为实现最有效的铜填充电镀工艺（electroplating process for copper via fill），需要金属籽晶（seed metal）的连续传导层通过TSV结构的深度。凭借大多数TSV设计（深宽比AR〈15：1），物理气相沉积（PVD）被确立为符合这一要求且风险...为实现最有效的铜填充电镀工艺（electroplating process for copper via fill），需要金属籽晶（seed metal）的连续传导层通过TSV结构的深度。凭借大多数TSV设计（深宽比AR〈15：1），物理气相沉积（PVD）被确立为符合这一要求且风险最低的沉积技术，但对PVD的要求并不像许多人想象的那样简单。展开更多
文摘为实现最有效的铜填充电镀工艺（electroplating process for copper via fill），需要金属籽晶（seed metal）的连续传导层通过TSV结构的深度。凭借大多数TSV设计（深宽比AR〈15：1），物理气相沉积（PVD）被确立为符合这一要求且风险最低的沉积技术，但对PVD的要求并不像许多人想象的那样简单。
