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SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究
被引量：
1
1
作者
邹德恕
高国
+4 位作者
陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期36-39,共4页
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
关键词
离子注入
自对准
半导体器件
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职称材料
基于1.5μm BiCMOS工艺的SiGe HBT器件设计优化
2
作者
李文杰
戴广豪
+3 位作者
谭开洲
王生荣
李竞春
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期595-597,600,共4页
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici...
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。
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关键词
sige
hbt
BICMOS工艺
快速热退火
自对准工艺
选择性注入
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职称材料
用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
3
作者
杨维明
史辰
+1 位作者
徐晨
陈建新
《电子器件》
EI
CAS
2005年第2期245-247,393,共4页
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子...
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。
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关键词
离子注入
掩埋金属自对准
hbt
噪声系数
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职称材料
题名
SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究
被引量：
1
1
作者
邹德恕
高国
陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
机构
北京工业大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期36-39,共4页
文摘
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
关键词
离子注入
自对准
半导体器件
Keywords
ion implantation self aligned sige/si hbt
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于1.5μm BiCMOS工艺的SiGe HBT器件设计优化
2
作者
李文杰
戴广豪
谭开洲
王生荣
李竞春
杨谟华
机构
电子科技大学
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期595-597,600,共4页
文摘
基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。
关键词
sige
hbt
BICMOS工艺
快速热退火
自对准工艺
选择性注入
Keywords
sige
hbt
BiCMOS
Rapid thermal annealing
self
-
aligned
technology
Selective
implantation
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
3
作者
杨维明
史辰
徐晨
陈建新
机构
北京工业大学光电子技术实验室
出处
《电子器件》
EI
CAS
2005年第2期245-247,393,共4页
基金
北京市自然科学基金资助项目(4032005)
文摘
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。
关键词
离子注入
掩埋金属自对准
hbt
噪声系数
Keywords
ion
implantation
buried metal
self
-
aligned
hbt
noise figure
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN385 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究
邹德恕
高国
陈建新
沈光地
张京燕
杜金玉
邓军
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于1.5μm BiCMOS工艺的SiGe HBT器件设计优化
李文杰
戴广豪
谭开洲
王生荣
李竞春
杨谟华
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
杨维明
史辰
徐晨
陈建新
《电子器件》
EI
CAS
2005
0
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职称材料
已选择
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条
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