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Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化 被引量：7
1
作者 熊贻婧 张萌 +4 位作者 熊传兵 肖宗湖 王光绪 汪延明 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期531-537,共7页
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和光致发光（PL）研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现：（1）转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层... 采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNMQWLED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射（HRXRD）和光致发光（PL）研究了转移的GaN薄膜应力变化。研究发现：（1）转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小。（2）随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化。 展开更多
关键词 金属基板 si衬底 GAN 薄膜 应力
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Si衬底GaN基LED的结温特性 被引量：5
2
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 莫春兰 周毛兴 刘和初 熊传兵 江风益 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期211-214,共4页
结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发... 结温是发光二极管的重要参数之一,它对器件的内量子效率、输出功率、可靠性及LED的其他一些性能有很大的影响。首次报道S i衬底GaN基LED的结温特性。利用正向压降法测量S i衬底上GaN基LED的结温,通过与蓝宝石衬底上GaN LED的结温比较,发现S i衬底GaN LED有更低的结温,原因归结为S i有更好的导热性。同时也表明:用S i作GaN LED的衬底在大功率LED方面具有更大的应用潜力。 展开更多
关键词 si衬底 GAN 发光二极管 结温
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Si衬底GaN基LED理想因子的研究 被引量：5
3
作者 刘卫华 李有群 +5 位作者 方文卿 周毛兴 刘和初 莫春兰 王立 江风益 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期45-48,共4页
首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,... 首次报道Si衬底GaN LED的理想因子。通过GaN LEDI-V曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与X射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时Si衬底GaN LED的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底GaN LED理想因子为3.0,其对应半峰宽401arcsec。硅衬底GaN LED理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进行。 展开更多
关键词 si衬底 GAN LED 理想因子
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裂纹对Si衬底GaN基LED薄膜应力状态的影响 被引量：3
4
作者 肖宗湖 张萌 +4 位作者 熊传兵 江风益 王光绪 熊贻婧 汪延明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期895-899,共5页
本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹... 本文通过XRD和PL等分析方法研究了在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层和InGaN阱层的应力状态,以及裂纹对其应力状态的影响。XRD结果表明:在Si衬底生长的GaN基LED外延薄膜n型GaN层受到张应力,在受到一定的外加应力后会以裂纹及裂纹增生的方式释放。随着裂纹数量的增加,n型GaN层受到的张应力逐渐减小,但仍处于张应力状态;n型GaN层张应力的减小使得InGaN阱层受到的压应力增大。PL分析进一步表明:InGaN阱层受到的压应力增大使得量子限制Stark效应更加明显,禁带宽度减小,发光波长表现为红移。 展开更多
关键词 si衬底 INGAN/GAN LED 裂纹 应力
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Si衬底GaN基材料及器件的研究 被引量：3
5
作者 滕晓云 刘彩池 +2 位作者 郝秋艳 赵丽伟 张帷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期98-101,107,共5页
GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的... GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况。 展开更多
关键词 GAN si衬底 外延生长
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RF磁控溅射法在Si衬底上生长ZnO薄膜界面的XPS研究 被引量：2
6
作者 李万程 张源涛 +2 位作者 杜国同 杨树人 王涛 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期493-496,共4页
采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较... 采用 RF磁控溅射方法在 Si衬底上生长 Zn O薄膜 . XRD测量结果表明 ,Zn O薄膜为 c轴择优取向生长的 .对 Zn O薄膜进行了 XPS深度剖析及测试 .测试结果表明 ,在未达到界面时 Zn O均符合正化学计量比 ,是均匀的单相膜 ,表明该方法具有较好的成膜特性 .在界面处 ,Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、 Zn2 p3/2 与 Zn LMM峰积分面积比值的变化、 Si2 p峰的非对称性 ,均表明 Si与 Zn O的界面处有明显的成键作用 .在界面处 ,n型 Si反型为 p型 . 展开更多
关键词 ZNO薄膜 si衬底 RF磁控溅射法 XPS 半导体薄膜 成膜特性 化学位移 俄歇峰
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Si衬底氮化物LED器件的研究进展 被引量：5
7
作者 李国强 杨慧 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期153-160,183,共9页
通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层... 通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点技术。这些新型技术与传统的MOCVD,HVPE,MBE等制备技术相结合,在很大程度上克服了Si衬底的不足,使Si衬底上氮化物LED展现出广阔的发展前景。 展开更多
关键词 LED si衬底 缓冲层 图案掩模技术 量子阱
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Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究 被引量：1
8
作者 朱华 李翠云 +2 位作者 莫春兰 江风益 张萌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期539-543,共5页
用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发... 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错. 展开更多
关键词 MQW si衬底 位错 TEM SEM
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Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构 被引量：1
9
作者 李翠云 朱华 +1 位作者 莫春兰 江风益 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1950-1954,共5页
用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在... 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错. 展开更多
关键词 GAN si衬底 LED 位错 TEM DCXRD
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Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT 被引量：1
10
作者 冯志宏 尹甲运 +9 位作者 袁凤坡 刘波 梁栋 默江辉 张志国 王勇 冯震 李效白 杨克武 蔡树军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1949-1951,共3页
利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1m... 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%. 展开更多
关键词 si衬底 GAN HEMT XRD半高宽 二维电子气迁移率 功率密度
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离子轰击增强金刚石膜与Si衬底结合力的进一步研究(英文) 被引量：1
11
作者 徐幸梓 刘天模 +2 位作者 曾丁丁 张兵 刘凤艳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期679-682,共4页
由于金刚石与Si有较大的表面能差 ,利用化学气相沉积 (CVD)制备金刚石膜时 ,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难 ,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核 ,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强。本文分析衬底负偏压... 由于金刚石与Si有较大的表面能差 ,利用化学气相沉积 (CVD)制备金刚石膜时 ,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核困难 ,而负衬底偏压能够增强金刚石在镜面光滑Si表面上的成核 ,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强。本文分析衬底负偏压引起的离子轰击对Si表面产生的影响之后 ,基于离子轰击使得Si衬底表面产生了微缺陷 (凹坑 )增大了金刚石膜与Si衬底结合的面积 ,理论研究了离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响。 展开更多
关键词 化学气相沉积 制备 金刚石膜 成核 离子轰击 凹坑 si衬底 结合力 硅
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SiCN薄膜在Si衬底上的沉积 被引量：1
12
作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期913-917,共5页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯CH4和N2 ,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒。用场发射扫描电镜 (SEM)、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射谱 (XRD)对样品进行了... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,在单晶Si衬底上制备出了SiCN薄膜。所采用的源气体为高纯CH4和N2 ,而Si源来自于Si衬底、SiH4和Si棒。用场发射扫描电镜 (SEM)、X射线光电子能谱 (XPS)和X射线衍射谱 (XRD)对样品进行了表征与分析。结果表明 ,外加Si源、高的衬底温度、高流量N2 有助于提高样品的成膜质量。 展开更多
关键词 si衬底 衬底温度 薄膜 X射线衍射谱 X射线光电子能谱(XPS) 三元化合物 MPCVD 场发射扫描电镜 微波等离子体化学气相沉积 CN
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Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展 被引量：2
13
作者 杨学林 沈波 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期723-731,共9页
Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制... Si衬底因兼具大尺寸、低成本以及与现有CMOS工艺兼容等优势,使Si衬底上GaN基射频(RF)电子材料和器件成为继功率电子器件之后下一个该领域关注的焦点。由于力学性质与低阻Si衬底不同,高阻Si衬底上GaN基外延材料生长的应力控制和位错抑制问题仍然困难,且严重的射频损耗问题限制着其在射频电子领域的应用。本文简要介绍了Si衬底上GaN基射频电子材料的研究现状和面临的挑战,重点介绍了北京大学研究团队在高阻Si衬底上GaN基材料射频损耗的产生机理,以及低位错密度、低射频损耗GaN的外延生长等方面的主要研究进展。最后对Si衬底上GaN基射频电子材料和器件的未来发展作了展望。 展开更多
关键词 si衬底上GaN 金属有机化合物化学气相沉积 应力 位错 射频损耗
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Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术
14
作者 王光绪 熊传兵 +2 位作者 王立 刘军林 江风益 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期283-287,共5页
Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触引入的电流分流效应。通过传输线的方法研究了Pt,Cr,Ni/Ag与p-Ga... Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触性能,避免在p-GaN上同时形成两种欧姆接触引入的电流分流效应。通过传输线的方法研究了Pt,Cr,Ni/Ag与p-GaN的接触行为(在不同的合金条件),讨论了Cr和Pt作为保护材料的可行性。结果发现,N2中500℃合金后,NiAg/p-GaN的比接触电阻率(ρc)达到最低,ρc最低值为1.42×10-3Ω.cm2;同条件下,80 nm Pt/p-GaN的ρc为6.63×10-3Ω.cm2,30 nm Cr/p-GaN的ρc为2.03×10-2Ω.cm2,且其合金前的ρc为5.74×10-2Ω.cm2,比合金后的ρc更高。这说明,Cr是更为理想的Ni/Ag保护材料,若Ni/Ag合金后再蒸Cr,效果更佳。最后,通过芯片老化实验,验证了Cr是一种较为理想的、可靠的反射镜保护材料,采用其制备的薄膜型功率芯片具有很高的可靠性。 展开更多
关键词 氮化镓 发光二极管 薄膜芯片 Ag基反射镜 si衬底
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Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析
15
作者 尹甲运 刘波 +4 位作者 王晶晶 周瑞 李佳 敦少博 冯志红 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第10期603-605,共3页
通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱(E... 通过改变AlN形核层的生长温度分别在Si(111)衬底上生长了两个GaN样品,并对GaN外延材料表面的六角形缺陷进行了分析研究。通过显微镜和扫描电镜(SEM)观测发现,AlN形核层在高温下生长时,GaN材料表面会产生大量六角形缺陷。通过电子能谱(EDS)分析得出GaN六角形缺陷中含有大量的Si元素以及少量的Ga和Al元素,其中Si元素从Si衬底中高温扩散而来。在降低AlN形核层的生长温度后,GaN材料表面的六角形缺陷随之消失。表明AlN形核层在较低的温度下生长时可以有效地抑制Si衬底表面Si原子的扩散,减少外延层中由于衬底Si反扩散引起的缺陷。 展开更多
关键词 GAN 六角形缺陷 AlN形核层 温度 si衬底
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采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
16
作者 张源涛 崔勇国 +5 位作者 张宝林 朱慧超 李万成 常遇春 杨树人 杜国同 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1137-1140,共4页
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 si衬底 PL谱 异质结
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Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
17
作者 周健 夏冠群 +3 位作者 刘文超 李冰寒 王嘉宽 郝幼申 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2002年第2期187-190,共4页
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以... 对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 展开更多
关键词 退火 热扩散 薄膜电阻 si衬底 Ta-N/Cu薄膜
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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
18
作者 王新昌 叶志镇 +1 位作者 曹亮亮 赵炳辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期134-137,145,共5页
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原... 本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。 展开更多
关键词 LiTaO3薄膜 siO2/si衬底 C轴取向 脉冲激光沉积
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电子束蒸发在Si衬底上制备MgB_2超导薄膜
19
作者 朱红妹 熊文杰 +1 位作者 高召顺 张义邴 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期51-52,59,共3页
利用电子束蒸发法在 Si(111)衬底上制备了 Mg B2 超导薄膜。首先在衬底上按照 1∶ 2的原子比交替蒸发 Mg和 B,所形成的夹层先驱膜在 15 0 Pa99.99% Ar气氛下进行原位热处理 6 30℃× 30 m in。实验发现超导薄膜在正常态下无半导体... 利用电子束蒸发法在 Si(111)衬底上制备了 Mg B2 超导薄膜。首先在衬底上按照 1∶ 2的原子比交替蒸发 Mg和 B,所形成的夹层先驱膜在 15 0 Pa99.99% Ar气氛下进行原位热处理 6 30℃× 30 m in。实验发现超导薄膜在正常态下无半导体电阻特性 ,超导起始转变温度为 2 4 .7K,零电阻温度为 16 .5 K。 展开更多
关键词 超导薄膜 电子束蒸发 原位热处理 si衬底 MGB2 电阻特性 二硼化镁
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Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
20
作者 李翠云 占腊生 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期512-516,共5页
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透... 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。 展开更多
关键词 GAN si衬底 位错 TEM
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