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双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性 被引量:3
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作者 邵传芬 史常忻 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期792-797,共6页
双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲... 双面肖特基势垒型 Ga As粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成 ,器件结构为金属 -半导体-金属结构 ,该探测器能经受能量为 1 .5Me V、剂量高达 1 0 0 0 k Gy的电子、50 0 k Gy的 γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试 ,辐照后器件击穿曲线坚挺 ,反向漏电流最低为 0 .48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与 X射线的照射量呈线性关系 .该探测器在 2 4 1Am( Eα=5.48Me V) α粒子辐照下 ,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为 45%和 7% .在由 90 Sr( Eβ=2 .2 7Me V)发出的 β粒子辐照下 ,探测器有最小的电离粒子谱 . 展开更多
关键词 粒子探测器 schottky势垒 砷化镓
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Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究
2
作者 杨伟锋 杨克勤 +3 位作者 陈厦平 张峰 王良均 吴正云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期277-280,共4页
采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC... 采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎. 展开更多
关键词 4H-SIC schottky势垒高度 退火
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Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级
3
作者 李书平 王仁智 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期586-590,共5页
基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"... 基于第一原理赝势能带计算,采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度,结果表明2种方法都可用于计算金属 本征半导体的接触势垒高度.文中用于确定接触势垒高度的"本征半导体基态费米能级ESF,i"不同于半导体物理中所指的"本征费米能级Ei".n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒,三者在接触界面附近的费米能级都是"钉扎"于本征半导体基态费米能级ESF,i,是此三者的接触势垒高度大致相同的原因. 展开更多
关键词 schottky势垒 电中性能级 平均键能 费米能级 半导体 接触势垒高度 第一原理赝势能带计算
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不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究 被引量:2
4
作者 杨克勤 陈厦平 +4 位作者 杨伟锋 孔令民 蔡加法 林雪娇 吴正云 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期251-255,共5页
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反... 采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差; Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11。 展开更多
关键词 光电子学 4H-SIC schottky势垒高度 退火
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Pt/CdSSchottky势垒紫外探测器的研制 被引量:9
5
作者 秦强 朱惜辰 杨文运 《红外技术》 CSCD 北大核心 2006年第4期234-237,共4页
介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应... 介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在λ=440 nm处加两伏反偏时的响应率为0.17A/W,内量子效率最大可达64%。 展开更多
关键词 紫外探测器 肖特基势垒 CDS
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n-CdTe Schottky势垒薄膜太阳能电池中嵌入p型层对其势垒高度影响的计算机模拟
6
作者 林鸿生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期14-17,共4页
通过求解Poisson方程,对热平衡态金属:p-n-CdTeSchotky势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的p型层增大传统金属:n-CdTe结的有效Schotky势垒高度与p型层厚度、掺杂浓度以及n-CdT... 通过求解Poisson方程,对热平衡态金属:p-n-CdTeSchotky势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的p型层增大传统金属:n-CdTe结的有效Schotky势垒高度与p型层厚度、掺杂浓度以及n-CdTe本底电阻率有依赖关系。最后讨论嵌入p型层增强CdTeSchotky势垒太阳能电池对光生载流子的收集作用。 展开更多
关键词 薄膜 太阳电池 势垒高度 碲化镉
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半导体陶瓷Schottky势垒型器件晶界势垒问题探讨
7
作者 谭莉萍 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第3期237-239,共3页
研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒。通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比),讨论晶界势垒随受主态扩散浓度和扩散深度的变化规律,得出有助于理解扩散工艺对器件性能影响的结论。
关键词 晶界势垒 受主态 扩散层 耗尽层
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Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法 被引量:2
8
作者 李书平 王仁智 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期542-546,共5页
以平均键能Em 作为参考能级 ,计算了 10种不同半导体的Schottky接触势垒高度 ,计算值与实验值符合较好 .计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB 方法相当 ,优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh和介电函数隙中能级... 以平均键能Em 作为参考能级 ,计算了 10种不同半导体的Schottky接触势垒高度 ,计算值与实验值符合较好 .计算值与实验值的符合程度与Tersoff的电中性能级EB 方法相当 ,优于Harrison和Cardona等人采用sp3平均杂化能εh和介电函数隙中能级ED 的计算结果 . 展开更多
关键词 schottky势垒高度 平均键能方法 费米能级 计算方法 二极管 肖特基势垒 金属-半导体接触
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基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门
9
作者 王冰 刘溪 《微处理机》 2025年第1期24-27,共4页
为减少晶体管的使用数量来实现同或逻辑功能,提高单个晶体管的逻辑密度,提出一种基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门。器件的源端和漏端均采用金属硅化物NiSi,在源漏电极处与硅的导带及价带之间形成相似的肖特基势垒。通过Si... 为减少晶体管的使用数量来实现同或逻辑功能,提高单个晶体管的逻辑密度,提出一种基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门。器件的源端和漏端均采用金属硅化物NiSi,在源漏电极处与硅的导带及价带之间形成相似的肖特基势垒。通过Silvaco TCAD软件进行分析验证,研究器件在不同栅极电压下的转移特性曲线、能带变化和载流子浓度分布等规律。实验结果表明,该设计使正向导通电流有所提高,只用一个晶体管即可实现同或逻辑功能,相比传统CMOS提高了半导体芯片的集成度,对于集成电路研发具有重要的技术价值。 展开更多
关键词 肖特基势垒 可重置 XNOR逻辑门
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一种互补肖特基势垒源可重置的场效应晶体管
10
作者 赵贺 靳晓诗 王冰 《微处理机》 2025年第1期12-15,共4页
针对器件尺寸微缩导致的短沟道效应和漏电流增加问题,提出一种基于互补肖特基势垒源的可重置场效应晶体管(CSBS-RFET)。研究了该器件在不同栅极电压下的可重置输出电流、能带和载流子浓度分布,并通过Silvaco TCAD仿真验证。实验表明采... 针对器件尺寸微缩导致的短沟道效应和漏电流增加问题,提出一种基于互补肖特基势垒源的可重置场效应晶体管(CSBS-RFET)。研究了该器件在不同栅极电压下的可重置输出电流、能带和载流子浓度分布,并通过Silvaco TCAD仿真验证。实验表明采用无掺杂半导体与Er和Pt金属形成低肖特基势垒的设计可有效提高正向导通电流,同时显著降低关断电流和功耗。该器件在快速信息处理芯片领域具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 肖特基势垒 XNOR逻辑门 可重置场效应晶体管 互补场效应晶体管
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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
11
作者 胡宪富 《半导体技术》 北大核心 2025年第2期141-146,共6页
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO... 随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO)作为场板的准垂直结构GaN SBD。通过击穿电压实验和器件电场仿真分析,结果表明BTO高k场板能够有效抑制边缘峰值电场集聚,显著提升SBD击穿电压并降低漏电流。使用BTO场板的GaN SBD实现了0.75 V的开启电压、2.45 mΩ·cm^(2)的比导通电阻以及1.49 kV的高击穿电压。研究表明,BTO高k场板在高功率GaN电子器件的发展中具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真
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偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用
12
作者 金泗轩 元民华 +3 位作者 王兰萍 王海萍 宋海智 秦国刚 《中国科学(A辑)》 CSCD 1993年第6期617-622,共6页
氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,... 氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。 展开更多
关键词 schottky势垒 零偏退火 砷化镓
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渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
13
作者 张瑞浩 万发雨 +3 位作者 徐儒 徐佳闰 李月华 宋润陶 《微波学报》 北大核心 2025年第1期26-31,共6页
高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此... 高频氮化镓微波功率器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频率f_(t)与最大震荡频率f_(max)降低。因此,本文采用了一种铝组分渐变的铝氮化镓背势垒结构,在一定程度上提高了器件的f_(t)和f_(max)。研究结果表明:与组分为0.05的固定组分背势垒相比,0~0.1渐变组分背势垒器件的最大震荡频率f_(max)最高提升了11.1 GHz,达到150.9 GHz。其射频功率特性也得到了明显改善,当工作频率为8 GHz时,最大输出功率密度达到5.2 W/mm,功率增益达到14.8 dB,功率附加效率达到了30.3%。 展开更多
关键词 氮化镓基高电子迁移率晶体管器件 渐变组分背势垒结构 短沟道效应 二维电子气限域性
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Impact of Oxygen Vacancy on Performance of Amorphous InGaZnO Based Schottky Barrier Diode
14
作者 JIA Bin TONG Xiaowen +3 位作者 HAN Zikang QIN Ming WANG Lifeng HUANG Xiaodong 《发光学报》 北大核心 2025年第3期412-420,共9页
Rectifying circuit,as a crucial component for converting alternating current into direct current,plays a pivotal role in energy harvesting microsystems.Traditional silicon-based or germanium-based rectifier diodes hin... Rectifying circuit,as a crucial component for converting alternating current into direct current,plays a pivotal role in energy harvesting microsystems.Traditional silicon-based or germanium-based rectifier diodes hinder system integration due to their specific manufacturing processes.Conversely,metal oxide diodes,with their simple fabrication techniques,offer advantages for system integration.The oxygen vacancy defect of oxide semiconductor will greatly affect the electrical performance of the device,so the performance of the diode can be effectively controlled by adjusting the oxygen vacancy concentration.This study centers on optimizing the performance of diodes by modulating the oxygen vacancy concentration within InGaZnO films through control of oxygen flows during the sputtering process.Experimental results demonstrate that the diode exhibits a forward current density of 43.82 A·cm^(−2),with a rectification ratio of 6.94×10^(4),efficiently rectifying input sine signals with 1 kHz frequency and 5 V magnitude.These results demonstrate its potential in energy conversion and management.By adjusting the oxygen vacancy,a methodology is provided for optimizing the performance of rectifying diodes. 展开更多
关键词 INGAZNO schottky barrier diode oxygen vacancy rectifying performance
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双轴应变对NbSe_(2)/MoSi_(2)N_(4)肖特基势垒的调控
15
作者 张宇哲 安梦雅 谢泉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第5期182-188,共7页
最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中... 最近一种高质量的二维(Two-dimensional,2D)半导体材料MoSi_(2)N_(4)(MSN)在实验上被成功合成,具有优异的电气和机械性能.尽管最近有大量的研究致力于揭示MSN的材料特性,但到目前为止,对MSN的电接触物理特性的探索还比较少.在这项工作中,构建了金属-半导体NbSe_(2)/MSN肖特基结并使用第一性原理密度泛函理论计算研究了该肖特基结的材料特性.发现NbSe_(2)/MSN接触具有超低肖特基势垒高度(Schottky barrier height,SBH),这有利于纳米电子学应用.SBH可以通过施加双轴应变的方式进行有效的调控.当施加拉伸应变时能实现NbSe_(2)/MSN肖特基结由p型肖特基接触转变为p型欧姆接触,而当施加较大的压缩应变时能实现p型肖特基接触和n型肖特基接触之间的转换.我们的研究结果为MSN的2D电触点的物理特性提供了见解,并将为设计基于MSN的2D纳米器件的高性能电触点提供关键的一步. 展开更多
关键词 MoSi_(2)N_(4) NbSe_(2) 肖特基结 欧姆接触
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Precision storage lifetime measurements of highly charged heavy ions in the CSRe storage ring using a Schottky resonator
16
作者 Qian Wang Xin-Liang Yan +13 位作者 Guang-Yu Zhu Shahab Sanjari Li-Jun Mao He Zhao Yuri ALitvinov Rui-Jiu Chen Meng Wang Yu-Hu Zhang You-Jin Yuan Jun-Xia Wu Hong-Yang Jiao Yue Yu Zu-Yi Chen Yin-Fang Luo 《Nuclear Science and Techniques》 2025年第1期150-160,共11页
Schottky mass spectrometry utilizing heavy-ion storage rings is a powerful technique for the precise mass and decay half-life measurements of highly charged ions.Owing to the nondestructive ion detection features of S... Schottky mass spectrometry utilizing heavy-ion storage rings is a powerful technique for the precise mass and decay half-life measurements of highly charged ions.Owing to the nondestructive ion detection features of Schottky noise detectors,the number of stored ions in the ring is determined by the peak area in the measured revolution frequency spectrum.Because of their intrinsic amplitude-frequency characteristic(AFC),Schottky detector systems exhibit varying sensitivities at different frequencies.Using low-energy electron-cooled stored ions,a new method is developed to calibrate the AFC curve of the Schottky detector system of the Experimental Cooler Storage Ring(CSRe)storage ring located in Lanzhou,China.Using the amplitude-calibrated frequency spectrum,a notable refinement was observed in the precision of both the peak position and peak area.As a result,the storage lifetimes of the electron-cooled fully ionized^(56)Fe^(26+)ions were determined with high precision at beam energies of 13.7 and 116.4 MeV/u,despite of frequency drifts during the experiment.When electron cooling was turned off,the effective vacuum condition experienced by the 116.4 MeV/u^(56)Fe^(26+)ions was determined using amplitude-calibrated spectra,revealing a value of 2×10^(−10)mbar,which is consistent with vacuum gauge readings along the CSRe ring.The method reported herein will be adapted for the next-generation storage ring of the HIAF facility under construction in Huizhou,China.It can also be adapted to other storage ring facilities worldwide to improve precision and enhance lifetime measurements using many ions in the ring. 展开更多
关键词 Lifetime measurement schottky mass spectrometry Sensitivity response Highly charged heavy ion RESONATOR UH vacuum Nondestructive diagnostics
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大电流金刚石功率肖特基势垒二极管
17
作者 郁鑫鑫 王若铮 +4 位作者 谯兵 李忠辉 沈睿 周建军 周立坤 《真空电子技术》 2024年第5期59-63,共5页
基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属T... 基于硼掺杂金刚石外延材料,开展了安培级大电流金刚石功率肖特基势垒二极管(SBD)的研制。为了获得高的电流导通能力和击穿电压,该器件采用了垂直结构设计,包含300μm厚的硼重掺杂金刚石衬底和2.5μm厚的轻掺杂漂移层。采用低功函数金属Ti与p型金刚石形成了良好的肖特基接触,肖特基势垒高度1.23 eV,理想因子1.54,并在肖特基电极边缘进行了硼离子注入以抑制边缘电场。研制的金刚石功率SBD正向导通电流高达1 A,反向击穿电压653 V,巴利加优值(Baliga's Figure Of Merit,BFOM)达到了20.1 MW/cm^(2)。 展开更多
关键词 金刚石 硼掺杂 肖特基势垒二极管 导通电流 击穿电压
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n型MoS_(2)/p型c-Si太阳电池前后接触势垒的模拟优化
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作者 张研研 刘彤 +3 位作者 赵诚磊 高子童 王金星 汤雲茹 《沈阳师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第4期295-299,共5页
基于提高n型MoS_(2)/p型c-Si太阳电池转换效率的目的,采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,针对电池前后接触势垒对光伏性能的影响进行模拟优化。模拟结果表明:前接触势垒(对于电子)越低,电池性能越好,当前接触势垒为0.1 eV时,电池转换... 基于提高n型MoS_(2)/p型c-Si太阳电池转换效率的目的,采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,针对电池前后接触势垒对光伏性能的影响进行模拟优化。模拟结果表明:前接触势垒(对于电子)越低,电池性能越好,当前接触势垒为0.1 eV时,电池转换效率达17.617%;背接触势垒越高,电池短路电流升高越明显,光伏性能越好,当背接触势垒为1.1 eV时,电池转换效率达17.762%。为电池增加带隙为1.8 eV的非晶硅背场后,电池的光伏性能明显改善。电池有背场后,背接触势垒越高,电池的开路电压升高越显著,当背接触势垒为1.7 eV时,电池的转换效率提高至27.641%。此研究旨在为n型MoS_(2)/p型c-Si太阳电池的实验制备提供一定的理论参考。 展开更多
关键词 接触势垒 模拟 转换效率 开路电压 短路电流 填充因子
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Pb/PbSe Schottky 势垒结研究
19
作者 方龙森 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第1期81-86,共6页
本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数... 本文对形成Ⅳ-Ⅵ族PbSe 金属-半导体肖特基势垒结之工艺和为了提高该器件的R_0A 值,将氯化物作为Pb/PbSe 界面的机理作了研究.本文还研究了具有PbCl_x 界面的PbSe 肖特基势垒结的特性模型化,同时给出了R_0,n,R_(SH),和Φ_B 等模型参数的提取方法.测量表明具有界面层的Pb/PbSe势垒结显示了良好的电学性能. 展开更多
关键词 界面层 肖特基势垒 PB PBSE
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基于AlAsSb/InAsSb超晶格势垒的InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外探测器
20
作者 单一凡 吴东海 +8 位作者 谢若愚 周文广 常发冉 李农 王国伟 蒋洞微 郝宏玥 徐应强 牛智川 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期450-456,共7页
InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测... InAs/InAsSbⅡ类超晶格避免了InAs/GaSbⅡ类超晶格中与Ga原子相关的缺陷复合中心,具有更高的少数载流子寿命,在高工作温度中波红外探测器制备方面有着良好的应用前景。少数载流子单极势垒结构通常被用来抑制探测器暗电流,如nBn结构探测器。在InAs/InAsSbⅡ类超晶格nBn中波红外光电探测器中,势垒层常采用AlAsSb等多元合金材料,阻挡多数载流子的输运。然而,势垒层与吸收层存在的价带偏移(VBO)使得光电流往往需要在大偏压下饱和,从而增大了探测器暗电流。本文设计了一种AlAsSb/InAsSb超晶格势垒,旨在消除VBO并降低量子效率对偏压的依赖性。研究结果显示,150 K下,设计制备的nBn光电探测器的50%截止波长为4.5μm,探测器光响应在-50 mV的小反向偏压下达到了饱和,3.82μm处的峰值响应度为1.82 A/W,对应量子效率为58.8%。在150 K和-50 mV偏压下,探测器的暗电流密度为2.01×10^(-5)A/cm^(2),计算得到在3.82μm的峰值探测率为6.47×10^(11)cm·Hz^(1/2)/W。 展开更多
关键词 InAs/InAsSb Ⅱ类超晶格 AlAsSb/InAsSb势垒 中波红外 势垒探测器
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