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西藏蛇绿岩的超高压矿物:FeO、Fe、FeSi、Si和SiO_2组合及其地球动力学意义 被引量：23
1
作者 白文吉 杨经绥 +2 位作者 方青松 颜秉刚 张仲明 《地球学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期395-402,共8页
在西藏雅鲁藏布江蛇绿岩带的东段 ,出露罗布莎蛇绿岩块和豆荚状铬铁矿床。从豆荚状铬铁矿石中查明 6 0～ 70种伴生矿物 ,其中包含FeO、Fe、FeSi、Si和SiO2 组合。根据超高压 高温实验 ,该组合应形成于地球外核与下地幔之间的D″层 ,是... 在西藏雅鲁藏布江蛇绿岩带的东段 ,出露罗布莎蛇绿岩块和豆荚状铬铁矿床。从豆荚状铬铁矿石中查明 6 0～ 70种伴生矿物 ,其中包含FeO、Fe、FeSi、Si和SiO2 组合。根据超高压 高温实验 ,该组合应形成于地球外核与下地幔之间的D″层 ,是地球外核的液态铁与镁硅酸盐钙钛矿 (MgSiO3 )相互化学反应的产物。西藏该超高压矿物组合揭示了蛇绿岩地幔活动可能深达地球外核。罗布莎蛇绿岩的该矿物组合可能是地幔 外地核之间的产物 ,或者是被对流作用 ,亦或是被起源于D″层的地幔柱活动带到上地幔的。铬铁矿在地幔中结晶 。 展开更多
关键词 地球动力学 西藏 蛇绿岩 超高压矿物 FeO-Fe-Fesi 二氧化硅 sio2 地幔活动
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Si含量对TiO_2/SiO_2复合气凝胶结构及光催化性能的影响 被引量：16
2
作者 刘朝辉 苏勋家 侯根良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期911-915,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表... 采用溶胶-凝胶法制备了不同Si含量的TiO2/SiO2复合气凝胶.利用XRD、FTIR、XPS和BET等手段表征了复合气凝胶组织结构,以甲基橙溶液光催化降解实验评价其光催化活性,研究了Si含量对TiO2/SiO2复合气凝胶的结构及光催化性能影响规律.结果表明:TiO2/SiO2复合气凝胶中Ti-O-Ti、Si-O-Si和Ti-O-Si键相互交织,使复合气凝胶具有小晶粒尺寸、高比表面积和高热稳定性.随着Si含量增大,TiO2/SiO2复合气凝胶中TiO2晶粒尺寸减小,TiO2结晶度降低,比表面积增大,平均孔径减小,且TiO2/SiO2复合气凝胶对甲基橙溶液的光催化降解活性呈现先升后降的变化趋势.适当Si含量能显著改善TiO2/SiO2复合气凝胶的结构和光催化性能,Si含量最佳值在9wt%附近. 展开更多
关键词 TiO2/sio2复合气凝胶 si含量 组织结构 光催化性能
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SiO_2/(Si_3N_4+BN)透波材料表面涂层的防潮性能和透波性能研究 被引量：10
3
作者 李俊生 张长瑞 +2 位作者 王思青 曹峰 王衍飞 《涂料工业》 CAS CSCD 2007年第1期5-7,10,共4页
SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防... SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料是近几年发展起来的综合性能优良的适用于高马赫数的导弹天线罩材料。本文分析了SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的吸潮机理。采用有机硅树脂在SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料表面制备了防潮涂层，取得较好的防潮效果。涂装后SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料在40℃、90％的高温高湿条件下放置15d的吸水率约0．30％；在大气环境下（温度27-30℃，湿度45-60％）的吸水率小于0．01％。涂层对SiO2／（Si3N4＋BN）复合材料的透波率影响较小，涂装后材料的透波率仍然能保持在85％以上。 展开更多
关键词 sio2/(si3N4+BN) 透波率 防潮涂层 吸水率
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a-Si/SiO_2多量子阱材料制备及其晶化和发光 被引量：4
4
作者 成步文 余金中 +3 位作者 于卓 王启明 陈坤基 黄信凡 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期217-222,共6页
本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ... 本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱结构材料．用激光扫描退火方法使其晶化，当ａ－Ｓｉ和ＳｉＯ２层厚度分别为４ｎｍ和６ｎｍ时，形成了颗粒大小为３．８ｎｍ的硅晶粒．晶化后的样品在１０Ｋ下可以观察到较强的光荧光发射，三个峰值波长分别为８１０、８２５和８４５ｎｍ． 展开更多
关键词 多量子阱 晶化 光致荧光 二氧化硅 非晶硅
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SiO_2/Si波导应力双折射数值分析 被引量：3
5
作者 安俊明 班士良 +6 位作者 梁希侠 李健 郜定山 夏君磊 李健光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1454-1458,共5页
采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,... 采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析,在此基础上,应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算.结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因,相应的应力双折射系数B在10-4量级.进一步的分析表明上包层B,P重掺杂可明显减小波导的双折射系数. 展开更多
关键词 sio2/si 波导 应力 双折射 数值分析
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无压烧结制备Si_3N_4／SiO_2复合材料 被引量：7
6
作者 徐常明 王士维 +1 位作者 黄校先 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期935-938,共4页
以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损... 以无压烧结工艺制备了Si3N4／SiO2复合材料．实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用．Si3N4含量为5vol％的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96．2MPa,断裂韧性为2．4MPa·m1／2,介电常数和介电损耗分别在3．63-3．68和1．29-1．75×10-3之间． 展开更多
关键词 天线罩 无压烧结 si3N4/sio2复合材料 力学性能 介电性能
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Au/(Si/SiO_2)/p型Si结构的可见电致发光研究 被引量：2
7
作者 马书懿 王印月 刘雪芹 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期354-356,共3页
Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实... Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主要来自于SiO2 层中的发光中心上的复合发光。 展开更多
关键词 si/sio2薄膜 电致发光 发光中心 复合发光
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SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征 被引量：3
8
作者 曹亮亮 叶志镇 +4 位作者 张阳 朱丽萍 张银珠 徐伟中 赵炳辉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期164-167,共4页
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO... 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 sio2/si 脉冲激光沉积 光致发光
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Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光 被引量：3
9
作者 陈青云 段满益 +6 位作者 周海平 董成军 魏屹 纪红萱 黄劲松 陈卫东 徐明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期363-370,共8页
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分... 采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 展开更多
关键词 si/siNx/sio2多层膜 红外吸收 光致发光
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Si表面Si-OH、SiO2结构的LDA与GGA研究 被引量：2
10
作者 杨春 廖子夷 +3 位作者 余毅 周明秀 郁卫飞 黄辉 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2008年第2期187-191,共5页
在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和... 在Si(001)面上建立2×1两种模型,表面分别为Si-OH结构和Si-O-Si桥氧结构.在周期性边界条件下的k空间中,采用局域密度近似法和广义梯度近似法,对比计算两种体系的能量和表面结构.研究表明,广义梯度近似法更适合硅复合材料表面Si-OH和SiO2结构的计算. 展开更多
关键词 si—OH sio2 密度泛函 局域密度近似 广义梯度近似
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Si/SiO_2和SiN_x/SiO_2多层膜的室温光致发光 被引量：2
11
作者 陈青云 徐明 +4 位作者 段满益 陈卫东 丁迎春 纪红萱 沈益斌 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期680-684,共5页
采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可... 采用射频磁控溅射法,制备了纳米Si/SiO2和SiNx/SiO2多层膜,得到强的可见光致发光,利用傅里叶红外吸收(FTIR)谱和光致发光(PL)谱,对其发光特性进行了研究,在374 nm和712 nm左右观察到强发光峰。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了其可能的发光机制,认为发光可能源自于SiOx界面处的缺陷发光中心。建立了发光的能隙态(EGS)模型,认为440 nm和485 nm的发光源于N-Si-O和Si-O-Si缺陷态能级。 展开更多
关键词 si/sio2多层膜 siNx/sio2多层膜 红外吸收 光致发光
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SiON对Si基SiO_2AWG偏振补偿的数值分析 被引量：2
12
作者 安俊明 郜定山 +3 位作者 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期858-862,共5页
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这... 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率 Si ON薄膜对 Si基 Si O2 阵列波导光栅中波导应力双折射的影响 .分析结果表明在芯区上或下表面沉积 Si ON薄膜可以明显减小 Si基 Si O2 阵列波导光栅 (AWG)中波导的应力双折射 ,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置 ,不利于波导与光纤的耦合 .理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿 ,可减小模场偏移 ,并用该方法设计了偏振无关的 1 6通道 AWG. 展开更多
关键词 sioN薄膜 si基sio2波导 应力 双折射 阵列波导光栅 偏振补偿 EEACC 4130
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第一性原理研究厚度和空位缺陷对Si/SiO_2界面电子结构与光学性质的影响 被引量：3
13
作者 顾芳 陈云云 +2 位作者 张仙岭 李敏 张加宏 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期993-999,共7页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,在局域密度近似(LDA)下研究了Si纳米层厚度和O空位缺陷对Si/Si O2界面电子结构及光学性质的影响.电子结构计算结果表明:在0.815~2.580nm的Si层厚度范围内,Si/Si O2界面结构的能隙随着厚度减小而逐渐增大,表现出明显的量子尺寸效应,这与实验以及其他理论计算结果一致;三种不同的O空位缺陷的存在均使得Si/Si O2界面能隙中出现了缺陷态,费米能级向高能量方向移动,且带隙有微弱增加.光学性质计算结果表明:随着Si纳米层厚度的减小,Si/Si O2界面吸收系数产生了蓝移;O空位缺陷引入后,界面光学性质的变化主要集中在低能区,即低能区的吸收系数和光电导率显著增加.可见,改变厚度和引入缺陷能够有效地调控Si/Si O2界面体系的电子和光学性质,上述研究结果为Si/Si O2界面材料的设计与应用提供了一定的理论依据. 展开更多
关键词 si/sio2界面 第一性原理 空位缺陷 电子结构 光学性质
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Si/莫来石/Er_2SiO_5环境障涂层的高温氧化行为 被引量：3
14
作者 范金娟 常振东 +1 位作者 陶春虎 王富耻 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1553-1559,共7页
采用化学气相沉积与等离子喷涂相结合的方法在SiC/SiC复合材料基体上制备了Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层。采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)与X射线衍射仪(XRD)分析其结构变化,通过氧化试验研究涂层在1350℃与1500℃下的高温氧化行... 采用化学气相沉积与等离子喷涂相结合的方法在SiC/SiC复合材料基体上制备了Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层。采用扫描电镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)与X射线衍射仪(XRD)分析其结构变化,通过氧化试验研究涂层在1350℃与1500℃下的高温氧化行为。结果表明:Si/莫来石/Er2Si O5环境障涂层可在1350℃长时间使用,在1500℃短时间使用。涂层在不同高温下的氧化失效机理不同。1350℃时,涂层氧化失效主要是由于涂层材料与基体材料热膨胀不匹配使涂层中产生了垂直于表面的裂纹,裂纹成为元素扩散通道,加速环境中O元素扩散至粘结层与基体并将其氧化,降低了涂层与基体之间的粘结强度,从而导致涂层脱落。1500℃时,涂层氧化失效主要是元素快速扩散、反应生成大量的气泡状玻璃态物质所致。 展开更多
关键词 si/莫来石/Er2sio5环境障涂层 高温氧化 失效行为
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SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究 被引量：3
15
作者 王科范 盛斌 +3 位作者 刘金锋 徐彭寿 潘海滨 韦世强 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期358-361,366,共5页
Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化... Si衬底用化学方法清洗后,表面大约残余1.0 nm厚SiO2薄膜。利用原子力显微镜(AFM)和反射高能电子衍射(RHEED)来研究温度和Ge蒸发厚度对在SiO2薄膜表面生长的Ge量子点的影响。实验结果表明,当衬底温度超过500℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成与Si(111)表面直接外延的Ge量子点。在650℃时,只有Ge的厚度达到0.5nm时,Ge量子点才开始形成。 展开更多
关键词 GE量子点 sio2薄膜 si(111) 原子力显微镜(AFM) 反射高能电子衍射(RHEED)
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稀土Pr对Al_2O_3-SiO_2(sf)/Al-Si复合材料力学性能的影响 被引量：4
16
作者 谢勇 李文芳 +1 位作者 黄鹰 揭军 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期554-557,共4页
本文研究几种稀土Pr含量的硅酸铝短纤维增强铝硅复合材料在常温及 2 0 0℃下的拉伸性能 ,并对Pr元素的影响机理进行了深入探讨。结果表明 ,添加Pr元素可提高复合材料的强度和塑性 ,而对复合材料高温性能的改善更为明显。但Pr含量有一定... 本文研究几种稀土Pr含量的硅酸铝短纤维增强铝硅复合材料在常温及 2 0 0℃下的拉伸性能 ,并对Pr元素的影响机理进行了深入探讨。结果表明 ,添加Pr元素可提高复合材料的强度和塑性 ,而对复合材料高温性能的改善更为明显。但Pr含量有一定的范围 ,对室温性能有利的Pr含量在 0 2 %～ 0 3%左右 ,而在高温下 ,随Pr含量的提高 。 展开更多
关键词 稀土Pr A12O3-sio2(sf)/Al—si复合材料 力学性能 影响
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Si/Ti摩尔比对SiO_2-TiO_2气凝胶催化性能的影响 被引量：3
17
作者 张波 姜剑锋 +1 位作者 邓冰心 陈银飞 《浙江工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第4期374-378,共5页
通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反... 通过溶胶凝胶—常压干燥法制备了不同Si/Ti摩尔比的SiO2-TiO2复合气凝胶,结合Uv-vis,FT-IR等表征手段研究Si/Ti摩尔比对其在以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,H2O2((H2O2)=30%)为氧化剂的苯乙烯环氧化反应中催化性能的影响.结果表明:反应产物只有环氧苯乙烷(SO)和苯甲醛(BA).随着Si/Ti摩尔比的降低,催化剂的TON和双氧水的有效利用率逐渐降低,但苯乙烯的转化率先迅速增加后增加缓慢,SO的选择性先增加后降低,当Si/Ti摩尔比为16.4时,SO的选择性和收率最高,这归因于随着钛含量的增加,三种不同钛物种相对含量的变化. 展开更多
关键词 苯乙烯 环氧化 sio2-TiO2复合气凝胶 si/Ti比 选择性
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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量：2
18
作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多
关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 sio2/si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱
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用于微机电系统的SiO_2/Si_3N_4驻极体的制备及电荷稳定性 被引量：2
19
作者 肖慧明 温中泉 +1 位作者 张锦文 陈钢进 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1297-1299,1303,共4页
驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极... 驻极体微型发电机是近期提出的微电子机械系统开发中的一个新领域,驻极体电荷稳定性则是影响驻极体微型发电机性能的关键。用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备SiO2/Si3N4双层膜,采用电晕充电和热极化方法对材料进行注极形成驻极体,探讨了器件加工工艺及存储环境对双层膜驻极体电荷稳定性的影响。结果表明,电晕充电后SiO2/Si3N4双层膜的电荷存储稳定性明显优于SiO2单层膜;传统的电晕注极方法仅适用于大面积驻极体的制备,但对微米量级的材料表面不适用;微器件制备的工艺流程对驻极体电荷稳定性有显著影响,但存储环境对热极化驻极体电荷稳定性的影响很小。 展开更多
关键词 驻极体 微型发电机 sio2/si3N4双层膜 电荷稳定性 微器件加工
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Si/SiO_2及Si/SiO_2/Si_3N_4系统的总剂量辐射损伤 被引量：1
20
作者 范隆 郝跃 余学峰 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期433-436,共4页
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对... 从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介质的Si/SiO2系统的双绝缘栅介质的Si/SiO2/Si3N4系统表现出对总剂量辐射损伤的明显特性差异.在抗总剂量电离辐射能量上,双绝缘栅介质结构甚至劣于常规非加固工艺的单介质Si/SiO2系统结构.同时,对辐射感生界面态的能量分布随辐照总剂量的变化进行了分析,发现试验的3种样品都存在一类深能级界面态,位于中带以上约80meV的位置,该类界面态随辐照剂量的增加最明显. 展开更多
关键词 氧化物电荷 界面态 能量分布 MOS电容 总剂量辐射损伤 si/sio2 si/sio2/si3N4
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