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RF LDMOS功率器件研制
1
作者
陈蕾
王帅
+2 位作者
姜一波
李科
杜寰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期968-972,共5页
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移...
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
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关键词
射频
ldmos功率器件
击穿电压
栅极金属总线
截止频率
最大振荡频率
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职称材料
题名
RF LDMOS功率器件研制
1
作者
陈蕾
王帅
姜一波
李科
杜寰
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第10期968-972,共5页
文摘
基于ISE TCAD模拟软件对RF LDMOS器件的工艺流程和器件结构进行了优化设计,采用带栅极金属总线的版图结构降低栅电阻,同时简化了LDMOS器件的封装设计。通过实际流片和测试分析,重点讨论了漂移区注入剂量和漂移区长度对LDMOS器件的转移特性、击穿特性、截止频率及最大振荡频率的影响。测试结果表明该器件的阈值电压为1.8 V,击穿电压可达70 V,截止频率和最大振荡频率分别为9 GHz和12.6 GHz,并可提供0.7 W/mm的输出功率密度。
关键词
射频
ldmos功率器件
击穿电压
栅极金属总线
截止频率
最大振荡频率
Keywords
RF power
ldmos
breakdown voltage
gate bus
cutoff frequency
max oscillator frequency
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
RF LDMOS功率器件研制
陈蕾
王帅
姜一波
李科
杜寰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
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