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Si_(3)N_(4)覆铜基板的界面空洞控制技术 被引量：3
1
作者 张义政 张崤君 +4 位作者 张金利 吴亚光 刘旭 鲍禹希 张腾 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期572-577,共6页
为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si_(3)N_(4)覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si_(3)N_(4)陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si_(3)N_(4)覆铜基板的焊料层,其中的活性组分T... 为满足新一代SiC基功率模块的先进封装需求,研究了Si_(3)N_(4)覆铜活性金属焊接(AMB)基板的界面空洞控制技术,使Si_(3)N_(4)陶瓷与铜箔界面处的空洞率低于1%。选用Ag-Cu-Ti活性金属焊片作为Si_(3)N_(4)覆铜基板的焊料层,其中的活性组分Ti可与Si_(3)N_(4)生成界面反应层TiN,该材料是界面空洞控制的关键。在分析界面空洞形成机理的基础上,以空洞率为指标,对原材料前处理、AMB工艺参数(焊接压力和焊接温度)进行全因子试验设计(DOE)及方差分析,得到最佳的参数组合为:化学法与还原法相结合的原材料前处理方式,焊接压力约2 N,焊接温度900℃。通过原材料前处理和AMB工艺优化的界面空洞控制技术,研制出界面空洞率小于1%的Si_(3)N_(4)覆铜基板,能够满足SiC基功率模块封装基板的高可靠应用需求。 展开更多
关键词 sic基功率模块 Si_(3)N_(4)覆铜基板 活性金属焊接(AMB)工艺 AG-CU-TI 空洞率
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