压和高频阻尼振荡的发生,使电机绝缘加速老化,最终造成绝缘击穿等事故的问题,研究了将传输线理论结合电机系统模型分析应用到RLC dv/dt滤波器的详细设计中。首先通过分析长电缆传输时,变频器PWM输出脉冲对电机侧电压的影响,建立了"传输线—滤波器"一体化系统模型,并进行了具体的计算,得出了二阶RLC dv/dt滤波器的基本设计方法,推导出了相应公式以及电缆长度、电缆特性参数、电压反射系数等对滤波器参数的影响,最后用Matlab进行了仿真,并对按照该方法设计的产品进行了模拟实际工况试验测试,将仿真结果与试验数据进行了比较,两者基本吻合。研究结果表明,针对变频器输出dv/dt滤波器的设计,采用该方法具有可行性、有效性和高准确性。 展开更多
关键词 过电压 传输线理论 RLC dv dt滤波器 反射 脉冲
在线阅读 下载PDF
4H-SiC PiN功率二极管dV/dt可靠性机理研究
11
作者 郭登耀 汤晓燕 +1 位作者 李林青 张玉明 《中国电力》 CSCD 北大核心 2021年第12期86-93,共8页
碳化硅(SiC)功率开关高速和高功率的特点,使其在脉冲功率系统中面临着比硅(Si)器件更严苛的高dV/dt可靠性问题。实验发现高dV/dt应力会导致4H-SiC PiN功率二极管击穿特性永久退化。仿真结果表明:高dV/dt应力下器件终端区与主结交界处存... 碳化硅(SiC)功率开关高速和高功率的特点,使其在脉冲功率系统中面临着比硅(Si)器件更严苛的高dV/dt可靠性问题。实验发现高dV/dt应力会导致4H-SiC PiN功率二极管击穿特性永久退化。仿真结果表明:高dV/dt应力下器件终端区与主结交界处存在较强电场集中,致使雪崩提前发生,进而导致局部温度升高造成永久损伤。该电场集中是由于高dV/dt应力下(JTE)区耗尽不充分所致,提出对JTE区进行高浓度补偿掺杂来提高铝(Al)原子的电离率,进而改善脉冲应力下JTE耗尽不充分问题。仿真证明该方法可以有效降低脉冲应力下主结边缘处的电场集中,6×10^(20)cm^(-3)的磷(P)原子补偿掺杂使得器件的抗dV/dt能力提升约30%,而静态特性不受影响。该研究为提升JTE终端SiC功率器件dV/dt可靠性提供了思路。 展开更多
关键词 碳化硅 dv/dt 结终端扩展 不完全电离 补偿掺杂
在线阅读 下载PDF
一种高dV/dt噪声抑制的电平位移电路设计 被引量:1
12
作者 尹勇生 朱守佳 +1 位作者 杨悦 邓红辉 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第2期221-226,共6页
在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计... 在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计了防止误关断辅助电路和防止误开启辅助电路。防止误关断辅助电路在上桥臂开启状态下检测到dV/dt噪声后,能够使电平位移电路的输出保持高电平状态,防止上桥臂功率管被误关断;防止误开启辅助电路在上桥臂关断状态下检测到dV/dt噪声后,能够使电平位移电路的输出保持低电平状态,防止上桥臂功率管被误开启。基于0.18μm BCD工艺进行仿真验证,所设计的电平位移电路开通传输延时仅为1.2 ns,具备100 V/ns的dV/dt噪声抑制能力。 展开更多
关键词 电平位移电路 栅极驱动 半桥驱动 dv/dt噪声抑制
在线阅读 下载PDF
变频调速装置dv/dt滤波器设计 被引量:1
13
作者 田军 丁中挥 《船电技术》 2013年第7期3-6,共4页
电力推进系统中采用变频调速装置供电时,PWM逆变器直接驱动电机会产生较高dv/dt电压,特别是当逆变器通过长线电缆与电机连接时,由于电缆中分布参数的影响,会在电机端产生电压反射现象,从而在电机端产生两倍以上的过电压,加速电动机绝缘... 电力推进系统中采用变频调速装置供电时,PWM逆变器直接驱动电机会产生较高dv/dt电压,特别是当逆变器通过长线电缆与电机连接时,由于电缆中分布参数的影响,会在电机端产生电压反射现象,从而在电机端产生两倍以上的过电压,加速电动机绝缘老化,缩短使用寿命。本文在理论分析的基础上,提出了H桥逆变器、全桥逆变器dv/dt滤波器的设计方法,给出了设计实例,仿真与试验结果验证了设计方法正确性与有效性。 展开更多
关键词 变频调速装置 dv dt滤波器 逆变器 设计方法
在线阅读 下载PDF
DVD With High Gapacity Released
14
《China & The World Cultural Exchange》 2002年第6期34-34,共1页
After two years of research and development, the Center for International Cultural Exchange under the Ministry of Culture of China has recently released a new type of DVD which is double-faced, double-system and bears... After two years of research and development, the Center for International Cultural Exchange under the Ministry of Culture of China has recently released a new type of DVD which is double-faced, double-system and bears ten languages. Teststatistics show that all its indicators come up withthose of its foreign counterparts. Now it has beenput into mass production.This new type of DVD features the following performances. It is a high-clarity one, with the horizontal clarity more than 500. It has a superb sound effect, capable of recording various stereo signals such as DOLBY DIGITAL and DTS. It can record dubbing in eight languages and 展开更多
关键词 dvD With high Gapacity Released In dtS
在线阅读 下载PDF
关于半桥电路中抗dV/dt噪声干扰的安全工作区分析及其解决方案
15
作者 王定良 《电子产品世界》 2020年第2期46-48,87,共4页
作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于... 作为电机驱动电路的智能功率模块(IPM)正变得越来越重要,但是越来越快的开关速度,可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外,过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型,完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析,并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构,改善了传统半桥电路工作时的可靠性。 展开更多
关键词 IGBT 误触发 dv/dt 可靠性
在线阅读 下载PDF
Vishay的新型光敏可控硅器件具高于5kV/μS的dV/dt
16
《集成电路应用》 2006年第1期17-17,共1页
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出新的光敏可控硅器件系列,该系列光敏可控硅器件具有低于其他供应商产品的1.6mA触发器,以及高于5kV/μs的静态dV/dt。采用6引脚DIP封装的新型过零(ZC)及非过零(NZC)光敏可控硅耦合... 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出新的光敏可控硅器件系列,该系列光敏可控硅器件具有低于其他供应商产品的1.6mA触发器,以及高于5kV/μs的静态dV/dt。采用6引脚DIP封装的新型过零(ZC)及非过零(NZC)光敏可控硅耦合器可在工业应用中切换交流电负载以及驱动更大的SCR或TRIAC。 展开更多
关键词 可控硅器件 光敏 dt dv TRIAC DIP封装 工业应用 INC 触发器 供应商
在线阅读 下载PDF
E类低dv/dt全波整流器
17
作者 王玲 Reatti,A 《科技译丛(长沙)》 1994年第2期11-17,共7页
关键词 整流器 E类整流器 dv/dt 全波整流器
在线阅读 下载PDF
新型光敏可控硅器件具有高于5kV/μS的dV/dt
18
《国外电子元器件》 2006年第2期51-51,共1页
关键词 可控硅器件 光敏 dt dv Vishay公司 DIP封装 TRIAC 工业应用 触发器 耦合器
在线阅读 下载PDF
基于DTS技术的煤矿电缆载流量分析研究
19
作者 胥海东 向兆军 +2 位作者 苏莉君 覃伟 王彦召 《煤矿机械》 2024年第8期41-44,共4页
从矿用机电设备安全角度出发,对煤矿高压电缆在线监测技术进行了探讨,重点分析了矿用高压电缆载流量监测的重要性,阐述了适用于煤矿高压电缆的热路模型和动态载流量模型,设计了基于DTS的动态载流量监测系统,描述了系统功能和系统组成,... 从矿用机电设备安全角度出发,对煤矿高压电缆在线监测技术进行了探讨,重点分析了矿用高压电缆载流量监测的重要性,阐述了适用于煤矿高压电缆的热路模型和动态载流量模型,设计了基于DTS的动态载流量监测系统,描述了系统功能和系统组成,为煤矿高压电缆的监测提供了一种创新的方法。通过系统的应用试点,结果表明该系统可有效地展示电缆的运行状况及电缆路径上各位置的老化问题。 展开更多
关键词 光纤测温 矿用高压电缆 动态载流量模型 监测系统
在线阅读 下载PDF
TC4-DT钛合金高温热变形行为研究 被引量:17
20
作者 王小芳 陈明和 +1 位作者 陈伟 朱知寿 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期30-34,共5页
利用Gleeble-3500型热模拟实验机,研究了TC4-DT损伤容限型钛合金在温度850℃~1000℃、应变速率0.01~10s-1、变形程度为40%~70%条件下的热变形行为,分析了该合金的流变应力行为及微观组织演变规律,并建立了本构关系模型。研究结果表明... 利用Gleeble-3500型热模拟实验机,研究了TC4-DT损伤容限型钛合金在温度850℃~1000℃、应变速率0.01~10s-1、变形程度为40%~70%条件下的热变形行为,分析了该合金的流变应力行为及微观组织演变规律,并建立了本构关系模型。研究结果表明,TC4-DT合金在950℃以下的较低温度变形时应力软化现象非常明显,变形机制和热变形激活能不同于950℃以上的较高温度变形机制;在950℃以上高温度变形时,低应变速率(如ε=0.01s-1)促进了动态再结晶行为的发生,而在较高的应变速率(如ε=10s-1)时,一般只发生动态回复现象,动态再结晶行为受抑制。 展开更多
关键词 TC4-dt钛合金 高温锻造 动态再结晶 微观组织
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 5 下一页 到第
使用帮助 返回顶部